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今天SK海力士宣布，已開發出新一代移動端NAND快閃記憶體解決方案「ZUFS（Zoned UFS）4.0」。 SK海力士表示，繼HBM在內的超高性能DRAM後，也在NAND快閃記憶體解決方案領域引領面向AI的存儲器市場。ZUFS 4.0為新一代移動端NAND快閃記憶體解決方案產品，其產品實現業界最高性能並專為端側AI手機進行優化，與前一代產品相比，長期使用所導致的性能下降的情況會有大幅改善，從而延長了產品的使用壽命。 ZUFS按數據的各自特性來區分管理智慧型手機應用程式生成的數據。與現有UFS不分區域而混合存儲的方式不同，ZUFS可以對不同用途和使用頻率的數據進行分區（Zone）存儲，提高手機作業系統的運行速度和存儲設備的數據管理效率。SK海力士稱，與現有UFS相比，ZUFS在長期使用環境下手機應用程式的運行時間會有45%的改善，且存儲讀寫性能下降方面帶來了4倍以的改善效果，產品的使用壽命也相應地得到了約40%的提升。 目前SK海力士已向客戶提供初期試用品，還與客戶協作開發出符合JEDEC標準的4.0產品，並計劃今年第三季度開始量產，搭載於全球手機製造商的端側AI手機。 ...

隨著3D NAND的堆疊層數越來越多，廠家門也在著手研究新的生產技術以改進效率，SK海力士就在評估東京電子最新的低溫蝕刻設備，該設備可以在-70℃的低溫下運行，用來生成400層以上堆疊的新型3D NAND。低溫蝕刻設備的鑽孔速度是傳統工具的三倍，對多層數的3D NAND非常有用。 根據thelec的消息，SK海力士正在把測試晶圓發送到東京電子的實驗室，而不直接進口設備，很明顯是在評估新設備的能力。當前的蝕刻工藝是在0℃到30℃的溫度范圍內工作的，而東京電子的蝕刻設備在-70℃低溫下運行，這形成了鮮明的對比，根據他們的論文數據，新的蝕刻機可以在33分鍾內進行10微米深的高深度比蝕刻，比現有工具快三倍以上，這一成果是一項重大的技術進步，而且大大提升了3D NAND的生產效率。 SK海力士現在的321層3D NAND據說採用了三重堆棧結構，採用東京電子的新設備後可能以單堆棧或雙堆棧的方式構建400層的3D NAND，生產效率明顯提高，當然這能否成功還得看設備的可靠性以及性能一致性。 此外SK海力士考慮應用低溫蝕刻設備的另一個原因是減少碳排放，現有的蝕刻工藝中，使用的是具有較高全球變暖潛能值(GWP)的碳氟化合氣體，如四氟化碳和八氟丙烷，其GWP分別為6030和9540，但東京電子新一代蝕刻設備使用的是GWP小與1的氟化氫氣體，這將大幅減少溫室氣體的排放。 同時三星也在驗證這一新技術，與SK海力士不同的是，三星是直接引進東京電子的新設備進行測試。 ...

據韓國媒體BusinessKorea近日報導，在人工智慧晶片對於高帶寬內存HBM需求的推動下，自2023年以來，第三代的HBM3的報價已經上漲超過5倍。 這對於英偉達等AI晶片大廠來說，所需的關鍵HBM價格大漲，勢必會影響其AI晶片的成本。 在此背景下，市場傳聞稱，英偉達似乎故意煽動三星電子、SK海力士彼此競爭，以便勢壓低HBM的價格。 4月25日，SK集團董事長崔泰源（Chey Tae-won）匆匆前往矽谷與英偉達CEO黃仁勛（Jensen Huang）會面，似乎跟這些策略有關。 雖然過去一個多月來，英偉達一直在測試三星領先業界開發出的12層堆疊的HBM3E，卻遲未下單采購。市場解讀，這是一種策略，目標是激勵三星與SK海力士進行價格競爭。 在最新的一季度財報會議上，三星表示，將繼續增加HBM供應，以滿足對生成人工智慧不斷增長的需求。本月，三星已經開始量產8層堆疊的HBM3E ，並計劃在第二季度量產12層堆疊的HBM3E產品。 SK海力士社長郭魯正（Kwak Noh-Jung）也在一季度財報會議上表示，2025年的AI晶片組用的HBM幾乎全數售罄，2024年的供應也已全部訂光。 他說，12層堆疊的HBM3E將在今年5月送樣，預計第三季開始量產。SK海力士正在與一些客戶就HBM的長期合同進行談判。 來源：快科技

快科技5月4日消息，SK海力士突然宣布了300TB容量的SSD，這在行業還是首次。 SK海力士在韓國首爾舉行的新聞發布會上透露，該公司正在開發容量前所未有的300TB固態硬碟。 在SK海力士看來，開發300TB的SSD很有必要，因為AI時代全球產生的數據總量將從2014年的15ZB增加到2030年的660ZB（ZB為澤它字節、2的70次方字節）。 如此龐大的數據量必須存儲在某個地方，而這就是100TB HDD和300TB SSD發揮作用的時候。 此外，SK海力士CEO還表示，由於AI爆發對先進存儲產品HBM的需求，公司按量產計劃2025年生產的HBM產品也基本售罄。 此前，公司對外宣布2024年HBM的產能已被客戶搶購一空。 公司預測，未來專門用於人工智慧的“超高速、高容量、低電力”存儲器需求將會暴增，目前像HBM和高容量DRAM模塊等面向AI的存儲器在2023年整個存儲市場的占比約為5%，預計到2028年可以達到61%。 來源：快科技

