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快科技4月17日消息，美光公司近日宣布，已成功實現232層QLC NAND快閃記憶體的量產，並已向特定關鍵SSD客戶發貨。這款革命性的快閃記憶體產品不僅面向消費級客戶端，同時還將為企業級存儲客戶和OEM廠商提供強大支持，其中就包括Micron 2500 NVMe SSD。 美光強調，這款四層單元的NAND快閃記憶體新品代表了行業的一大突破，其層數和密度均達到前所未有的水平。這種新型快閃記憶體不僅能實現比傳統NAND快閃記憶體更高的存儲密度和設計靈活性，還能有效縮短訪問時間，為各類應用提供更為流暢的體驗。 美光的232層QLC NAND快閃記憶體憑借一系列卓越特性，為移動、客戶端、汽車、邊緣計算及數據中心等多樣化存儲需求提供了無與倫比的性能。這款快閃記憶體產品不僅擁有全球最高的位密度，相比上一代176層QLC NAND快閃記憶體，其密度提升了高達30%。 在結構上，這款新品也展現出了顯著優勢，其緊湊程度比競爭對手的最新產品高出28%。此外，美光的232層QLC NAND快閃記憶體還具備業界領先的I/O接口速度，高達2400 MT/，較上一代產品提升了50%。 在性能表現方面，這款新型快閃記憶體同樣令人矚目。其讀取性能相比上一代176層QLC NAND快閃記憶體提升了24%，而寫入性能更是提升了31%。這一系列的提升使得美光的232層QLC NAND快閃記憶體成為了市場上的佼佼者。 值得一提的是，知名存儲解決方案和定製企業級SSD設備製造商Pure Storage的總經理Bill Cerreta對美光的這款新品給予了高度評價。他表示，美光的232層QLC NAND快閃記憶體是Pure Storage大容量DirectFlash模塊的核心組成部分，其卓越性能將助力Pure Storage在2028年之前實現數據中心全面取代機械硬碟的宏偉目標。 來源：快科技

美光宣布，已開始量產232層QLC NAND快閃記憶體，並已經在選定的關鍵SSD中發貨。除了消費客戶端產品外，還會向企業存儲客戶及OEM廠商提供對應的產品，比如Micron 2500 NVMe SSD。 美光表示，這次四層單元的NAND快閃記憶體新品是一項突破性的成就，提供了前所未有的層數和密度，可實現比以往NAND快閃記憶體更高的存儲密度和設計靈活性，並縮短了訪問時間。美光232層QLC NAND快閃記憶體通過利用以下重要功能，為移動、客戶端、汽車、邊緣和數據中心存儲的用例提供無與倫比的性能，包括： 全球位密度最高的OEM量產型NAND快閃記憶體，密度比起自家上一代176層QLC NAND快閃記憶體提高了30%。 業界領先的位密度，領先於競爭對手的最新產品，結構更為緊湊，相比提升了28%。 業界領先的NAND快閃記憶體I/O接口速度，達到了2400 MT/s，比上一代提高了50%。 讀取性能比上一代176層QLC NAND快閃記憶體提高了24%。 寫入性能比上一代176層QLC NAND快閃記憶體提高了31%。 存儲解決方案和定製企業級SSD設備製造商Pure Storage的總經理Bill Cerreta表示，美光的232層QLC NAND快閃記憶體是其大容量DirectFlash模塊的關鍵，在美光的推動下，讓Pure Storage在2028年之前完成取代數據中心所有機械硬碟的目標上又向前邁進了一步。 ...

去年10月，美光推出了使用最新1β（1-beta）工藝節點生產的LPDDR5X內存，容量高達16GB，速率也達到了9.6 Gbps，相比前代產品的峰值帶寬提高了12%。 現在美光宣布，帶來適用於智慧型手機的LPDDR5X新版解決方案，在保持9.6 Gbps的速率同時，將功耗進一步降低了4%，再次突破了原有的界限。美光還表示，新的LPDDR5X解決方案也能用於標准低功耗壓縮附加內存模塊（LPCAMM2）。 美光表示，在新的LPDDR5X解決方案里，利用了增強型動態電壓和頻率擴展內核（eDVFSC）和第二代high-k金屬柵極（HKMG）技術來提升節電效率，從而顯著改善了功耗表現，並能靈活地提供工作負載定製的功耗和性能，這樣的改進為移動生態系統提供了在邊緣釋放生成式人工智慧（AI）所需的性能。 根據消費者調查報告，顯示智慧型手機的續航能力是選購時最關心的功能，超過了其他關鍵指標，前三位分別是電池續航時間（61%）、拍照質量（48%）和5G網絡連接（24%）。美光認為隨著人工智慧用例和應用引入到旗艦智慧型手機，對於計算相關硬體的能效要求會更加高，市場研究顯示到2027年，全球預計會有超過10億台AI智慧型手機出貨，並滲透到中端設備上。 目前美光已經向移動生態系統提供樣品，包括為人工智慧密集型應用提供持續的高帶寬功能，並進一步提高電源效率。 ...

美光宣布，推出車規級4150AT，這是全球首款四埠SSD，能夠與多達四個SoC連接，為軟體定義的智能汽車集中存儲。美光表示，4150AT SSD結合了市場領先的功能，比如單路輸入/輸出虛擬化（SR-IOV）、PCIe 4.0接口和堅固耐用的汽車級別設計，為智能汽車生態系統提供了數據中心級別的靈活性和強大功能。 美光嵌入式產品和系統副總裁Michael Basca表示：「隨著存儲需求競相跟上以人工智慧和先進算法為特色的豐富車載體驗，以實現更高水平的自主安全，這個時代需要一種新的汽車存儲模式來匹配。在我們與重新定義下一代汽車架構的創新者合作的基礎上，美光重新構想了存儲，推出了世界上第一款四埠SSD，為行業提供了靈活性和動力，以推出即將到來的變革性技術。」 相比於一般的車規級單埠SSD，4150AT在沒有車規級PCIe交換晶片的情況下，就能實現多系統間共享單個實體硬碟的容量；美光還針對車用多虛擬機環境進行了優化，4150AT支持運行多達64個虛擬機；以BGA封裝形式提供，採用176層TLC NAND快閃記憶體，可配置為SLC或高耐久性SLC（HE-SLC）模式；支持NVMe 2.0規范，通過了ASIL-B和ASPICE L3認證；隨機讀取和隨機寫入分別為600K/100K IOPS；提供了220GB、440GB、900GB和1.8TB四種容量，對應TBW分別為160TB、320TB、640TB和1280TB。 在美光看來，4150AT這類高性能SSD能夠同時有效地管理來自多個SoC的數據流，讓其成為更多車輛的理想解決方案，從先進的駕駛輔助系統（ADAS）到到車載信息娛樂（IVI）再到人工智慧座艙體驗，為消費級汽車帶來了企業級的速度。 ...

