按照台積電（TSMC）的計劃，在2022年至2025年期間，將陸續推出N3、N3E、N3P、N3X等工藝，後續還會有優化後的N3S工藝，加上可以使用FINFLEX技術，可涵蓋智慧型手機、物聯網、車用晶片、HPC等不同平台的使用需求。台積電在3nm製程節點仍使用FinFET電晶體，不過到了2nm製程節點，即2025年量產的N2工藝將啟用全新的Gate-all-around FETs（GAAFET）電晶體。
據相關媒體的報導，台積電已做出了戰略決策，開始為1nm級別的晶片生產鋪路，決定選址台灣桃園附近的龍潭科技園區，興建新的晶圓廠。該地點距離台積電總部所在的新竹科技園區不遠，將為當地創造數千個高薪工作崗位。
目前先進半導體工藝的生產設備相當昂貴，估計這間晶圓廠的投資金額大概在320億美元。相比之下，台積電現有採用3nm和5nm工藝生產的晶圓廠，投資金額約為200億美元，新晶圓廠有著不小的增幅。
台積電暫時只披露了N2工藝的計劃，接下來更為先進的製造技術會如何發展還不清楚，有業內人士估計，1nm級別的工藝可能要到2027年至2028年才能量產，很可能會用到ASML最為先進的High-NA EUV光刻系統，將提供0.55數值孔徑。由於1nm級別工藝的晶片無論設計還是製造成本都非常高，不要指望很多公司和晶片會採用。
來源：超能網
