近日台積電（TSMC）在IEEE國際電子元件會議（IEDM 2023）上再次強調，下一代的2nm製程節點會在2025年實現量產，將為旗下半導體工藝首次引入Gate-all-around FETs（GAAFET）電晶體技術。
據LTN報導，台積電將為台灣新竹科技園的2nm晶圓廠安裝設備，計劃2024年4月開始執行，這預示著台積電N2工藝項目的重大進展，屬於重要的里程碑。為晶圓廠安裝設備一般的周期為一年，會有多台來自ASML的極紫外（EUV）光刻工具，然後還需要時間驗證。由於台積電從未公布過2nm晶圓廠的時間表，外界只能從其他方面的蛛絲馬跡了解到其中的進展情況。
台積電為了站穩先進位程的領先位置，內部已組建了名為「One Team」的團隊，沖刺2nm製程節點的開發、試產和量產等工作，包括推動其位於台灣新竹寶山和高雄兩地晶圓廠的同步試產及2025年的量產。團隊里除了研發人員，還有前期負責生產的晶圓廠工程師。
此前有報導稱，台積電在台灣的北部（新竹寶山）、中部（台中中科）和南部（高雄楠梓）都有重大投資，興建2nm晶圓廠。其中位於新竹科技園寶山用地二期會興建Fab20晶圓廠，共規劃了四座12英寸晶圓廠（P1-P4），是新一代N2工藝的啟動點，將安排在2024年下半年進入風險性試產。
來源：超能網