快科技4月9日消息，4月3日清晨，，導致嚴重破壞，也對半導體行業造成了不小的沖擊，比如說DRAM內存恐怕要要面臨進一步漲價。 地震發生後，美光很快就暫停公布二季度的DRAM產品報價，SK海力士、三星也緊隨其後。 美光還宣布，將會對地震造成的產能、供應情況做進一步評估，然後再與客戶探討供應情況。 業內人士稱，如此強震發生後，晶圓廠一般都會暫停或暫緩至少部分產線，不可避免地會造成供應緊張。 事實上，在經歷前兩年的持續低價之後，DRAM內存原廠都在刻意控制產能，期望能盡快恢復價格，漲價趨勢在地震之前就已經很明顯。 ，DRAM內存晶片價格在今年第一季度的漲幅可達20％，二季度還將再漲3-8％，而今有了地震這個“機會”，原廠們自然不會輕易放過。 另一方面，內存模組廠商們目前的庫存水平普遍偏低，上游產能有限的情況下肯定會加大采購支出，伺服器廠商等下遊客戶也會趁機抓緊備貨，這些都會進一步導致價格被抬高。 此外，，第一季度整體漲了23-28％，第二季度預計還會再漲13-18％，相比內存更甚，反映到終端SSD市場上也是如此，部分產品甚至已經價格翻倍。 來源：快科技

據TrendForce集邦咨詢研報，受4月3日台灣花蓮地震影響，美光在台灣新北林口和台中的廠區仍在進行停機評估，需要幾天時間才能恢復正常。美光也在震後發布公告稱所有在台員工安然無恙，目前正在評估地震對供應鏈的影響，停止有關產品的報價，評估完成後將會和客戶溝通產品交付情況。 集邦咨詢指出，此次地震影響的廠區是美光內存的重要生產基地，兩個廠區已有最新的1-beta製程內存進行生產，後續還將會生產HBM內存。 除了美光，此次受地震影響的內存顆粒廠商還有南亞（Nanya）、力積電（PSMC）和華邦電 （Winbond），這三家受到的影響較小。南亞受影響的廠區主要負責20/30nm製程的產品，最新的1-beta內存正在研究中；力積電（PSMC）則以25/21nm製程產品為主。上述廠區在進行短暫的停機檢查後已陸續恢復運作。 另外，集邦咨詢也報導了台積電的相關狀況，稱目前其產能利用率較高的5/4/3nm廠區未受太大影響，已在震後6-8小時完成停機檢查，並恢復到90%以上的產能；研發總部Fab12因水管破裂而導致部分機台進水，但主要影響的是尚未量產的2nm製程，因此短期內不會有太大影響，只是可能會因為需要重新購買新機台而導致研發成本略有上升。封裝廠區方面，目前主要運作的廠區龍潭AP3和竹南AP6在事發後已立即進行人員疏散，停機檢查發現冰水主機存在問題，但廠內有後備設施，因此不影響廠區運作，官方已安排陸續復工。 ...

去年6月，美光宣布未來幾年內對其西安的封裝測試工廠投資逾43億元人民幣。其中包括收購力成半導體在西安的封裝設備，還計劃在美光西安工廠加建新廠房，並引進全新且高性能的封裝和測試設備。 圖：美光總裁兼執行長Sanjay Mehrotra 今天美光宣布，位於西安的封裝和測試新廠房已正式破土動工，進一步強化了公司對中國運營、客戶及社區的不懈承諾。美光還在奠基儀式上宣布，公司將在西安建立美光首個封裝和測試製造可持續發展卓越中心（CoE），推動公司在環境、社會和治理（ESG）方面的合作夥伴關系，實現全球可持續發展目標。美光總裁兼執行長Sanjay Mehrotra以及全球運營執行副總裁Manish Bhatia，均出席了奠基儀式。 這次美光追加的投資里，包括加建這座新廠房，引入全新產線，製造更廣泛的產品解決方案，包括但不限於移動DRAM、NAND及SSD，從而拓展西安工廠現有的DRAM封裝和測試能力。此外，美光還將在西安工廠投資多個工程實驗室，提升產品可靠性認證、監測、故障分析和調試的效率，從而幫助客戶加快產品上市時間。 新廠房預計在2025年下半年投產，並根據市場需求逐步增產。落成後，美光西安工廠的總面積將超過13.2萬平方米（140萬平方英尺），同時將額外增加500個就業崗位，使美光在中國的員工總數增至4,800餘人。 美光也在推進收購力成半導體（西安）有限公司（力成西安）的資產，並將向力成西安1,200名全體員工提供新的就業合同。 ...

快科技3月25日消息，據媒體報導，美光展示了單條256GB的DDR5-8800內存，屬於MCRDIMM模塊。 據悉，美光近期展示了其創新的單條256GB DDR5-8800內存，這款內存以非標准高度設計，同時為了滿足1U伺服器的需求，美光還推出了標准高度款。 非標准高度款內存採用了32Gb DDR5晶片，每面密集排列了40塊晶片，雙面合計達到80塊，充分展現了其高集成度的設計特點。 而標准高度款雖然同樣使用了32Gb DDR5晶片，但採用了2層堆疊封裝的方式，以適應更為緊湊的空間。 然而，這種設計可能會使得在有限空間內運行時，溫度稍高於非標准高度款，盡管兩款內存的高度不同，但它們的功耗均控制在大約20W，展現了出色的能效表現。 值得一提的是，美光此次展示的內存採用了MCRDIMM技術，這是由英特爾、SK海力士及瑞薩共同合作開發的。MCRDIMM，即多路合並陣列雙列直插內存模組，其初始規格為DDR5-8000，為高性能計算提供了強大的支持。 據去年英特爾的展示，當Granite Rapids處理器與DDR5-8800的MCRDIMM內存模塊搭配使用時，雙路系統的內存帶寬將高達驚人的1.5 TB/。 而Granite Rapids支持12通道內存子系統，每個通道可接入兩個內存模塊，若採用DDR5-8800的MCRDIMM內存模塊，其內存容量可達到3TB（12個插槽）或6TB（24個插槽），極大地提升了系統的數據處理能力，這一創新為高性能計算領域的發展注入了新的活力，期待未來能為我們帶來更多驚喜。 來源：快科技

上周美光在英偉達GTC 2024上，展示了單條256GB的DDR5-8800內存，屬於MCRDIMM模塊。這是針對英特爾下一代伺服器產品設計的，比如代號Granite Rapids的至強可擴展伺服器處理器。 據TomsHardware報導，這次美光展示的單條256GB的DDR5-8800內存屬於非標准高度的款式，當然美光也准備了為1U伺服器設計的標准高度款。高款內存採用了32Gb DDR5晶片，每一面有40塊晶片，兩面加起來共80塊；標准高度款同樣採用了32Gb DDR5晶片，不過是2層堆疊封裝，在空間較小的情況下，運行溫度會更高一些。兩款高度不同的內存的功耗一樣，大概為20W。這功耗水平並不高，作為對比，美光128GB的DDR5-8000運行在DDR5-4800時的功耗為10W。 MCRDIMM是由英特爾和SK海力士及瑞薩合作開發的，也就是Multiplexer Combined Ranks DIMMs（多路合並陣列雙列直插內存模組），初始的規格為DDR5-8000。據了解，AMD也准備了一個類似的產品，叫做HBDIMM，不過兩者存在一些差異。 根據去年英特爾的展示，Granite Rapids與DDR5-8800的MCRDIMM內存模塊搭配，在雙路系統里的內存帶寬將達到1.5 TB/s。Granite Rapids支持12通道內存子系統，每個通道支持兩個內存模塊，如果使用DDR5-8800的MCRDIMM內存模塊，意味著可以提供3TB（12個插槽）或6TB（24個插槽）的容量。 據了解，美光目前已經向廠商提供了單條256GB的DDR5-8800內存樣品。 ...

美光目前在高帶寬存儲器（HBM）市場處於相對劣勢，但隨著手握英偉達的供應協議，供應用於H200的HBM3E，憑借工藝上的優勢，情況看起來正在迅速發生變化。美光正磨拳擦掌，大有大規模搶奪HBM市場的態勢。 近日美光總裁兼執行長Sanjay Mehrotra在2024財年第二財季財報會議上表示，美光2024年的HBM產能已經售罄，2025年大部分產能的供應也已經分配完畢，預計HBM產品的出貨占比將在明年大幅度攀升。2024財年美光將從HBM產品上獲得數億美元的收益，從2024財年第三財季開始，HBM產品收入將增加並提高整體毛利率。 由於需要更多地製造HBM，極大影響了美光其他DRAM的產能，限制了普通內存產品的供應。Sanjay Mehrotra坦承，在同一製程節點生產同等容量下，HBM3E的晶圓消耗量是標准DDR5的三倍，隨著性能及封裝復雜程度的提高，未來HBM4的消耗量會更大。 這一定程度上與HBM的良品率更低有關，由於需要多層DRAM通過TSV堆疊，只要其中一層出現問題，就意味著整個堆棧報廢。現階段HBM的良品率也就在60%到70%之間，明顯低於普通的DRAM產品。 不只是美光，此前SK海力士和三星都已表示，在人工智慧（AI）和高性能計算（HPC）的巨大需求推動下下，2024年的HBM產能已經排滿。 ...