近日SK海力士（SK hynix）公布了截至2024年3月31日的2024財年第一季度財務報告，收入創歷史同期新高，營業利潤也創下了市況最佳的2018年以來同期第二高。SK海力士認為公司業績擺脫了長時間的低迷期，開始轉向了全面復蘇期，憑借旗下面向人工智慧（AI）的存儲器頂尖競爭力，業績將持續改善。 財報顯示，2024財年第一季度的收入為12.4296萬億韓元（約合90.32億美元/人民幣656.28億元），同比/環比增長114/10%；營業利潤為2.886萬億韓元（約合20.97億美元/人民幣152.38億元），同比扭虧為盈，環比增長734%；淨利潤為1.917萬億韓元（約合13.93億美元/人民幣101.03億元），同比和環比均實現了扭虧為盈。同時營業利潤率為23%，淨利潤率為15%。 展望未來，SK海力士認為面向AI的存儲器需求正在不斷增長，普通DRAM產品需求也將從下半年起有所恢復，因此今年半導體存儲器市場將呈現穩定的增長趨勢。由於HBM等高端產品與普通DRAM產品相比需要利用更大的產能，隨著前者產量增加，後者的供應將會相對減少。除了3月已經開始生產供應的HBM3E外，年內將推出1β (b) nm（第五代10nm級別）的32Gb DDR5 DRAM產品。 另外由於eSSD銷量增加及價格上升，NAND快閃記憶體成功實現扭虧為盈。SK海力士為了維持業績改善的趨勢，將推進產品優化工作，比如子公司Solidigm的四層單元（QLC）高容量eSSD產品為中心著重提高產品銷售。同時SK海力士還將通過適時推出用於AI PC的第五代PCIe cSSD，並以最佳產品線應對市場需求。 此外，SK海力士今年的投資規模與年初的原計劃相比會有所提升，以適應客戶需求的增長趨勢。 ...

今天SK海力士宣布，為應對用於人工智慧（AI）的半導體需求的大幅度增長，決定擴充人工智慧基礎設施的核心產品，即HBM等新一代DRAM的生產能力。SK海力士認為，提高以HBM為主的DRAM產能是其面臨的首要問題。 隨著人工智慧時代的到來，半導體業界認為DRAM市場進入了中長期增長時代。SK海力士預計HBM的年均增長率將達到60%以上，以面向伺服器的高容量DDR5模塊為主的普通DRAM產品需求也將持續增加。在此趨勢下，要想確保HBM產品的產量達到與普通DRAM相同的水平，則至少需要相對於普通DRAM至少兩倍以上的生產能力。 SK海力士的董事會已經通過決議，將建設在韓國忠清北道清州市的M15X定為新的DRAM生產基地，並決定投資約5.3萬億韓元（約合人民幣279.84億元）建設廠房。SK海力士打算加快新工廠的建設工程速度，將於本月末開工，計劃於2025年11月竣工並開始量產。在這段時間里，SK海力士將依次進行設備投資，計劃超過20萬億韓元（約合人民幣1056億元）進一步擴充產能。 此前SK海力士決定在位於韓國京畿道中部的龍仁市建設新的半導體生產園區，其中包括四座獨立的晶圓廠，目前正在做開工前的准備工作。該園區首座晶圓廠計劃在2027年完工，在此之前，清州M15X廠將承擔生產新一代DRAM產品的任務。 ...

近日，SK海力士宣布與台積電（TSMC）簽署了諒解備忘錄（MOU），雙方就下一代HBM產品生產和加強整合HBM與邏輯層的先進封裝技術密切合作。SK海力士計劃與台積電合作開發第六代HBM產品，也就是HBM4，預計在2026年投產。 據The Elec報導，SK海力士打算選擇台積電的7nm工藝，用於生產HBM4所需要的基礎裸片（Base Die），這是雙方針對搭載於HBM封裝內最底層的基礎裸片優化工作的一部分。HBM是將多個DRAM裸片（Core Die）堆疊在基礎裸片上，並通過矽通孔（TSV）技術進行垂直連接而成。基礎裸片也連接至GPU，起著對HBM進行控制的作用。 SK海力士包括HBM3E（第五代HBM產品）在內的HBM產品，都是基於自身製程工藝製造了基礎裸片，但HBM4選擇台積電的先進邏輯工藝，以便增加更多的功能。雙方還計劃將SK海力士的HBM產品和台積電的CoWoS技術融合，做進一步的協力優化工作，以應相關客戶對HBM產品的要求。 此外，SK海力士還計劃生產在性能和功效等方面更廣的滿足客戶需求的定製化（Customized）HBM產品。根據SK海力士的安排，2026年將實現HBM4的批量生產。 ...

