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近日在美國聖克拉拉舉行的2023快閃記憶體峰會（Flash Memory Summit 2023）上，作為世界上最主要的NAND快閃記憶體製造商之一的鎧俠（Kioxia），介紹了其基於Compute Express Link（CXL）和第二代XL-Flash或BiCS 3D NAND的解決方案。 CXL技術允許構建各種設備來處理大量的工作負載，從擴展內存子系統的容量和性能到提供超快速的持久存儲。據ServeTheHome報導，鎧俠提供了兩種CXL產品：一種是基於CXL+XL-Flash快閃記憶體的產品，用於以性能和可靠性為中心的應用，比如資料庫和人工智慧推理等；另外一種是基於CXL+BiCS FLASH的產品，用於大數據和人工智慧訓練等。兩種存儲設備都採用了特助的控制器，對各自的任務做了針對性的優化。 鎧俠在去年推出了第二代XL-FLASH存儲級內存解決方案，這是一種基於其BiCS FLASH 3D快閃記憶體技術的存儲級內存（SCM）解決方案。與第一代採用SLC NAND不同，第二代改用了MLC NAND，提供了更高的讀寫性能及更低的延遲，保證了比主流3D TLC NAND有更高的性能，並有效降低了成本。鎧俠表示，當CXL與第二代XL-FLASH結合後，不但實現了更高的容量，同時更具成本效益。 這次鎧俠展示了1.3TB的CXL 1.1/CXL 2.0 BiCS 3D NAND設備樣品，外形為E1.S和E3.S規格，採用了PCIe 5.0 x4接口。鎧俠沒有透露具體的性能參數，可能是由於開發還沒完成。雖然使用基於CXL協議的PCIe接口加上低延遲的3D TLC NAND似乎是一個合理的方案，但性能不如採用第二代XL-FLASH的產品。 對於旗下CXL內存擴展模塊的發布計劃，鎧俠一直守口如瓶。從展示的情況來看，基於CXL+BiCS...

鎧俠（Kioxia）宣布，推出第二代XL-FLASH存儲級記憶體解決方案。這是一種基於其BiCS FLASH 3D快閃記憶體技術的存儲級記憶體（SCM）解決方案，可有效降低成本，並提供高性能及低延遲的產品。 存儲級記憶體（SCM）是業界對介於快閃記憶體與記憶體之間的新存儲介質的統一命名，大家熟悉的傲騰3D-XPoint就屬於SCM。由於很多SCM兼有記憶體低延遲高讀寫速率和非易失的特性，幾大主要的快閃記憶體製造商都有開發自己的SCM技術，除了美光和英特爾的3D-XPoint，還有三星的Z-NAND，後者更多屬於現有NAND的改良版本。 鎧俠稱，第二代XL-FLASH存儲級記憶體解決方案旨在為數據中心、企業伺服器和存儲系統帶來更高的性能和更低的成本。放眼未來，該技術還可能應用於CXL（Compute Express Link）產品上。目前三星和SK海力士已推出了CXL存儲器，均基於DDR5 DRAM。 第二代XL-FLASH除了使用現有的SLC快閃記憶體，還增加了每單元存儲兩位數據的新多層單元功能（MLC），從而降低了成本。此前第一代產品使用的是128Gb的快閃記憶體晶片，第二代提高到了256Gb，同時數據吞吐量也有所增加。在同一個封裝中，還可以堆疊兩層、四層或八層晶片。 鎧俠表示，將在今年8月初在全球快閃記憶體峰會（Flash Memory Summit，FMS）的主題演講中展示第二代XL-FLASH存儲級記憶體解決方案。此外，相關樣品計劃於今年11月出貨，預計2023年投入量產。 ...