美光公布了2024財年第二財季財報（截至2023年2月2日），季度營收為58.2億美元，相比於上一個財季的47.3億美元有所增長，環比增長了23%，也高於上一財年同期的36.9億美元，同比增長了57.7%；淨利潤約為7.93億美元，上一個財季淨虧損為12.34億美元，上一財年同期淨虧損為23.12億美元；每股攤薄收益為0.71美元，上一個財季每股攤薄虧損為1.12美元；運營現金流為12.2億美元，上一個財季為14億美元，上一財年同期為3.43億美元。 美光預計2024財年第三財季的營收在66億美元左右，上下浮動2億美元，高於59.9億美元的市場平均預期，每股攤薄收益為0.17美元，上下浮動0.07美元。美光認為，人工智慧（AI）的蓬勃發展帶動市場對HBM產品的需求，同時預計DRAM和NAND快閃記憶體定價在本年度內將進一步提高，有可能讓美光在下一個財年實現創歷史新高的業績表現。 美光總裁兼執行長Sanjay Mehrotra表示，美光在2024財年第二財季實現了重新盈利，無論是收入、毛利率還是每股收益，都高於原來業績指引的上限，正面了美光團隊在定價、產品和運營方面的出色執行力，相信卓越的產品組合使美光能夠在2024年下半年實現強勁的營收，而美光也將是人工智慧帶來的多年機遇中最大受益者之一。 ...

在人工智慧（AI）和高性能計算（HPC）的影響下，近兩年HBM產品發展逐漸加速，也推動著存儲器廠商的收入增長。作為英偉達高帶寬存儲器合作夥伴，SK海力士目前在HBM市場的處於領導地位，大量供應HBM3用於英偉達的各款人工智慧晶片。 據Korea JoongAng Daily報導，美光之所以率先獲得英偉達用於H200的HBM3E訂單，在近期競爭中占據主動，憑借的是工藝上的優勢。目前SK海力士占據了54%的HBM市場，而美光僅為10%，但隨著手握英偉達的供應協議，形勢可能很快會發生變化。 與SK海力士在HBM3遙遙領先不同，到了HBM3E情況似乎出現了變化，美光和三星的加入讓市場競爭變得越來越激烈。去年美光、SK海力士和三星先後都發送了HBM3E樣品給英偉達，用於下一代AI GPU的資格測試。這也是英偉達為了保證下一代產品供應，規劃加入更多的供應商的舉措。 美光在去年7月，推出了業界首款帶寬超過1.2TB/s、引腳速度超過9.2GB/s、8層堆疊的24GB容量HBM3E，採用了1β（1-beta）工藝製造。隨後美光透露，其HBM3E樣品的性能更強且功耗更低，實際效能超出了預期，也優於競爭對手，讓客戶大吃一驚。美光還准備了12層堆疊的36GB容量HBM3E，在給定的堆棧高度下，容量增加了50%。 作為HBM市場的領頭羊，SK海力士也不會坐以待斃，近期已向英偉達發送了新款12層堆疊HBM3E樣品，以進行產品驗證測試。近期三星也官宣了同類產品，容量為36GB的12層堆疊HBM3E。下一代HBM4有望在2026年到來，相信HBM市場競爭會變得更加激烈。 ...

美光宣布，委任前英特爾執行長Robert「Bob」Swan為董事會成員。美光表示，Robert Swan在半導體、技術和工業領域擁有傑出的職業生涯，目前擔任Andreessen Horowitz的運營合夥人，為成長型投資組合公司提供建議。 美光總裁兼執行長Sanjay Mehrotra表示：「Robert Swan在一些世界領先的技術公司推動增長和卓越運營方面的記錄對美光來說將是無價的，因為美光會繼續擴大業務規模，鞏固在內存和存儲行業的前沿地位。我們非常歡迎Robert Swan加入到董事會，並期待他為美光的戰略方向和長期成功做出貢獻。」 除了在美光的新職位外，Robert Swan還是耐克、Flexport和GoTo Group的董事會成員，過往還曾擔任eBay、Applied Materials、英特爾和Skype的董事會成員。Robert Swan的職業生涯始於通用電氣，在15年中曾擔任多個高級財務職位。 最為人熟知的，當然是Robert Swan曾擔任英特爾的財務長及執行長。2021年1月14日，英特爾宣布Robert Swan將於2021年2月15日離任，接替他的是當時VMWare的執行長Pat Gelsinger。自擔任英特爾執行長後，非技術出身的Robert Swan備受爭議，在與AMD競爭中承受了很大的壓力，加上製程工藝上連續受挫，使得英特爾面臨的形勢雪上加霜，業界認為Robert Swan由於財務出身而缺乏技術敏感性。 Robert Swan在紐約州立大學布法羅分校獲得了學士學位，在紐約州立大學賓漢姆頓分校獲得了工商管理碩士學位，2022年還獲得了榮譽博士學位。 ...

快科技3月8日消息，近日，JEDEC組織正式公布了GDDR7顯存技術規范，各方面指標都有顯著進步，但沒想到在容量密度上停滯不前，只能期待未來了。 GDDR7升級為四通道傳輸架構，每針腳帶寬增至32-48Gbps，相當於GDDR6/6X的整整2-3倍，256-bit位寬下的帶寬最高可達1.5TB/，還支持片上ECC，而電壓從1.35V降低至1.2V，進一步節省功耗。 此外，信號調制從PAM-4降低到PAM-3，減輕負擔，封裝方式改為266 FBGA。 第一批GDDR7顯存的單顆容量將會只有2GB(16Gb)，和如今的GDDR6/6X完全一致，因此首發搭載的NVIDIA RTX 50系列、AMD RX 8000系列，仍然需要相當多的顯存才能達成超大容量。 還好，JEDEC也規劃了更高的容量密度，未來陸續會有3GB、4GB、6GB，甚至是8GB，其中3GB這種反常規容量是首次出現。 但何時量產，就要看三星、美光、SK海力士等巨頭的進度，以及NVIDIA、AMD的採納意願。 值得一提的是，GDDR6時代也曾經設計過1.5GB單顆容量，但從未量產。 GDDR5/6/7通道架構圖 GDDR7片上ECC流程示意圖 GDDR7針腳定義示意圖 來源：快科技

目前英偉達為人工智慧（AI）和高性能計算（HPC）應用銷售的晶片比業內其他企業都要多，這些高性能計算卡需要大量HBM類晶片，如果想保持這種狀態，就需要穩定的供應。為了更妥善且健全的供應鏈管理，同時為了保證下一代產品的供應，英偉達規劃加入更多的供應商，去年末三星、SK海力士和美光都參與到英偉達下一代AI GPU的資格測試中。 據DealSite報導，英偉達的資格測試似乎給HBM製造商帶來了困難，比起普通的內存產品，HBM類產品的良品率明顯較低，這一定程度上影響了供應。相比市場對於HBM類產品的巨大需求，目前存儲器製造商的產能有所不足，供應十分緊張，SK海力士和美光先後表示2024年HBM產能售罄。 HBM需要在基礎晶圓上通過矽通孔（TSV）連接多層DRAM，如果其中一層出問題就意味著整個HBM堆棧報廢。隨著堆疊層數的增加，良品率有可能會進一步降低。有消息人士稱，現階段HBM類產品的良品率約為65%，如果想要提高這一數字，產量就會下降。存儲器製造商之間的競爭就是在良品率和產量之間找到平衡，提供合適的解決方案。據了解，美光和SK海力士似乎在英偉達的資格測試中處於領先位置，其中前者已經通過了認證階段，開始為下一代H200產品生產HBM3E晶片。 目前SK海力士和三星都打算增加HBM類產品的產量，不過較低的良品率加上更高的需求，從長遠來看是個大問題。 ...