在進入人工智慧（AI）時代後，兩大存儲器生產廠商三星和SK海力士的競爭不斷升級。雙方都在努力通過加快新產品的開發和批量生產，以搶奪市場先機，爭奪下一代人工智慧半導體市場的主導權。隨著英特爾的加入，全球半導體戰線正在擴大。 據Business Korea報導，近期三星和SK海力士都公布了下一代半導體計劃，問題的關鍵是：誰能首先將新產品推向市場？要知道SK海力士因為在HBM3上搶得先手，去年幾乎壟斷了英偉達HBM3訂單，在存儲器市場低迷時期以最快的速度扭轉了頹勢。 今年1月，SK海力士開始量產第五代HBM產品，也就是8層堆疊的HBM3E，使其在競爭中處於優勢位置。三星則計劃今年上半年，帶來8層堆疊的HBM3E。不過三星在12層堆疊的HBM3E上扳回一城，於今年2月率先宣布開發成功，暫時處於領先位置，並計劃今年晚些時候量產，並開始向英偉達供貨。反觀SK海力士，目前其12層堆疊的HBM3E剛剛向英偉達交付樣品，比起三星稍微落後了一些。 至於第六代HBM產品，即HBM4，三星和SK海力士的競爭就更激烈了。三星的HBM4計劃明年亮相，2026年開始進入批量生產，將提供8/12/16層堆疊的產品。SK海力士同樣計劃在2026年實現HBM4的批量生產，為此還與台積電（TSMC）展開合作，利用全球第一晶圓代工廠的先進技術。當然，三星也有自己的優勢，是唯一擁有完整生產、代工、封裝流程的半導體企業，具備為客戶提供可定製化HBM解決方案的能力。 三星和SK海力士的競爭還擴展到了DRAM領域，前者近期推出了速率為10.7 Gbps的LPDDR5X，超過了SK海力士去年速率為9.6 Gbps的LPDDR5T。三星還計劃今年底量產第六代10nm級別的DRAM，明年生產第七代10nm級別的DRAM。SK海力士則計劃在今年第三季度量產第六代10nm級別的DRAM，比三星要更早一些。去年SK海力士憑借更先進的工藝，以及更早取得英特爾新平台的驗證，通過新款DDR5內存獲得不少收益。 此外，隨著人工智慧應用的擴大，在存儲器上加入計算功能也是未來的發展方向之一，此前三星和SK海力士都已展示過相關的產品。 ...

SK海力士宣布，已經與台積電（TSMC）簽署了諒解備忘錄（MOU），雙方就下一代HBM產品生產和加強整合HBM與邏輯層的先進封裝技術密切合作。SK海力士計劃與台積電合作開發第六代HBM產品，也就是HBM4，預計在2026年投產。 SK海力士表示：「公司作為AI應用的存儲器領域的領先者，與全球頂級邏輯代工企業台積電攜手合作，將會繼續引領HBM技術創新。通過以構建IC設計廠、晶圓代工廠、存儲器廠三方技術合作的方式，公司將實現存儲器產品性能的新突破。」 據了解，SK海力士和台積電首先致力於針對搭載於HBM封裝內最底層的基礎裸片（Base Die）進行性能改善。HBM是將多個DRAM裸片（Core Die）堆疊在基礎裸片上，並通過矽通孔（TSV）技術進行垂直連接而成。基礎裸片也連接至GPU，起著對HBM進行控制的作用。 SK海力士包括HBM3E（第五代HBM產品）在內的HBM產品，都是基於公司自身製程工藝製造了基礎裸片，但HBM4開始會採用台積電的先進邏輯（Logic）工藝，以便增加更多的功能。SK海力士和台積電將協力優化SK海力士的HBM產品和台積電的CoWoS技術融合，以應相關客戶對HBM產品的要求。 此外，SK海力士還計劃生產在性能和功效等方面更廣的滿足客戶需求的定製化（Customized）HBM產品。 ...

隨著過去一年多里存儲器供應商的連續減產策略取得成效，存儲產品的價格正在反彈。上個月有報告稱，2024年第二季度DRAM和NAND快閃記憶體在價格方面都會延續過去多個月的增長趨勢，其中NAND快閃記憶體會表現得更為強勢，合約價將上漲約13~18%。此前西部數據已發出正式的客戶信函，通知其合作夥伴將上調NAND快閃記憶體和HDD產品的價格。 據Business Korea報導，三星和SK海力士將得益於SSD產品的價格持續上漲，NAND快閃記憶體業務有望在2024年第一季度再次實現盈利，結束連續虧損的局面。根據TrendForce上個月發布的2023年第四季度NAND快閃記憶體市場報告，顯示三星是市場占有率最高的廠商，達到了36.6%，其次是SK海力士的21.6%，第三名是西部數據的14.5%。 更值得關注的是，除了SSD，現在HDD的價格也在不斷上漲。雖然HDD比起SSD速度更慢、發熱量更高、噪音也更大，但是在相同容量下，價格會更便宜，而且發生故障時更容易恢復數據，在部分細分市場會更受歡迎。HDD的價格上漲說明了這次存儲產品的價格上漲，與整個下游產業鏈有密切的關系，同時人工智慧（AI）的蓬勃發展影響供需關系不僅僅是與計算相關的晶片。 與DRAM業務恢復的速度相比，三星和SK海力士的NAND快閃記憶體業務反彈的速度較慢，兩大巨頭都希望通過提高SSD產品的價格，以盡早讓整個存儲器業務恢復到盈利的狀態，為營收做出更大的貢獻。 ...

