近年來，人工智慧（AI）、高性能計算（HPC）和PC一直在推動高性能DRAM產品的研發，市場對HBM類DRAM的需求也在迅速增長，各大廠商也加大了這方面的投入。目前HBM市場主要由三星、SK海力士和美光三家存儲器製造商占有，根據統計機構的數據，SK海力士占據了50%的市場份額，三星以40%緊隨其後，剩下的10%屬於美光。
今天三星發表了一篇采訪文章，受訪對象是三星電子產品規劃辦公室高級副總裁Kim Kyung-ryun和三星電子HBM的DRAM開發辦公室高級副總裁Jae-Yoon Yoon，其中介紹了三星在HBM的開發情況。
三星再次重申了HBM4正在開發當中，將於2025年首次亮相。不過三星並沒有公布其HBM4的代號，之前的HBM3和HBM3E的代號分別是「Icebolt」和「Shinebolt」。目前三星提供的最頂級HBM產品是今年2月推出的12層堆疊HBM3E，擁有36GB容量，數據傳輸速率達到了9.8 Gbps，提供了高達1280GB/s的帶寬，比起之前的8層堆棧產品均提高了50%，是迄今為止帶寬和容量最高的HBM產品。
據三星介紹，隨著硬體的多功能性變得更加重要，HBM4在設計上也會針對不用的服務應用進行優化，計劃通過統一核心晶片、多樣化封裝和基礎晶片（比如8/12/16層堆疊）來應對。為了解決功耗牆的問題，首個創新將從使用邏輯工藝的基礎晶片開始，隨後是第二個創新，從當前2.5D HBM逐步發展到3D HBM，最後預計會出現第三次創新，比如HBM-PIM，也就是具備計算功能的記憶體半導體技術，這點之前三星已經有過介紹。
之前還有傳言稱，下一代HBM4在設計會有重大的變化，記憶體堆棧將採用2048位接口，三星還會引入針對高溫熱特性優化的非導電粘合膜（NCF）組裝技術和混合鍵合（HCB）技術。
來源：超能網
