一、前言：一個時代的到來
從SDR SDRAM時代開始，一路走過DDR、DDR2、DDR3、DDR4，記憶體的每一次升級換代，都會點燃玩家的DIY熱情。
如今，DDR4記憶體經歷了6年的歲月之後，11月4日，Intel第12代酷睿搭配著DDR5同時上市，DDR5記憶體的時代也終於來臨了。
相比DDR4記憶體，DDR5記憶體最大的提升在於頻率。早期的DDR4記憶體只有2133MHz，而初代DDR5記憶體的起步頻率就達到了4800MHz，像芝奇、美光等廠商也早早地發布了6400MHz甚至6600MHz這樣的高頻DDR5記憶體。
相比DDR4記憶體的3600MHz最佳工作頻率，DDR5記憶體在頻率和帶寬方面有幾近翻倍的提升。
在頻率大幅度提升的同時，DDR5將運行電壓從DDR4的1.2V降至1.1V，擁有更低的功耗，所以我們可以看到市面上很多DDR5 4800MHz記憶體甚至都沒有散熱馬甲，這在DDR4時代是不可想像的。
不過，低電壓也是一把雙刃劍，在降低了記憶體功耗的同時，也使得DDR5記憶體必須要更高的時序才能穩定運行。
高時序直接導致了DDR5記憶體的延遲要遠高於DDR4，最終的結果是初代DDR5 4800MHz記憶體的性能相比DDR4 3600竟然完全沒有任何優勢。
當然，事情並沒有這麼簡單，DDR5可以有很多種方法降低延遲。即便是初代DDR5 4800MHz記憶體，在延遲降低之後，也能徹底拉開與DDR4記憶體之間的性能差距。
近日我們收到了英睿達DDR5 4800MHz 32GB記憶體，這款記憶體採用了美光DDR5 DRAM IC，時序40-39-39-77 CR2，單條容量高達32GB，只需要2條就組成64GB容量。
現在，我們就用這款記憶體向大家展示如何更好地發揮DDR5性能！
二、圖賞：單條32GB + 美光原廠顆粒
很簡單的塑封包裝盒。
記憶體單顆容量為32GB，我們收到的是套條，總容量64GB。
開啟XMP之後，記憶體頻率為4800MHz，時序40-39-39-77，電壓1.1V。
雙面記憶體，也就是2面都有記憶體顆粒。
記憶體正面的貼紙上有條形碼、產品序列號，以及記憶體的規格等信息。
記憶體的正反面各有8顆美光的DDR5 DRAM IC。
美光的DDR5 DRAM IC，顆粒編號為ISA45 D8BNJ。
PMIC集成式電源管理晶片，這個只有DDR5記憶體才有。
三、性能測試：穩定超頻到5400C40 遊戲幀率提升2.5%
測試平台如下：
CPU-Z可以檢測出絕大部分參數，型號是32G48C40US.M16A1，在這里還能看到序列號信息，記憶體的生產日期是2021年第40周。
記憶體內置了3組XMP參數，一般選在BIOS選擇4800MHz 40-39-39-77就行了，剩下2組頻率太低。
1、帶寬測試：Ring頻率對延遲的影響
在默認4800MHz C40頻率下，Ring頻率為3600MHz，記憶體的讀取、寫入和復制帶寬分別為：74172MB/、70607MB/、72124MB/。記憶體的延遲則為85.3ns，三級緩存的延遲達到了20.9ns。
在同樣的4800MHz C40頻率下，將Ring頻率設置為4300MHz的時候，記憶體的讀寫帶寬並沒有太大變化，但是延遲卻從85.3ns降到了81.5ns，降低了將近5%。
同樣的，三級緩存延遲也從20.9ns降到了17.8ns。
2、超頻測試
超頻測試在4300MHz Ring頻率、Gear 2記憶體模式下進行，首先是在1.1V的電壓下，將記憶體頻率直接設置為5200MHz，時序不變。
此時記憶體的讀取、寫入和復制帶寬分別為：82015MB/、77242MB/、78715MB/，記憶體延遲為76.9ns。
可以看到各項數據較4800MHz時有幅度不小的提升，特別是記憶體延遲從81.5ns降到了76.9ns，再次降低了5%以上。
保持Ring頻率為4300MHz，再記憶體電壓提升到1.2V，頻率提升到5400MHz，時序依然為40-39-39-77 CR2。