去年，SK海力士宣布已經完成了現有DRAM中最為微細化的1β (b) nm（第五代10nm級別）的技術研發，並進入了英特爾數據中心的存儲器產品兼容性驗證。其採用了HKMG（High-K Metal Gate）工藝，相比1αnm（第四代10nm級別）工藝的產品，功耗降低了20%。 據Business Korea報導，有業內人士透露，SK海力士正在准備第六代10nm級別的1cnm工藝的產品，已經制定了對應的客戶認證及生產計劃，打算在2024年第三季度量產，這將領先於競爭對手三星。相比於現在的1βnm工藝產品，1cnm工藝在同樣採用EUV光刻技術的情況下，每片晶圓可生產更多數量的晶片，並實現更高的功率效率。 SK海力士將加快英特爾數據中心的存儲器產品兼容性驗證步伐，以便1cnm DDR5 DRAM量產後能夠迅速進入市場，第一時間供應給亞馬遜和微軟等主要客戶。SK海力士去年正是把握了1βnmDDR5 DRAM搶先通過驗證及上市的機會，獲得了相當部分的數據中心DDR5內存產品的市場份額，一定程度上彌補了存儲器市場低迷造成的損失。 三星上個月在美國矽谷舉行的「Memcon2024」全球半導體大會上表示，計劃今年底量產1cnm DRAM產品，12月前獲得客戶驗證。 ...

快科技4月9日消息，4月3日清晨，，導致嚴重破壞，也對半導體行業造成了不小的沖擊，比如說DRAM內存恐怕要要面臨進一步漲價。 地震發生後，美光很快就暫停公布二季度的DRAM產品報價，SK海力士、三星也緊隨其後。 美光還宣布，將會對地震造成的產能、供應情況做進一步評估，然後再與客戶探討供應情況。 業內人士稱，如此強震發生後，晶圓廠一般都會暫停或暫緩至少部分產線，不可避免地會造成供應緊張。 事實上，在經歷前兩年的持續低價之後，DRAM內存原廠都在刻意控制產能，期望能盡快恢復價格，漲價趨勢在地震之前就已經很明顯。 ，DRAM內存晶片價格在今年第一季度的漲幅可達20％，二季度還將再漲3-8％，而今有了地震這個“機會”，原廠們自然不會輕易放過。 另一方面，內存模組廠商們目前的庫存水平普遍偏低，上游產能有限的情況下肯定會加大采購支出，伺服器廠商等下遊客戶也會趁機抓緊備貨，這些都會進一步導致價格被抬高。 此外，，第一季度整體漲了23-28％，第二季度預計還會再漲13-18％，相比內存更甚，反映到終端SSD市場上也是如此，部分產品甚至已經價格翻倍。 來源：快科技

SK海力士宣布，將在美國印第安納州西拉斐特建造適於人工智慧（AI）的存儲器先進封裝生產基地，同時與美國普渡大學等當地研究機構進行半導體研究和開發合作，計劃向該項目投資38.7億美元。在當地時間4月3日，SK海力士與印第安納州、普渡大學、美國政府有關人士在位於西拉斐特的普渡大學舉辦了投資簽約儀式活動。 自去年人工智慧市場快速發展後，HBM等超高性能存儲器的需求劇增，半導體先進封裝也變得更加重要。作為HBM市場上掌握主動權的廠商，SK海力士為了加強技術領導力，考慮到大量美國科技客戶的需求，決定在當地投資先進後端工藝領域，並尋找最合適的地點，並積極推進先進後端工藝方面的技術研究。 經過評估多處候選地點，SK海力士最終選擇在美國印第安納州為投資地。一方面是當地政府積極地招商引資政策，另一方面該地區擁有豐富的半導體生產所需的製造基礎設施，還有著以半導體等先進研究而聞名的普渡大學等科研學術單位。 此外，SK海力士還將推動在韓國的投資項目，以120萬億韓元建設的龍仁半導體集群目前正在進行用地在建工程，計劃明年3月開工建造首座工廠，並於2027年初完工。SK海力士還打算建造「迷你工廠」，這是為了驗證半導體材料、零部件、設備等，具備300毫米晶圓工藝設備的研究設施，以加強半導體生態系統建設。 ...

雖然去年存儲器市場行情低迷，相當部分廠商損失慘重，不過SK海力士卻把握住了伺服器市場更換DDR5內存及人工智慧（AI）爆發的機會，憑借針對性的產品線和市場策略，拿下了不少市場份額，迅速走出了低谷。此前有報導稱，SK海力士正謀求進一步發展，考慮在美國印第安納州興建晶圓廠及封裝設施，還將亞利桑那州作為備選地點。 據相關媒體報導，SK海力士計劃在美國印第安納州西拉斐特市投資40億美元，建造一座晶片封裝廠。預計新工廠將在2028年開始運營，並創造多達1000個工作崗位，此舉也將得到當地州政府以及聯邦政府的稅收減免支持。 SK海力士是英偉達HBM產品的主要供應商之一，包括HBM3和HBM3E等晶片，是AI GPU供應鏈中的關鍵組成部分。據了解，SK海力士在報告中提及政府可能提供的稅收優惠政策，認為這些支持對該項投資至關重要。SK海力士向媒體透露，該投資項目正在審查當中，尚未做出最終決定。 由於台積電（TSMC）在亞利桑那州正在興建兩座晶圓廠，加上SK海力士的新設施，那麼英偉達面向人工智慧應用的各類產品就能在本土完成更多的生產和封裝流程。 ...