據媒體報導，台灣內存大廠南亞(Nanya)發生了一起內部竊密案，涉及到20nm工藝技術，造成嚴重損失。 2015-2016年間，南亞從美光引入了20nm DRAM內存晶片製造工藝，曾向相關業務部門的員工開設了線上培訓課程。 南亞錦興工廠的一位李姓小組長在參加培訓的過程中，通過截屏的方式，偷偷記錄了相關技術資料，作為自己後續跳槽的資本。 李某被抓獲後，桃園地檢署對其提出起訴，認定相關資料具有秘密性、經濟價值。 台灣最高法院一審認為，李某為了跳槽而復制具有重大經濟價值、關乎企業生存的先進位造技術秘密，而且態度惡劣、否認罪行，根據商業秘密法，判處1年10月徒刑。 對此判決，李某和檢方均不服，雙雙提起上訴。 檢方稱，涉密資料的經濟價值高達數10億元新台幣，李某的行為導致南亞蒙受巨額損失，要求重判。 南亞2023年收入298.92億台幣，大跌47.51％，稅後淨虧損74.48億台幣，毛利率-15％，營業利潤率-48.37％。 南亞計劃今年投產基於第二代10nm工藝的8Gb DDR4、16Gb DDR5內存晶片，年資本支出預計約200億台幣。 來源：快科技

快科技2月28日消息，美光宣布開始送樣增強版通用快閃記憶體（UFS） 4.0 移動解決方案，該方案具有突破性專有固件功能並採用業界領先的緊湊型UFS封裝 (9 x 13mm) 。 新款內存基於先進的232層3D NAND技術， 美光UFS 4.0解決方案可實現高達1TB容量，其卓越性能和端到端技術創新將助力旗艦智慧型手機實現更快的響應速度和更靈敏的使用體驗。 據悉，美光UFS 4.0的順序讀取速度和順序寫入速度分別高達4300MBps和4000MBps，較前代產品相比性能提升一倍，為數據密集型應用提供了更出色的使用體驗。 憑借高速性能，用戶能更快地啟動常用的生產力、創意和新興AI應用。生成式AI應用中的大語言模型加載速度可提高40%，為用戶與AI數字助手的對話提供更流暢的使用體驗。 美光表示，自去年6月推出11mmx13mm封裝規格的UFS 4.0解決方案後，美光進一步縮小UFS 4.0的外形規格以實現更緊湊的9mm x 13mm託管型NAND封裝。尺寸更小巧的UFS 4.0為下一代折疊及超薄智慧型手機設計帶來了更多可能性，製造商可利用節省出來的空間放置更大容量的電池。 此外，新版UFS 4.0解決方案可將能效提升 25%，使用戶在運行 AI、AR、遊戲和多媒體等耗電量高的應用時獲得更長的續航時間。 來源：快科技

快科技2月28日消息，美光英睿達DDR5 Pro內存超頻版目前已經上架，首發849元。 據介紹，新款內存的速度高達6000MT/，採用鋁制散熱器，折紙工藝設計，造型時尚炫酷。 同時，官方對時序進行了調優超頻：標准Pro系列DDR5-6000內存的時序為CL48-48-48，而超頻版本為CL36-38-38 (-80)，內存電壓也由1.1V提升至1.35V。 此外，其嚴選美光原廠顆粒，在組件級採用顆粒上ECC(ODECC)設計，即使面對未來下一代計算機的嚴格要求也能夠保持穩定和可靠。 美光表示，Pro內存超頻版比原版降低了25%延遲，並宣稱其可在1080p和1440p解析度下提升《賽博朋克2077》《彩虹六號：圍攻》等內存密集型遊戲的運行幀率。 來源：快科技

美光在2022年改變了消費市場的銷售策略，選擇將重點放在英睿達品牌上，結束了Ballistix/鉑勝品牌內存的生產和銷售。不過美光並沒有放棄自有品牌內存，2023年就推出了英睿達品牌的Pro系列內存，涵蓋了DDR4和DDR5產品，進一步拓展了產品線。 到了2024年，美光在英睿達Pro系列上帶來了超頻版（Crucial DDR5 Pro Memory：Overclocking Editio）產品，首款產品來自DDR5-6000 32GB（16GB x2）套裝。目前新產品已登陸電商平台，並開啟了預售，顯示預售價為899元，定金50元，聯系客服有驚喜，京東地址：點此前往>>> 該款產品在外觀上也延續了之前的設計，配備了黑色的鋁制散熱模塊，採用折紙工藝設計，有著時尚酷炫的造型，同時PCB為黑色，而且沒有RGB燈效，這與之前基本款的Classic系列是一樣的。這次提供的超頻版32GB套裝（16GB x2）有著更低的時序，為CL36-38-38-80，運行電壓為1.35V，同時支持Intel 3.0和AMD EXPO技術。 美光稱，超頻版比起同樣是DDR5-6000的標准版降低了25%的延遲，可以進一步提高1080P和1440P解析度下內存密集型遊戲的運行幀率，比如《賽博朋克2077》和《彩虹六號：圍攻》等。按照美光的說法，接下來超頻版還會有48GB套裝（24GB x2）可選。 ...

美光去年推出了其首個UFS 4.0移動存儲解決方案，稱可以為智慧型手機提供業界最強性能，包括快速啟動、應用程式啟動和視頻下載，並在下半年開始批量生產。這是其首個基於232層3D TLC NAND快閃記憶體的移動解決方案，也是世界首個使用六平面NAND架構的UFS 4.0存儲產品。 今天美光宣布，開始送樣增強版UFS 4.0移動解決方案，不但具有突破性專有固件功能，並採用業界領先的緊湊型UFS封裝（9 x 13 mm），同樣基於232層3D TLC NAND快閃記憶體技術。尺寸更小巧的UFS 4.0為下一代折疊及超薄智慧型手機設計帶來了更多可能性，製造商可利用節省出來的空間放置更大容量的電池，加上能效提升了25%，讓用戶在運行AI、AR、遊戲和多媒體等耗電量高的應用時獲得更長的續航時間。 增強版UFS 4.0移動解決方案提供了三種容量可選，分別為256GB、512GB和1TB，提供了最高4300 MB/s的順序讀取速度和最高4000 MB/s的順序寫入速度。此外，美光還提供多項專有固件更新功能，包括高性能模式（HPM）、一鍵刷新（OBR）和分區UFS（ZUFS）。 美光表示，其卓越性能和端到端技術創新將助力旗艦智慧型手機實現更快的響應速度和更靈敏的操作。相比前一代產品，新的增強版UFS 4.0移動解決方案性能提升一倍，為數據密集型應用帶來了更出色的優化使用，用戶能更快地啟動常用的生產力、創意和新興AI應用。其中在生成式AI應用中的大語言模型加載速度可提高40%，為用戶與AI數字助手的對話提供更流暢的使用體驗。 ...

快科技2月27日消息，美光宣布開始量產HBM3E高帶寬內存。美光稱，其HBM3E的功耗將比競爭對手的產品低30％。 據悉，美光的HBM3E將應用於英偉達下一代AI晶片H200 Tensor Core GPU。之前英偉達的HBM由SK海力士獨家供應，如今美光、三星都將加入。 HBM（High Bandwidth Memory）即高帶寬存儲器，屬於圖形DDR內存的一種，通過使用先進的封裝方法（如TSV矽通孔技術）垂直堆疊多個DRAM，與GPU通過中介層互聯封裝在一起。 HBM的優點在於打破了內存帶寬及功耗瓶頸。CPU處理的任務類型更多，且更具隨機性，對速率及延遲更為敏感，HBM特性更適合搭配GPU進行密集數據的處理運算，英偉達新一代AI晶片，均搭載HBM內存。 HBM產品問世至今，HBM技術已經發展至第四代，分別為HBM、HBM2、HBM2E、HBM3，第五代HBM3E目前已量產，HBM被認為是人工智慧時代的新一代DRAM。 來源：快科技

美光宣布，已開始批量生產HBM3E，將用於英偉達H200，該GPU計劃在2024年第二季度開始發貨。美光表示，這一里程碑讓其處於業界的最前沿，以行業領先的HBM3E性能和能效為人工智慧（AI）解決方案提供支持。 早在去年7月，美光就宣布推出業界首款帶寬超過1.2TB/s、引腳速度超過9.2GB/s、8層垂直堆疊的24GB容量HBM3E，採用了其1β（1-beta）工藝製造，性能相比目前出貨的HBM3解決方案提高了50%。據介紹，美光HBM3E產品的每瓦性能是前幾代產品的2.5倍，為人工智慧數據中心的性能、容量和功率效率等關鍵指標創造了新的記錄，可以減少GPT-4等大型語言模型的訓練時間，並提供了卓越的總擁有成本（TCO）。美光稱，其HBM3E的功耗比競爭對手SK海力士和三星的同類產品低了30%。 美光還准備了12層垂直堆疊的36GB容量HBM3E，在給定的堆棧高度下，提供的容量增加了50%，隨著技術的進步，美光將矽通孔（TSV）增加了一倍，金屬密度增加了五倍，從而降低了熱阻抗，加上節能的數據路徑設計，因此讓能效得以提高。 下個月英偉達的GTC 2024上，美光將會帶來36GB容量HBM3E，並分析更多的產品信息。 ...