上個月的ISSCC 2020是半導體業界集中展示新技術的一次峰會，除了上周我們報導過了的AMD，還有很多晶片界巨頭也在ISSCC 2020上面發表了一些尖端技術，比如鎧俠和西部數據就聯合發布了一種新的存儲級記憶體（Storage Class Memory）——XL-FLASH。 圖片來自於PC Watch，下同 存儲級記憶體（SCM）是業界對介於快閃記憶體與記憶體之間的新存儲介質的統一命名，我們熟悉的傲騰3D-XPoint就屬於SCM。由於很多SCM兼有記憶體低延遲高讀寫速率和非易失的特性，已經成為了業界新的關注點，幾大主要的快閃記憶體製造商都在開發自己的SCM技術，比如Intel和美光聯合開發的3D-XPoint，三星自己在開發的Z-NAND都算在這個范疇內，雖然我們知道後者其實只能算是目前NAND的改良版本。 而鎧俠和西部數據當然不會坐著看戲，他們也有自己的SCM計劃，就是本次公布的XL-FLASH。 XL-FLASH實際上與三星的Z-NAND有點相似，實質也是在目前的3D NAND上面進行改進得到的產物，從對比規格來看，它的整體表現將會比Z-NAND好上那麼一些，比起自家的TLC是高一個次元了。 左：96層，512Gb的3D TLC；右：128Gb的XL-FLASH XL-FLASH在結構上與普通的BiCS快閃記憶體存在較大的區別，普通的512Gb快閃記憶體只是簡單地被分成兩個平面，而XL-FLASH則是將陣列細分化，128Gb顆粒中的存儲單元陣列被劃分為16個小單元，每個單元都有配套的4KB S/A。另外在劃分為小陣列之後，其字線和位線都變短了，訪問單元的延遲比字線和位線長的多的普通NAND是要低非常多的，其中字線的延遲時間可能會減少到只有1/20的地步。 另外在主控層面和電路上面也會對XL-FLASH進行針對性的優化，以實現更低的寫入延遲。 鎧俠和西部數據用自己的方法構建出了SCM級別的新顆粒，而且在去年已經有廠家展示了使用XL-FLASH的產品。由於它的內部結構並不像3D-XPoint那樣是完全新的，其製造成本是相對要低一些的，但效果還是相當明顯的。我們未來能夠看到Z-NAND，3D-XPoint和XL-FLASH的同台競爭。 ...

隨著工藝製造等技術的發展，現在NAND快閃記憶體的容量越來越大了，而且現在的TLC顆粒壽命也已經有不錯的表現了。所以現在為了更大的容量，多層堆疊的TLC顆粒已經成為當前市場的主流，甚至QLC也逐漸在市場上鋪開。但SLC等技術依舊有著應用前景，在去年的快閃記憶體峰會中，東芝公布了XL-FLASH技術，到今年，東芝將會公布包括量產等信息。 圖片來自Anandtech 根據Anandtech的報導，東芝首片XL-FLASH將使用128Gb的裸片，並且分割成16個平面以提供相對於現在面向容量的3D NAND快閃記憶體更強的並行性。XL-FLASH快閃記憶體的頁面大小為4KB，也明顯小於當前大多數3D NAND快閃記憶體，不過由於XL-FLASH的單元只存儲1位而不是像現在TLC或QLC存儲3為或4位，所以小頁面大小也是正常的。同時東芝到目前也沒有透露擦除塊大小，但應該是要比目前大容量NAND快閃記憶體要更小的。 性能是東芝推出XL-FLASH的關鍵，東芝稱其讀取延遲小於5微秒，而相比之下3D TLC約為50微秒。這個提升還是很大的。 而且在本屆快閃記憶體峰會上，Memblaze也展示了首款採用XL-FLASH快閃記憶體的超低延遲SSD，並且將於英特爾的傲騰及三星的Z-NAND快閃記憶體進行競爭。根據Anandtech的報導，Memblaze也採用了公司專有的SSD控制器與XL-FLASH搭配。而且其聲稱PBlaze5 X26系列SSD擁有低於10微秒的4K隨機寫入延遲和平局低至26微秒的4K回合讀寫延遲。雖然相比英特爾的傲騰SSD還是要高一些，但售價應該要相對便宜一些。 圖片來自Anandtech 雖然當前的3D NAND快閃記憶體在順序讀寫及容量上有了非常大的提升，但隨機性能等方面依舊有很大進步空間。英特爾已經推出了基於3D Xpoint的傲騰SSD，三星也推出了Z-NAND快閃記憶體，提供更低的延遲及更好的性能表現。現在東芝也加入到高性能NAND晶片的研發生產中，未來高性能SSD市場競爭會更加激烈。 ...