作為全球最大的半導體企業之一，SK海力士最近乘著人工智慧（AI）和高性能計算（HPC）的東風，憑借旗下的HBM和DDR5產品，快速地走出了2023年存儲器市場消極萎靡的陰霾，並期待著有更大的發展。 據ComputerBase報導，SK海力士耗資至少120萬億韓元（約合907億美元），在位於韓國京畿道中部的龍仁市建設新的半導體生產園區，其中包括四座獨立的晶圓廠，目前正在做開工前的准備工作，已完成了三分之一。 SK海力士早在2019年就宣布了建造全球最大晶片生產設施的計劃，不過因各方面的原因延誤了，最終在2022年與韓國中央及地方政府達成協議，讓項目有了新的進展。SK海力士打算在2025年3月正式開工，首座晶圓廠將在2027年完工，整個園區預計在2046年完工。暫時還不清楚首座晶圓廠到底是生產DRAM還是NAND快閃記憶體晶片，考慮到目前人工智慧市場對於HBM產品的巨大需求，SK海力士產能吃緊，這很可能是選擇的方向。 據了解，四座晶圓廠將占據一半的園區，SK海力士還會在園區建造大量的配套支持設施，比如廢水處理廠。除了SK海力士外，三星也選擇了在附近建造類似的半導體生產園區，其中還有研發中心。 ...

前天我們報導了三星展示新一代GDDR7顯存，而作為內存巨頭的SK海力士也隨後展出了自家的GDDR7顯存。SK海力士的GDDR7顯存容量涵蓋16-24Gb，傳輸速度可達40Gbps，比三星所展出的GDDR7顯存快8Gbps，並且可以提供160GB/s的顯存帶寬。 而根據以上信息，不難算出未來SK海力士GDDR7的顯存規格： 除了上述信息外，SK海力士並沒有披露更詳細的信息，像運行電壓、功耗、顯存熱阻等信息都未知，只是籠統地介紹了GDDR7的一些標准特性。不過這次展示出來的顯存傳輸速度比早些時候披露的35.4Gbps快上不少，甚至比三星最快的37Gbps GDDR7顯存還要快3Gpbs，這很有可能會打擊三星在新顯卡供應鏈上的地位。 除了GDDR7顯存以外，SK海力士還展出了服務於移動端的LPDDR5T內存和DDR5 MCR DIMM伺服器內存，後者單條容量可達64GB，傳輸速度8800Mbps，運行電壓為1.1V。 ...

在英偉達GTC 2024大會期間，SK海力士以「Memory, The Power of AI（存儲器，人工智慧的驅動力）」為主題，展示了包括12層HBM3E、CXL（Compute Express Link）和PCIe 5.0 SSD在內的眾多產品。其中與普通玩家最為密切的，要數基於「PCB01」的消費端產品，型號為Platinum P51的高性能PCIe 5.0 SSD。 SK海力士表示，「PCB01」已從全球主要客戶處完成了對該產品性能和穩定性的驗證，計劃於上半年內完成開發，並在今年內面向大型客戶和普通消費者推出。其代號「Alistar」的主控晶片為SK海力士自研，搭配的是238層3D TLC NAND快閃記憶體，連續讀取速度可達到14GB/s，連續寫入速度為12GB/s，是目前行業最高速度的產品之一。 PCB01專為AI PC端優化設計，相較於上一代產品，速度提升了2倍，可在1秒內實現加載需要用於人工智慧學習和推理的大型語言模型（LLM）。同時PCB01的功耗效率比起上一代產品提升了30%，可有效管理大規模AI計算的功耗需求。此外，SK海力士的技術團隊還應用了SLC緩存技術，使部分NAND快閃記憶體存儲單元能夠以高速的SLC模式運行，僅迅速讀取和使用必要數據，以提高讀寫速度。 不過根據SK海力士提供的資料，Platinum P51的讀寫速度分別為13.5GB/s和11.5GB/s，比起PCB01略慢一些。Platinum P51將提供500GB、1TB和2TB產品，SK海力士暫時沒有給出具體上市時間以及定價的信息。 ...

近年來，人工智慧（AI）、高性能計算（HPC）和PC一直在推動著對先進工藝和封裝技術的發展，市場需求在迅速增長。特別是去年以ChatGPT為首的人工智慧工具在全球范圍內掀起了一股熱潮，對數據中心GPU的需求大幅度提高，使得各個晶圓代工廠和晶片製造商更加重視封裝技術方面的投入，同時還選擇進一步擴大封裝產能。 最近負責SK海力士研發工作的副總裁Lee Kang-Wook接受了媒體的采訪，表示SK海力士正在加大在先進晶片封裝方面的支出，打算在韓國投資10億美元建造先進封裝設施，以進一步擴大先進封裝產能，希望能夠抓住市場對高帶寬存儲器日益增長的需求帶來的機遇，同時鞏固SK海力士目前在HBM市場的領導地位。 Lee Kang-Wook認為，半導體行業前50年的重點一直在前端，也就是晶片的設計和製造，而接下來的50年的重心將移到後端，即封裝部分。雖然SK海力士每月公布今年的資本支出預算，但行業分析師做了評估，預計金額約為14萬億韓元（約合106.88億美元/人民幣768.6億元），其中大概十分之一用於先進封裝技術，比重並不算小。 Lee Kang-Wook曾在HBM2E上採用了開創性的封裝方法，是SK海力士在2019年底贏得英偉達訂單的關鍵。 ...