在5400MHz頻率下，記憶體的讀取、寫入和復制帶寬分別為：85139MB/、79991MB/、81255MB/，記憶體延遲為71.8ns。
此後我們將記憶體電壓提升到1.35V，記憶體頻率拉到5600MHz的時候，也能通過AIDA64記憶體緩存測試，但是在高負載下發熱明顯，摸上去十分燙手，因此就放棄了此項測試。
也建議大降不要將記憶體電壓和頻率超到1.35V@5600MHz的水準，畢竟這款記憶體沒有散熱馬甲，發熱不太好控制。
3、記憶體穩定性測試
使用MemtestPro 4.3測試超頻後的穩定性，一直運行了2個小時，進度達到了130%以上依然是0報錯。
這也證明了英睿達DDR5 4800MHz記憶體可以在1.2V的電壓下能穩定在5400MHz C40頻率下運行。
4、遊戲測試
分別對比DDR4 3600C16、DDR5 4800C40、DDR5 5400MHz的遊戲性能表現，DDR4記憶體為Gear 1記憶體模式，DDR5為Gear 2記憶體模式。
在遊戲性能方面DDR4 3600C16 Gear 1與DDR5 4800C40 Gear 2互有勝負，總體來說是同一水準。
不過在將記憶體超頻到5400MHz之後，延遲從原來的81.5ns爆降到71.8ns，記憶體帶寬也有大幅度提升。此時的遊戲性能大約提升了2.5%左右，領先DDR4 3600C16的幅度大概也是這個數字。
四、總結：DDR5記憶體會是未來
在12代酷睿發售之後，從各媒體解禁的評測來看，初代DDR5記憶體的表現可以說遠遠未達到玩家的預期。
最主要的原因就是為了控制功耗，DDR5記憶體的電壓從DDR4的1.2V進一步降低到了1.1V，而由於頻率大幅度提升，只能設置更高的時序來保證記憶體的穩定運行，這就導致了DDR5記憶體的延遲非常難看。
比如DDR4 3600C16在Gear 1記憶體模式下記憶體延遲在50ns左右，而DDR5 4800C40在Gear2記憶體模式下的延遲達到了80ns。過高的延遲抵消了記憶體帶寬的優勢，導致初代DDR5記憶體的遊戲幀率表現相比DDR4並沒有多少提升。
不過，在現有的條件下，降低DDR5記憶體延遲的方法也有很多。比如提升處理器Ring頻率、對DDR5記憶體進行超頻、手動降低記憶體時序，這些方法都能有效低降低DDR5記憶體的延遲。
根據我們的測試，DDR5記憶體在4800C40 Gear2模式下，當i9-12900K的Ring頻率為3600MHz時候，它的延遲為85.3ns。當Ring頻率提升到4300MHz時，延遲降到了81.5ns。
再次將記憶體頻率從4800MHz超頻到5400MHz的時候，記憶體延遲進一步降到了71.8ns，相比最初降低了足足13.5ns之多。
再來說說英睿達DDR5 4800MHz 32GB記憶體。我們都知道，單條32GB的記憶體超頻能力遠不如單條8GB和16GB的，但這款記憶體依然可以在1.2V的電壓下超頻到5400MHz，並且能通過MEMTEST 130%穩定性測試。
不過稍微有點可惜的是，由於記憶體沒有散熱馬甲，在更高的電壓和頻率下雖然也能運行，但是溫度會較為難以控制。我們也不建議大家在超頻時將記憶體的電壓超過1.2V，頻率超過5400MHz。
至於遊戲性能，DDR5 4800C40 Gear 2與DDR4 3600C16 Gear 1是同一水準，在超頻到5400MHz之後，遊戲性能可以會有全面的提升。我們也看過某些平台為了標新立異，表示DDR5 6000C40的遊戲性能還不如DDR4 3600C16，對此我們持保留意見。
另外，在遊戲之外的生產力方面，由於巨大的帶寬優勢，DDR5記憶體在很多領域是遠遠優於DDR4記憶體。比如我們常用的WINRAR、7-ZIP等壓縮解壓縮工具，或者是Adobe全家桶等等這些，DDR5記憶體的工作效率都要遠勝於DDR4記憶體。
另外，現在有不少廠商已經發布了6400MHz以及跟高頻率的DDR5記憶體，相信不需要等多久高頻DDR5時代就會來臨了。
來源：快科技
