按照台積電（TSMC）的計劃，從2022年到2025年，將陸續推出N3、N3E、N3P、N3X等製程，後續還會有優化後的N3S製程，加上可以使用FINFLEX技術，可涵蓋智慧型手機、物聯網、車用晶片、HPC等不同平台的使用需求。台積電在N3製程節點仍使用FinFET電晶體，不過2025年量產的N2工藝將使用全新的Gate-all-around FETs（GAAFET）電晶體。
據相關媒體的報導，台積電正在做更長遠的准備，其N1工藝已處於早期規劃階段。第一個採用N1工藝的晶圓廠將建在台灣桃園的一個科學園區內，距離台北不到一小時車程。在同一個園區里，台積電已經有晶片封裝和測試設施，是一個籌建晶圓廠的合適地點，預計到2027年開始投入生產。據了解，台積電所謂的N1工藝最終可能是1.4nm的製程節點。
盡管全球經濟出現下滑趨勢，但台積電仍致力於推進半導體工藝的研發，並為此建造新的晶圓廠。台積電原計劃在本季度量產N3工藝，預計該製程節點在2023年將貢獻其總收入的4%到6%。台積電也很少透露N2工藝的情況，似乎電晶體結構和工藝進度都達到了預期。
台積電暫時還沒有證實任何細節，對相關報導進行回應。
來源：超能網