快科技3月7日消息，根據集邦咨詢的統計，2023年第四季度全球NAND快閃記憶體市場總營收達114.9億美元，環比大漲24.5％。 其中的一個關鍵原因，就是前幾年庫存居高不下之時，各大廠商紛紛大規模減產，終於把庫存拉了下來，快閃記憶體市場開始走俏，SSD的價格也開始不再那麼實惠。 當季，NAND快閃記憶體的合約價格平均飆升大漲約25％，其中三星的平均售價漲了12％，西部數據也漲了10％。 作為行業龍頭，三星的伺服器、筆記本、手機快閃記憶體業務全線看漲，已經供不應求，一個季度就入帳42億美元，環比暴漲44.8％，並占據整個市場的多達36.6％，收獲了5.2個百分點的份額。 SK海力士(包括Solidigm)也收入了24.8億美元，環比大增33.1％，份額上漲至21.6％。 西部數據、鎧俠分別小幅增加7.0％、8.0％，目前份額分別為14.5％、12.6％。 美光則是五大巨頭中唯一倒退的，因為減量供應，出貨量少了超過10％，導致收入微跌1.1％，份額已不足10％。 其他中小型廠商日子也不錯，合計收入大漲了32.3％。 集邦咨詢預計，2024年第一季度的NAND快閃記憶體行業收入還會再漲大約20％。 (表中的million都應該是billion) 來源：快科技

HBM產品被認為是人工智慧（AI）計算的支柱之一，近兩年行業發展迅速。在人工智慧（AI）和高性能計算（HPC）的影響下，推動著存儲器廠商的收入增長。作為英偉達高帶寬存儲器合作夥伴，SK海力士目前在HBM市場的處於領導地位，大量供應HBM3用於英偉達的各款人工智慧晶片。 據ZDNet報導，SK海力士上個月已經向英偉達發送了新款12層堆疊HBM3E樣品，以進行產品驗證測試。 HBM需要在基礎晶圓上通過矽通孔（TSV）連接多層DRAM，首批HBM3E產品均採用8層堆疊，容量為24GB，美光、SK海力士和三星分別在去年7月、8月和10月向英偉達發送了樣品。此前有消息稱，英偉達已經向SK海力士和美光分別支付了約合5.4億至7.7億美元的預付款，供應下一代HBM3E。 美光、SK海力士和三星都在推進12層堆疊HBM3E的開發，容量也將提升到36GB，其中需要解決一些器件特性和可靠性驗證問題。上個月三星宣布，已開發出業界首款12層堆疊HBM3E，提供了高達1280GB/s的帶寬，預計今年下半年開始大規模量產。不過目前看來SK海力士的進度也很快，傳聞還應用了新的工藝。 有業內人士稱，SK海力士提供的樣品屬於早期版本，主要是為了建立新產品的標准和特性，SK海力士稱其為「UTV（Universal Test Vehicle）」，預計這次產品驗證測試不會花太多的時間。隨著人工智慧晶片市場的快速增長，HBM產品的競爭也變得更加激烈。 ...

目前英偉達為人工智慧（AI）和高性能計算（HPC）應用銷售的晶片比業內其他企業都要多，這些高性能計算卡需要大量HBM類晶片，如果想保持這種狀態，就需要穩定的供應。為了更妥善且健全的供應鏈管理，同時為了保證下一代產品的供應，英偉達規劃加入更多的供應商，去年末三星、SK海力士和美光都參與到英偉達下一代AI GPU的資格測試中。 據DealSite報導，英偉達的資格測試似乎給HBM製造商帶來了困難，比起普通的內存產品，HBM類產品的良品率明顯較低，這一定程度上影響了供應。相比市場對於HBM類產品的巨大需求，目前存儲器製造商的產能有所不足，供應十分緊張，SK海力士和美光先後表示2024年HBM產能售罄。 HBM需要在基礎晶圓上通過矽通孔（TSV）連接多層DRAM，如果其中一層出問題就意味著整個HBM堆棧報廢。隨著堆疊層數的增加，良品率有可能會進一步降低。有消息人士稱，現階段HBM類產品的良品率約為65%，如果想要提高這一數字，產量就會下降。存儲器製造商之間的競爭就是在良品率和產量之間找到平衡，提供合適的解決方案。據了解，美光和SK海力士似乎在英偉達的資格測試中處於領先位置，其中前者已經通過了認證階段，開始為下一代H200產品生產HBM3E晶片。 目前SK海力士和三星都打算增加HBM類產品的產量，不過較低的良品率加上更高的需求，從長遠來看是個大問題。 ...