隨著生成式人工智慧（AI）市場的爆發，也帶動了AI晶片需求的暴漲。AI晶片龍頭英偉達業績更是持續飆升，最新公布的第四財季財報顯示，營收同比暴漲265%至221億美元，淨利潤同比暴漲769%至122.85億美元，持續突破歷史記錄，推動英偉達市值突破2萬億美元。 隨著AI晶片需求持續大漲，作為目前AI晶片當中的極為關鍵的器件，HBM（高帶寬內存）也是持續供不應求。繼此前美光宣布今年HBM產能全部售罄之後，最新的消息顯示，SK海力士今年的HBM產能也已經全部售罄。 SK海力士、美光今年HBM已全部售罄 雖然整個2023年全球半導體市場遭遇了“寒流”，特別是存儲晶片市場更是下滑嚴重。但是，受益於生成式AI帶來的需求，面向AI應用的DRAM依然保持了快速的增長。 SK海力士在2023年度財報當中就曾表示，2023年在DRAM方面，公司以引領市場的技術實力積極應對了客戶需求，公司主力產品DDR5 DRAM和HBM3的營收較2022年分別成長4倍和5倍以上。 近日，SK海力士副總裁Kim Ki-tae（金基泰）在一篇博文中表示，雖然2024年才剛開始，但今年SK海力士旗下的HBM已經全部售罄。同時，公司為了保持市場領先地位，已開始為2025年預作準備。 金基泰解釋稱，雖然外部的不穩定因素仍在，但今年內存市場有望逐漸加溫。其中原因包括，全球大型科技客戶的產品需求恢復。此外，PC、智慧型手機等設備對於的AI應用，不僅會提升HBM3E銷量，DDR5、LPDDR5T等產品需求也有望增加。 值得一提的是，在去年12月底財報會議上上，美光CEO Sanjay Mehrotra對外透露，得益於生成式AI的火爆，推動了雲端高性能AI晶片對於高帶寬內存（HBM）的旺盛需求，美光2024年的HBM產能預計已全部售罄。其中，2024年初量產的HBM3E有望於2024會計年度創造數億美元的營收。 技術優先，HBM4將成未來競爭焦點 “隨著生成式AI服務的多樣化和進步，對AI內存解決方案HBM的需求也呈爆炸式增長。HBM 以其高性能和高容量的特性，是一款具有里程碑意義的產品，它動搖了存儲半導體只是整個系統的一部分的傳統觀念。尤其是SK海力士HBM的競爭力尤為突出。”金基泰說到。 金基泰強調，HBM的銷售競爭力也是基於“技術”。這是因為，為了及時應對AI內存需求快速增長的市場形勢，首先確保客戶所需的規格最為重要。其次，察覺市場變化並提前做好准備也很有效。 HBM（高帶寬內存）：一種高價值、高性能產品，通過通過矽通孔（TSV）連接多個 DRAM 晶片，創新性地提高了數據處理速度。HBM已發展到第1代（HBM）、第2代（HBM2）、第3代（HBM2E）、第4代（HBM3），目前已發展到第5代（HBM3E）。HBM3E是HBM3的擴展版本。 此前SK海力士就曾對外宣布，該公司的HBM3E將在今年上半年發布。最新的報導也顯示，SK海力士於1月中旬正式結束了HBM3E高帶寬內存的開發工作，並且順利完成了英偉達（NVIDIA）歷時半年的性能評價，計劃於今年3月開始大規模生產HBM3E，並在4月針對英偉達供應首批產品。相比之下，其競爭對手三星電子和美光雖然很早也向英偉達提供了HBM3E樣品，但它們要到3月份才會開始最終的產品品質認證測試。 據了解，SK海力士的HBM3e在 1024 位接口上擁有9.6 GT/ 的數據傳輸速率，單個 HBM3E 內存堆棧可提供 1.2 TB/ 的理論峰值帶寬，對於由六個堆棧組成的內存子系統來說，帶寬可高達 7.2 TB/。 隨著人工智慧和高性能計算（HPC）行業的需求持續增長，因此具有2048位接口的下一代HBM4內存成為各家內存大廠發力的重點。SK海力士認為，HBM4將推動人工智慧市場的巨大增長。 據了解，下一代的HBM4 將使用 2048 位接口，可以將每個堆棧的理論峰值內存帶寬提高到 1.5 TB/...

快科技2月21日消息，今天，美光宣布推出兩款全新Crucial英睿達Pro系列產品，包括Crucial 英睿達DDR5 Pro內存：超頻版和Crucial英睿達T705 Gen5固態硬碟。 T705固態硬碟採用了美光232層TLC NAND，可充分釋放Gen5性能潛力，順序讀取和寫入速度分別高達14500MB/和12700MB/（1550K/1800K IOPS隨機讀取和寫入速度）。 如此高的速度，可輕松應對遊戲、視頻編輯、3D渲染和繁重工作負載的AI應用程式處理。 該硬碟容量為4TB，有散熱器和無散熱器兩個版本，可向下兼容Gen3和Gen4主板，兼容最新Intel Core第13代、第14代CPU和 AMD Ryzen 7000 CPU。 Crucial英睿達DDR5 Pro內存：超頻版目前提供有16GB版本，速度高達6000MT/，時序為36-38-38-80。 同時這些DDR5超頻DRAM模塊可兼容新的DDR5 Intel和AMD CPU，所有模塊均支持Intel XMP 3.0和AMD EXPO，讓用戶無需考慮兼容性問題。 美光表示，藉助DDR5 Pro內存：超頻版和 T705 固態硬碟，發燒友、遊戲玩家和專業人士能夠以更快的速度、帶寬和性能，充分發揮 AI-PC 的實力，處理、渲染和存儲大量 AI 生成的內容。 此外，本年稍晚些時候還將推出24GB版本的超頻內存，限量版2TB白色散熱器版本T705固態硬碟也將在3月12日推出。 來源：快科技

美光宣布，帶來兩款英睿達品牌的存儲新品，分別是單條容量為16GB的Crucial Pro系列DDR5-6000內存，另外還有T705 PCIe 5.0 SSD。前者之前已經推出了單條容量為24GB的產品，後者也被曝光過。 Crucial Pro系列內存分為DDR4和DDR5產品，均配備了黑色的散熱模塊，沒有RGB燈效，不過前者為綠色PCB，後者為黑色PCB，這與之前基本款的Classic系列是一樣的。近期美光更新了Pro系列產品線後，帶來了頻率更高的DDR5-6000內存，這次提供的是32GB套裝（16GB x2），外觀上也延續了之前的設計，還分為普遍款和超頻款，後者的時序更低，為CL36-38-38-80，運行電壓為1.35V。 T705 PCIe 5.0 SSD比起之前的T700系列還要更快一些，搭載了美光自家的232層TLC NAND快閃記憶體，最高連續讀取和連續寫入速度分別達到了14500 MB/s和12700 MB/s，最高4K隨機讀取/寫入分別為1550K IOPS和1800K IOPS，提供了1TB、2TB和4TB容量可選。之前有消息稱，新款SSD可能採用了群聯電子最新的E26 Max14um主控晶片，這是E26的改進款。 T705 PCIe 5.0 SSD有裸條和帶散熱器的版本可選，除了傳統的黑色款，另外還有限定版白色款。 美光表示，新款Crucial Pro系列DDR5-6000內存將會在2024年2月27日上市，提供終身保修，而T705 PCIe 5.0 SSD則會在2024年3月12日通過指定零售商和全球渠道合作夥伴銷售，提供五年保修。 ...

