去年，SK海力士宣布已經完成了現有DRAM中最為微細化的1β (b) nm（第五代10nm級別）的技術研發，並進入了英特爾數據中心的存儲器產品兼容性驗證。其採用了HKMG（High-K Metal Gate）工藝，相比1αnm（第四代10nm級別）工藝的產品，功耗降低了20%。
據Business Korea報導，有業內人士透露，SK海力士正在准備第六代10nm級別的1cnm工藝的產品，已經制定了對應的客戶認證及生產計劃，打算在2024年第三季度量產，這將領先於競爭對手三星。相比於現在的1βnm工藝產品，1cnm工藝在同樣採用EUV光刻技術的情況下，每片晶圓可生產更多數量的晶片，並實現更高的功率效率。
SK海力士將加快英特爾數據中心的存儲器產品兼容性驗證步伐，以便1cnm DDR5 DRAM量產後能夠迅速進入市場，第一時間供應給亞馬遜和微軟等主要客戶。SK海力士去年正是把握了1βnmDDR5 DRAM搶先通過驗證及上市的機會，獲得了相當部分的數據中心DDR5記憶體產品的市場份額，一定程度上彌補了存儲器市場低迷造成的損失。
三星上個月在美國矽谷舉行的「Memcon2024」全球半導體大會上表示，計劃今年底量產1cnm DRAM產品，12月前獲得客戶驗證。
來源：超能網