隨著生成式人工智慧（AI）市場的爆發，也帶動了AI晶片需求的暴漲。AI晶片龍頭英偉達業績更是持續飆升，最新公布的第四財季財報顯示，營收同比暴漲265%至221億美元，淨利潤同比暴漲769%至122.85億美元，持續突破歷史記錄，推動英偉達市值突破2萬億美元。 隨著AI晶片需求持續大漲，作為目前AI晶片當中的極為關鍵的器件，HBM（高帶寬內存）也是持續供不應求。繼此前美光宣布今年HBM產能全部售罄之後，最新的消息顯示，SK海力士今年的HBM產能也已經全部售罄。 SK海力士、美光今年HBM已全部售罄 雖然整個2023年全球半導體市場遭遇了“寒流”，特別是存儲晶片市場更是下滑嚴重。但是，受益於生成式AI帶來的需求，面向AI應用的DRAM依然保持了快速的增長。 SK海力士在2023年度財報當中就曾表示，2023年在DRAM方面，公司以引領市場的技術實力積極應對了客戶需求，公司主力產品DDR5 DRAM和HBM3的營收較2022年分別成長4倍和5倍以上。 近日，SK海力士副總裁Kim Ki-tae（金基泰）在一篇博文中表示，雖然2024年才剛開始，但今年SK海力士旗下的HBM已經全部售罄。同時，公司為了保持市場領先地位，已開始為2025年預作準備。 金基泰解釋稱，雖然外部的不穩定因素仍在，但今年內存市場有望逐漸加溫。其中原因包括，全球大型科技客戶的產品需求恢復。此外，PC、智慧型手機等設備對於的AI應用，不僅會提升HBM3E銷量，DDR5、LPDDR5T等產品需求也有望增加。 值得一提的是，在去年12月底財報會議上上，美光CEO Sanjay Mehrotra對外透露，得益於生成式AI的火爆，推動了雲端高性能AI晶片對於高帶寬內存（HBM）的旺盛需求，美光2024年的HBM產能預計已全部售罄。其中，2024年初量產的HBM3E有望於2024會計年度創造數億美元的營收。 技術優先，HBM4將成未來競爭焦點 “隨著生成式AI服務的多樣化和進步，對AI內存解決方案HBM的需求也呈爆炸式增長。HBM 以其高性能和高容量的特性，是一款具有里程碑意義的產品，它動搖了存儲半導體只是整個系統的一部分的傳統觀念。尤其是SK海力士HBM的競爭力尤為突出。”金基泰說到。 金基泰強調，HBM的銷售競爭力也是基於“技術”。這是因為，為了及時應對AI內存需求快速增長的市場形勢，首先確保客戶所需的規格最為重要。其次，察覺市場變化並提前做好准備也很有效。 HBM（高帶寬內存）：一種高價值、高性能產品，通過通過矽通孔（TSV）連接多個 DRAM 晶片，創新性地提高了數據處理速度。HBM已發展到第1代（HBM）、第2代（HBM2）、第3代（HBM2E）、第4代（HBM3），目前已發展到第5代（HBM3E）。HBM3E是HBM3的擴展版本。 此前SK海力士就曾對外宣布，該公司的HBM3E將在今年上半年發布。最新的報導也顯示，SK海力士於1月中旬正式結束了HBM3E高帶寬內存的開發工作，並且順利完成了英偉達（NVIDIA）歷時半年的性能評價，計劃於今年3月開始大規模生產HBM3E，並在4月針對英偉達供應首批產品。相比之下，其競爭對手三星電子和美光雖然很早也向英偉達提供了HBM3E樣品，但它們要到3月份才會開始最終的產品品質認證測試。 據了解，SK海力士的HBM3e在 1024 位接口上擁有9.6 GT/ 的數據傳輸速率，單個 HBM3E 內存堆棧可提供 1.2 TB/ 的理論峰值帶寬，對於由六個堆棧組成的內存子系統來說，帶寬可高達 7.2 TB/。 隨著人工智慧和高性能計算（HPC）行業的需求持續增長，因此具有2048位接口的下一代HBM4內存成為各家內存大廠發力的重點。SK海力士認為，HBM4將推動人工智慧市場的巨大增長。 據了解，下一代的HBM4 將使用 2048 位接口，可以將每個堆棧的理論峰值內存帶寬提高到 1.5 TB/...

現在人工智慧相關產業相當興旺，而想堆高AI算力是需要硬體支持的，這也導致了各種計算卡的銷售火爆，這也拉動了各種顯存的銷量，而大部分高端計算卡用的都是HBM，比如NVIDIA H200單塊就擁有141GB的HBM3e顯存，現在全球的HBM產能主要都由三星與SK海力士所包辦，他們確定通過升級現有設施並對當前和下一代工藝進行重大改進來重復利用這一巨大需求，看來他們已經開始享受市場對HBM的巨大需求的好處了 SK海力士表示，這幾個月HBM銷售破紀錄，2024年全年的HBM產能都已經售罄，這帶動了公司第四季度的盈利，並為存儲市場復蘇打響信號。 在官方新聞裡面SK海力士副總裁金起台分享了他們在HBM市場上的做法，他認為提前做好應對人工智慧時代到來的准備，是HBM在市場上獲得成功的重要原因。SK海力士已在HBM市場取得了領先地位，並計劃在2024年最大限度的擴展這一主導地位。為實現這一目標，公司新設立了HBM業務部門，整合了包括產品設計、設備研發、產品開發、量產及由金副社長領導的HBM銷售與營銷部門在內的所有部門。 隨著生成式人工智慧服務變得越發多樣化和復雜化，對人工智慧存儲解決方案HBM的需求也大幅增長。高性能、高容量的HBM是一款具有里程碑意義的產品，它顛覆了存儲半導體只是整個系統一部分的傳統觀念。特別是SK海力士的HBM競爭力非常出色，我們憑借高超的技術實力，在全球大型科技公司中備受青睞。此外他們還透露了HBM領域的驚人需求，聲稱今年供應已經售罄，SK海力士已經為2025財年的主導地位做好了准備 。這其實一點都不令人驚訝，因為已經可預見在2024年AI將出現巨大的繁榮，並隨著NVIDIA和AMD等公司為下一代解決方案做准備，對HBM的需求也非常巨大。隨著HBM3e和HBM4未來進入市場，我們可能會看到進一步令人震驚的收入數據。 積極爭取客戶的購買量，協商以更有利的條件銷售高質量產品，是半導體銷售的基礎。我們有了好的產品，接下來就是速度戰。今年HBM已經「售罄」，因此，盡管2024年剛剛開始，但為了保持市場領先地位，我們已經開始為2025年的市場做准備了。 　 ...