快科技2月6日消息，PCIe 5.0 SSD不斷成熟，讀寫速度越來越快，尤其是隨機讀取最初只有10GB/左右，後來升級到12GB/左右，如今終於開始突破14GB/，越來越接近PCIe 5.0 x4通道的極限。 美光旗下英睿達正在准備新款T705系列，再次創造14.5GB/的新紀錄。 英睿達T705採用美光的B58R FortisFlash TLC快閃記憶體，容量有1TB、2TB、4TB四種規格。 2TB的性能反而是最好的，順序讀寫最高分別可達14.5GB/、12.7GB/，都是迄今的最高紀錄，而隨機性能也能跑到155萬IOPS、180萬IOPS。 4TB的速度稍微慢一些，順序讀寫14.1GB/、12.4GB/，隨機讀取為150萬IOPS。 1TB就慢了不少，但也大大領先已有產品，順序讀寫分別為13.6GB/、10.2GB/，隨機讀寫分別為140萬IOPS、175萬IOPS。 截至目前，能夠基本滿血的PCIe 5.0 SSD還有： 微星Spatium M580 Forzr：14GB/、12GB/ 十銓T-Force GE PRO：14GB/、11.8GB/ Sabrent Rocket 5：14GB/、12GB/ 英睿達T705可選有無散熱片兩種規格，其中帶散熱片的也沒有使用風扇，並分為黑白兩種款式，白色的為限量版。 確切的發布時間和價格暫時不詳。 來源：快科技

快科技1月10日消息，美光推出業界首款標准低功耗壓縮附加內存模塊（LPCAMM2），容量從16GB到64GB不等。 據悉，目前LPCAMM2內存模塊已經出樣，並計劃在2024年上半年投產，這是自1997年推出SO-DIMM規格以來，客戶端PC首次引入顛覆性新外形尺寸。 新款LPCAMM2內存模塊可以支持的數據傳輸速率達9600 MT/，相較於DDR5 SO-DIMM的6400 MT/要高不少。盡管LPDDR5X在延遲方面不如DDR5，但可以利用更高的數據傳輸速率抵消。與焊接式LPDDR5X內存子系統相比，模塊化外形不會增加LPDDR5X內存的延遲。 官方表示，LPDDR5X DRAM集成到LPCAMM2外形中，與SO-DIMM產品相比，功耗降低了61%，PCMark 10基本工作負載（比如網頁瀏覽和視頻會議）的性能提高71%，節省了64%的空間。 在DDR5同等速度下，LPDDR5X每條64位總線的有效功耗降低了43%-58%，待機功耗降低了80%。與DDR5內存模塊一樣，LPCAMM2內存模塊也帶有電源管理IC和電壓調節電路，為模塊製造商降低產品功耗提供了更多途徑。 來源：快科技

美光宣布，推出業界首款標准低功耗壓縮附加內存模塊（LPCAMM2），容量從16GB到64GB不等，為PC提供更高的性能和能效、節約更多的空間、以及模塊化的設計。目前LPCAMM2內存模塊已經出樣，並計劃在2024年上半年投產，這是自1997年推出SO-DIMM規格以來，客戶端PC首次引入顛覆性新外形尺寸。 新款LPCAMM2內存模塊可以支持的數據傳輸速率達9,600 MT/s，遠高於DDR5 SO-DIMM的6,400 MT/s。盡管LPDDR5X在延遲方面不如DDR5，但可以利用更高的數據傳輸速率抵消。與焊接式LPDDR5X內存子系統相比，模塊化外形不會增加LPDDR5X內存的延遲。 美光表示，將LPDDR5X DRAM集成到LPCAMM2外形中，與SO-DIMM產品相比，功耗降低了61%，PCMark 10基本工作負載（比如網頁瀏覽和視頻會議）的性能提高71%，節省了64%的空間。與DDR5同等速度下，LPDDR5X每條64位總線的有效功耗降低了43%-58%，待機功耗降低了80%。與DDR5內存模塊一樣，LPCAMM2內存模塊也帶有電源管理IC和電壓調節電路，為模塊製造商降低產品功耗提供了更多途徑。 去年12月，JEDEC宣布，Dell的CAMM正式成為了JEDEC標准規范，被命名為「CAMM2」，未來將取代SO-DIMM內存模塊。CAMM2有兩種設計，除了常規的DDR5，還能用於LPDDR5(X)。其實三星在去年9月，就推出了基於LPDDR設計的LPCAMM內存模塊，不過當時JEDEC尚未確立最終的規范標准。 ...

快科技1月1日消息，韓國Chosun Biz近日報導，NVIDIA已經向SK海力士、鎂光，交付了700億至1萬億韓元（約合5.4億至7.7億美元）的預付款，業內預計了這筆款項在10.8億美元到15.4億美元之間。 雖然沒有說明具體用途，但業界普遍認為，NVIDIA是為了確保2024年HBM供應穩定，避免新一代AI、HPC GPU因為發布後庫存不足而掉鏈子。 業內人士還透露，三星電子、SK 海力士、美光三大存儲公司明年的HBM產能已完全售罄。 根據現有爆料信息，英偉達正准備推出兩款配備HBM3E內存的產品：配備141GB HBM3E的H200 GPU、以及GH200超級晶片，這倆產品相當時受歡迎。 畢竟在NVIDIA在AI、HPC領域遙遙領先，這也是為什麼需要大量HBM內存，來確保H200 GPU、以及GH200超級晶片的產品供應。 來源：快科技

目前英偉達為人工智慧（AI）和高性能計算（HPC）應用銷售的晶片比業內其他企業都要多，如果想保持這種狀態，就需要穩定的供應。這也是為什麼過去幾年裡，英偉達向台積電（TSMC）支付了一大筆錢，預訂晶片和封裝產能。隨著高端計算卡的熱銷，英偉達對HBM類產品的需求也在增大，同樣要確保穩定的供應。 據Chosun Biz報導，英偉達已經向SK海力士和美光分別支付了約合5.4億至7.7億美元的預付款，供應下一代HBM3E，也就是說總價值大概在10.8億到15.4億美元之間。業內普遍猜測，英偉達是為了保證2024年AI和HPC GPU的供應。 英偉達推出了兩款採用HBM3E的產品，分別是搭載H200和GH200，前者是數據中心GPU，後者是H200 GPU和Grace CPU的結合體。英偉達銷售的是成品的PCIe擴展卡和SXM模塊，不僅僅是GPU晶片，有必要購入HBM3E。由於這些新產品非常受歡迎，英偉達不得不加大了采購量，所以提前預付款項是必要的。 目前不少企業都想打造用於人工智慧和高性能計算的解決方案，導致HBM類產品的需求不斷增長。英偉達通過先發制人的方式，預付款項鎖定HBM3和HBM3E的供應，也是為了在2024年進一步鞏固其在不斷增長的人工智慧硬體市場的領導地位。 ...

