西部數據和鎧俠宣布其BiCS5技術開發成功:3D NAND堆疊層數達到112層

西部數據和鎧俠(原東芝存儲)在1月30日宣布他們的NAND 3D堆疊技術——BiCS,成功開發出了第五代,即BiCS5。這代技術將會用於TLC和QLC的生產,相對於上代BiCS4,在存儲密度上面有明顯增加。

西部數據和鎧俠宣布其BiCS5技術開發成功:3D NAND堆疊層數達到112層

BiCS4是96層堆疊,新的BiCS5將堆疊層數提高到了112層,單純從層數上來看,密度會有16.67%的增長,不過西部數據宣稱他們在新一代3D堆疊式NAND上面採用了包括製程工藝改善在內的各種改進手段,最終使得單元密度有非常大的提升,單晶片的存儲容量能夠提高40%,而鎧俠方面則是稱存儲單元陣列的密度相對於上一代技術有20%的提升。

新一代BiCS技術帶來的不僅僅是存儲密度上的提升,還有性能方面的加強,西部數據稱BiCS5在I/O性能上會比BiCS4高出50%,另外,其讀寫延遲也會降低。在愷俠的路線圖上面,BiCS5對應著PCIe 4.0。

具體到產品上,鎧俠正准備於今年第一季度出樣512Gb的TLC顆粒,大規模量產的時間點則是放在今年下半年。另外,他們還准備了容量為1Tb的TLC顆粒和1.33Tb的QLC顆粒。其他幾家NAND的主要供應商或是正在開發1xx層數級別的堆疊技術,或是已經准備將這些技術用於量產了。但是遠水解不了近渴,目前SSD即將處於供需周期中的供不應求階段,我們已經看到了價格上漲的苗頭,而這些增加供應量的新技術還要等上一段時間才能夠起效。

來源:超能網