美光公布了2024財年第一財季財報（截至2023年11月30日），季度營收為47.3億美元，相比於上個季度的40.1億美元有所增長，環比增長了17.9%，高於市場45.4億美元的預期，比起上一財年同期的40.9億美元，同比增長了15.6%；淨虧損約為12.3億美元，上一財年同期淨虧損為1.95億美元；每股攤薄虧損為1.12美元；運營現金流為14.4億美元，上個季度為2.49億美元，上一財年同期更是高達9.43億美元。 美光預計2024財年第一財季的營收在53億美元左右，上下浮動2億美元，高於49.9億美元的市場預期，每股攤薄虧損為0.45美元，上下浮動0.07美元，低於0.76美元的市場預期。美光認為，目前已度過了最低迷的時期，人工智慧（AI）的蓬勃發展也帶動了數據中心對存儲晶片的需求，很快會重新盈利。 美光總裁兼執行長Sanjay Mehrotra表示，強大的執行力和定價能力推動了2024財年第一財季的財務業績，最終超出了預期，預計業務在2024年會得到改善，針對人工智慧應用推出的高帶寬內存產品展示了美光的技術實力，目前已做好充分准備，抓住人工智慧各終端市場帶來的巨大機遇。 ...

快科技12月6日消息，近日，美光宣布推出面向OEM市場的3500 NVMe SSD系列，採用了E25主控和232層TLC顆粒，順序讀寫速度最高可達7000 MB/。 據介紹，美光3500 SSD可以為商業應用、科學計算、尖端遊戲和內容創作等要求苛刻的工作負載提供支持。 美光3500 SSD採用了M.2外形尺寸，提供512GB、1TB和2TB三種容量規格，在具有NVMe 2.0c的PCIe Gen4 x4接口上運行，支持行業標準的512位元組扇區大小。 在具體參數方面，美光3500 SSD的速度相比消費級的英睿達T500速度稍低，順序讀取速度 7000MB/，順序寫入速度7000MB/。 隨機讀取速度為1150k IOPS，隨機寫入速度為1150k IOPS，2TB總寫入量為1200TBW。 安全性方面，其提供了符合TCG/Pyrite2.02標準的非自加密驅動器（non-SED）和符合TCG/Opal2.01標準的自加密驅動器（SED）。 官方表示，對於遊戲玩家，美光3500 SSD可將加載大型遊戲（如《瓦羅蘭特》）的速度提升38%，而且還支持微軟DirectStorage技術，遊戲加載時間可進一步加快。 對於內容創作者而言，美光3500 SSD可以更快地加載和編輯原生4K和8K視頻等文件。 美光並未公布該SSD的具體價格，但已向部分PC OEM廠商發貨，或許很快就將在筆記本電腦上見到。 來源：快科技

據市場研究機構TrendForce的最新研究報告顯示，2023年第三季度全球DRAM產業合計營收達134.80億美元，環比增長約18.0%。下半年需求緩步回溫，買方重啟備貨動能，使各原廠營收皆有所成長。 展望第四季，原廠漲價態度明確，第四季DRAM合約價上漲約13%~18%；需求面回溫程度不如過往旺季。 整體而言，買方雖有備貨需求，但以目前來說，伺服器領域因庫存水位仍高，拉貨態度仍顯被動，第四季DRAM產業出貨增長幅度有限。 具體來說，第三季營收方面，三星、SK海力士、美光這三大原廠營收皆有成長，因AI需求增長，對高容量DRAM產品需求維持穩定，加上1alpha納米DDR5量產後量價齊升，帶動三星第三季DRAM營收季增幅度約15.9%，約52.50億美元。 SK海力士（SK Hynix）受益於HBM、DDR5產品品質相對穩定，出貨量連續三個季度增長，加上平均銷售單價季增約10%，營收約46.26億美元，季增幅達34.4%，是原廠成長最顯著業者，與三星市占率差距縮小至不到5%。 美光平均銷售單價小幅下跌，然因需求回溫，出貨量增加，支撐營收季增幅約4.2%，達30.75億美元。 產能規劃面，第三季末三星為有效減緩庫存壓力而擴大減產，主要針對庫存偏高的DDR4產品，第四季減產幅度擴大至30%，總投片量下滑，三星認為2024下半旺季需求將回溫，故投片量明年第二季開始提升。 SK海力士受益於HBM及DDR5出貨增長，產能小幅回升，投片量至今年底會小幅上升，搭配明年DDR5於終端滲透提升，預期總投片量將逐季上升。 美光因減產較早，庫存水位相對健康，第四季投片已開始回升，主要1beta納米先進位程增加，2024年投片量仍小幅上升，產能擴張重心落在製程轉進。 台系廠商方面，南亞科技（Nanya）出貨受益於PC客戶備貨需求及現貨市場帶動，出貨量成長17%~19%；南亞科技主流DDR3、DDR4產品需求相對疲乏，價格仍呈下滑走勢，限縮營收漲幅，最終營收僅達2.44億美元。 華邦電子（Winbond）定價策略較積極，為拓展DDR3業務，去化KH廠新增產能，議價彈性大，故出貨成長，第三季營收上升至1.12億。 力積電（PSMC）營收計算主要為自身生產消費級DRAM產品，不包含DRAM代工業務，受惠現貨價格上漲，使需求小幅上升，帶動DRAM營收季增4.4%，若加計代工營收則季減5.5%。 來源：快科技

幾天前，英偉達公布了2024財年第三財季（截至2023年10月29日）的財報，其中數據中心業務再次成為了亮點，收入為145.1億美元，遠遠高於去年同期的38億美元，也高於市場預期的127億美元，同比增長324%，環比增長38%。Omdia的統計數據顯示，英偉達在2023年第三季度大概售出了50萬塊A100和H100計算卡。 以往英偉達的支柱業務是遊戲業務和數據中心業務，不過後者現在在營收上遠遠拋開前者，顯然才是英偉達未來幾年的重點所在。目前英偉達的高性能計算卡需要大量HBM類晶片，為了更妥善且健全的供應鏈管理，英偉達規劃加入更多的供應商。據TrendForce的研究顯示，三星的HBM3（24GB）預計在今年12月在英偉達完成驗證。 根據TrendForce匯總的信息，美光已經在今年7月底提供了8層垂直堆疊的HBM3 Gen2（24GB）樣品，SK海力士隨後在8月中旬也提供了8層垂直堆疊的HBM3E（24GB）樣品，而三星則在10月初提供了8層垂直堆疊的HBM3E（24GB）樣品。 由於HBM驗證過程繁瑣，一般要耗時兩個季度，預計最快會在今年年底得到驗證結果，2024年第一季度三大廠商都將完成驗證。 值得注意的是，英偉達的驗證結果最終會影響2024年的采購權重分配，對各大廠商的訂單會有不小的影響。明年英偉達的計算卡產品線會更為細致化，將推出使用6顆HBM3E的H200以及8顆HBM3E的B100，並同步整合自家基於Arm架構的CPU與GPU的產品，帶來GH200以及GB200。 此外，HBM4也計劃在2026年推出。隨著客戶對運算效能要求的提升，HBM4在堆棧的層數上，除了要求現有的12層垂直堆疊，還會往16層垂直堆疊發展（計劃2027年推出），估計會帶動新堆棧方式hybrid bonding的需求。未來HBM還會往更為定製化的方向發展，不僅排列在SoC主晶片旁邊，部分還會轉向堆棧在SoC主晶片之上。 ...

近日，美光推出了基於單顆32Gb晶片的128GB DDR5-8000 RDIMM內存模塊。據TomsHardware報導，美光還公布了未來五年的產品路線圖，分享了對高性能、高容量存儲技術的展望，其中包括了一些過去未曾公開討論的技術。 美光希望未來幾年繼續在HBM和GDDR類內存上努力，此前已推出業界首款帶寬超過1.2 TB/s、引腳速度超過9.2 GB/s、8層垂直堆疊的24GB容量HBM3 Gen2，對應的應該就是路線圖上顯示的HBM3E。美光該款HBM3E將於2024年初到來，預計會在英偉達面向AI和HPC推出的新一代GPU上首次亮相。美光還在准備12層垂直堆疊的單品36GB HBM3E晶片，將會在2025年推出。 更大變化的將是HBM4，計劃在2026年發布，內存堆棧將採用2048位接口，帶寬超過1.5 TB/s。美光打算在2026年至2027年之間，推出容量在36GB至48GB、12/16層垂直堆疊的產品。到了2028年還會有HBM4E，頻率將進一步提升，容量將增加至48GB到64GB，帶寬增加至2 TB/s以上。 下一個GDDR版本，也就是GDDR7將會在2024年末到來，每個數據I/O接口的速率達到了32 Gbps，容量為16Gb至24Gb。預計到2026年末，單個晶片的容量會超過24Gb，速率也會提升至36 Gbps。 美光預計在2025年提供128GB至256GB的MCR DIMM內存模塊，數據傳輸速率為8800 MT/s，然後在2026年或2027年提供容量超過256GB的MCR DIMM內存模塊，數據傳輸速率會攀升至12800 MT/s。同時美光准備推出支持CXL 2.0的內存模塊，容量在128GB至256GB，帶寬將達到36 GB/s，接下來還有支持CXL 3.x的內存模塊，容量超過256GB，帶寬超過72 GB/s。 對於低功耗應用，業界將繼續使用LPDDR內存。美光速率為8533 MT/s或9600 MT/s的LPDDR5X將繼續使用一段時間，然後從2025年開始提供基於LPDDR設計的LPCAMM2內存，速率為8533 MT/s，容量在16GB至128GB，到了2026年中旬還會有速率為9600 MT/s、容量超過192GB的產品。 ...

繼今年六月份推出速率達到了4800MT/s的96GB大容量DDR5 RDIMM後，美光在近日公布了基於32Gb單片晶片的128GB DDR5 RDIMM內存，速率進一步提升至8000MT/s，以更好地滿足數據中心和雲環境中各種關鍵任務應用的性能需求，包括人工智慧(AI)、內存資料庫(IMBD)以及各種需要多核多線程計數的生產力場景。 該款128GB DDR5 RDIMM內存採用美光業界領先的1β（1-beta）技術，與競爭對手的3DS矽通孔（TSV）產品相比，具有以下提升點： 比特密度提高45%以上 能效提升高達24% 延遲最多降低16% AI訓練性能提升高達28% 同時，美光32Gb DDR5內存解決方案採用全新的晶片架構，以實現業界領先的陣列效率和最密集的單片DRAM晶片。電壓域和刷新管理功能有助於優化電力輸送網絡，提供市場急需的能效表現。此外，美光還優化了晶片尺寸的長寬比，從而提高32Gb大容量DRAM晶片的製造效率。美光的128GB RDIMM計劃於2024年在開始推出4800MT/s、5600MT/s 和6400MT/s的型號，而8000MT/s的型號會稍後一段時間。 AMD和Intel的高管都對美光新款DDR5 RDIMM內存表現出濃厚興趣，並納入了下一代伺服器平台的合作規劃當中。 ...

快科技11月9日消息，美光宣布推出單條容量128GB的新一代DDR5內存，同時將頻率做到了8000MHz，可謂又大又快，將於2024年投入量產。 當然，這不是消費級UDIMM內存，而是面向伺服器的RIDMM內存。 它基於單顆容量32Gb(4GB)的新型DDR5顆粒，容量密度增加45％。 如果使用雙芯封裝和TFF加高模組，很快就可以做到單條1TB。 製造工藝是成熟的1β，號稱能效比競品的3DS TSV矽穿孔方案高出最多24％。 通過利用先進的CMOS工藝，以及陣列效率的不斷改進，美光每過三年就會將內存密度翻一番，未來將繼續向48Gb(6GB)、64Gb(8GB)邁進。 預計到2026年，美光將推出單條256GB甚至更大容量的MRDIMM，頻率也高達12800MHz。 來源：快科技

美光宣布，推出使用最新1β（1-beta）工藝節點生產的LPDDR5X內存，容量高達16GB，速率也達到了9.6 Gbps，相比前代產品的峰值帶寬提高了12%，同時提供了先進的省電功能。目前該款LPDDR5X已經開始交付樣品，將會與高通最新的第三代驍龍8移動平台搭配使用，為移動生態系統提供了在邊緣釋放生成式人工智慧（AI）所需的性能。 美光公司副總裁兼移動事業部總經理Mark Montierth表示：「通過為旗艦智慧型手機提供強大的大型語言模型，生成式人工智慧將為智慧型手機用戶帶來前所未有的生產力、易用性和個性化。經過優化後，搭載第三代驍龍8移動平台的智慧型手機可以在本地運行強大的生成式人工智慧模型，從而解鎖新一代基於人工智慧的應用和功能。 啟用設備上的人工智慧還能提高網絡效率，降低能耗要求，減少成本更高的雲端解決方案的開銷。」 美光是在去年末推出了1β工藝節點，讓LPDDR5X提供了業界最先進的節能功能，比如增強的動態電壓等技術，可提供近30%的能效改進，並靈活地提供工作負載定製的功率和性能。美光稱，這些節能措施對於能源密集型、人工智慧驅動的應用尤其重要，使用戶能夠在延長電池壽命的同時獲得生成式人工智慧的好處。 ...

快科技10月17日消息，美光正式推出了7500系列SSD，主要面向數據中心存儲應用，包括了雲伺服器和企業伺服器，是全球目前唯一搭載200+層NAND快閃記憶體的主流數據中心SSD。 據悉，新款SSD改用了232層3D TLC NAND快閃記憶體晶片，具有低於1ms的服務質量（QoS）延遲，延遲時間也會更低，同時順序和隨機讀寫性能更高。 同時，其最大順序讀取速度可達7000 MB/，順序寫入速度可達5900 MB/，最大隨機讀取為1100K IOPS、最大隨機寫入為410K IOPS，表現略高於7450系列SSD。 此外，美光的232層3D TLC NAND快閃記憶體晶片採用了CuA架構，使用NAND的字符串堆疊技術，新技術可以大大減小NAND快閃記憶體的晶片尺寸，有助於降低成本。 不僅如此，美光7500系列SSD還是全球首款量產的六平面TLC NAND快閃記憶體，不但比其他同類TLC NAND快閃記憶體有著更多的平面，而且每個平面都具有獨立的讀取能力。高I/O速度、低讀寫延遲和六平面架構相結合，使其能夠提供一流的數據傳輸速度。 其他方面，美光7500系列SSD符合TCG Opan 2.01規范，得到了SPDM 1.2認證，採用了基於AES-256的硬體數據加密。 來源：快科技

美光宣布，推出7500系列SSD，相比之前的7450系列SSD，性能有所提升。新產品沿用了PCIe 4.0 x4接口，主要面向數據中心存儲應用，包括了雲伺服器和企業伺服器，是全球目前唯一一款搭載200+層NAND快閃記憶體的主流數據中心SSD。 7500系列SSD和7450系列SSD採用了相同的主控解決方案和平台，不過帶有新的固件，並改用了232層3D TLC NAND快閃記憶體晶片，具有低於1ms的服務質量（QoS）延遲，延遲時間也會更低，同時順序和隨機讀寫性能更高。其最大順序讀取速度可達7000 MB/s，順序寫入速度可達5900 MB/s，最大隨機讀取為1100K IOPS、最大隨機寫入為410K IOPS，表現略高於7450系列SSD。 美光的232層3D TLC NAND快閃記憶體晶片採用了CuA架構，使用NAND的字符串堆疊技術，新技術可以大大減小NAND快閃記憶體的晶片尺寸，有助於降低成本。其引入了業界最快的I/O速度，達到了2.4 GB/s，比176層的NAND快閃記憶體高出50%，同時寫入帶寬提升100%，讀取帶寬提升75%。同時還是全球首款量產的六平面TLC NAND快閃記憶體，不但比其他同類TLC NAND快閃記憶體有著更多的平面，而且每個平面都具有獨立的讀取能力。高I/O速度、低讀寫延遲和六平面架構相結合，使其能夠提供一流的數據傳輸速度。 7500系列屬於U.3/U.2 SSD，15mm厚度的規格，這是最近伺服器存儲設備流行的尺寸，提供的容量大小從800GB至15.36TB，寫入壽命為3 DWPD。此外，7500系列SSD符合TCG Opan 2.01規范，得到了SPDM 1.2認證，採用了基於AES-256的硬體數據加密。 ...