自2021年開始，西部數據和鎧俠（Kioxia）就NAND快閃記憶體生產業務合並斷斷續續地進行談判，以打造全球最大的NAND快閃記憶體製造商。不過在雙方即將敲定最終計劃之際，遭到了鎧俠重要的間接股東SK海力士的強烈反對，讓西部數據選擇中止談判。隨後西部數據宣布未來將分拆為兩家獨立上市公司，分別專注於機械硬碟和NAND快閃記憶體業務，預計在2024年下半年開始執行。 據相關媒體報導，鎧俠已經向SK海力士提出了一項交易，可以使用其位於日本的晶圓廠為對方生產NAND快閃記憶體，希望後者能夠改變對西部數據和鎧俠NAND快閃記憶體生產業務合並計劃的看法。 從SK海力士的角度出發，如果西部數據和鎧俠NAND快閃記憶體生產業務合並成功，將出現一個比自己體量更大的直接競爭對手，所以提出反對是很合理的。鎧俠這次的提議對SK海力士來說也有一定的吸引力，意味著不需要投資擴大生產線或建造新的晶圓廠，就擁有更多的NAND快閃記憶體產能。在經濟利益方面來看似乎也不錯，但暫時還不清楚SK海力士是否感興趣。 其實西部數據和鎧俠的NAND快閃記憶體生產業務合並還面臨其他的問題，比如之前鎧俠的主要股東貝恩資本對於合並條款就存在分歧，導致交易的細節部分一直未能達成一致，最終讓談判陷入了僵局。此外，這筆交易的財務條款也是完全未知的狀態。 ...

HBM產品被認為是人工智慧（AI）計算的支柱之一，近兩年行業發展迅速。在人工智慧和高性能計算（HPC）的影響下，推動著存儲器廠商的收入增長。作為英偉達高帶寬存儲器合作夥伴，SK海力士目前在HBM市場的處於領導地位。此前有報導稱，SK海力士將在2026年大規模生產HBM4，用於下一代人工智慧晶片。 據Pulse News Korea報導，最近SK海力士制定了「One Team」戰略聯盟，正在逐漸成型，其中包括台積電（TSMC）的參與，雙方將合作開發HBM4晶片。據了解，台積電將負責部分生產流程，極有可能負責封裝和測試部分，以提升產品的兼容性。 HBM類產品前後經過了HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的開發，其中目前最為先進的HBM3E是HBM3的擴展（Extended）版本，而HBM4將是第六代產品。HBM4堆棧將改變自2015年以來1024位接口的設計，採用2048位接口，而位寬翻倍也是是HBM內存技術推出後最大的變化。由於2048位接口需要在集成電路上進行非常復雜的布線，可能需要台積電更為先進的封裝技術來驗證HBM4晶片。 有消息稱，HBM4晶片將用於Blackwell架構GPU第二次疊代升級中。 ...

快科技2月7日消息，據媒體報導稱，U盤、microSD等存儲質量正大不如前，兩者的元件質量都在下降。 德國數據恢復公司CBL的報告認為，海力士、閃迪或三星等知名製造商生產的質量控制不合格的NAND晶片正在被轉售和重新利用。雖然這些晶片仍能正常工作，但存儲容量卻降低了。 技術進步也對這些 NAND 晶片產生了影響，但並不朝向積極的方面。這些晶片最初使用單級單元（SLC）存儲單元，每個單元只存儲一位，數據密度較低，但性能和可靠性較好。 為了增加晶片的存儲量，製造商開始改用每單元四比特（QLC），從而降低了耐用性和保留率。 所以，在選擇存儲設備時一定要小心謹慎，尤其提防那些看起來好得不真實的優惠。 來源：快科技

快科技2月4日消息，據媒體報導，SK海力士表示，生成式AI市場預計將以每年35%的速度增長，而SK海力士有望在2026年大規模生產下一代HBM4。 據了解，HBM類產品前後經過了HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的開發，其中HBM3E是HBM3的擴展（Extended）版本，而HBM4將是第六代產品。 HBM4堆棧將改變自2015年以來1024位接口的設計，採用2048位接口，而位寬翻倍也是是HBM內存技術推出後最大的變化。 目前單個HBM3E堆棧的數據傳輸速率為9.6GT/，理論峰值帶寬為1.2TB/，而由六個堆棧組成的內存子系統的帶寬則高達7.2TB/。 出於可靠性和功耗方面的考慮，一般速度不會達到最高的理論帶寬，像H200的峰值帶寬為4.8TB/。 此外，HBM4在堆棧的層數上也有所變化，除了首批的12層垂直堆疊，預計2027年存儲器廠商還會帶來16層垂直堆疊。 來源：快科技

HBM產品被認為是人工智慧（AI）計算的支柱之一，近兩年行業發展迅速。在人工智慧和高性能計算的影響下，HBM市場帶給了存儲器廠商新的希望，以推動收入的巨大增長。作為英偉達高帶寬存儲器合作夥伴，SK海力士目前在HBM市場的處於領導地位。 據Business Korea報導，SK海力士副總裁Chun-hwan Kim在SEMICON Korea 2024的主題演講中表示，生成式AI市場預計將以每年35%的速度增長，而SK海力士有望在2026年大規模生產下一代HBM4。 HBM類產品前後經過了HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的開發，其中HBM3E是HBM3的擴展（Extended）版本，而HBM4將是第六代產品。HBM4堆棧將改變自2015年以來1024位接口的設計，採用2048位接口，而位寬翻倍也是是HBM內存技術推出後最大的變化。 目前單個HBM3E堆棧的數據傳輸速率為9.6GT/s，理論峰值帶寬為1.2TB/s，而由六個堆棧組成的內存子系統的帶寬則高達7.2TB/s。出於於可靠性和功耗方面的考慮，一般速度不會達到最高的理論帶寬，像H200的峰值帶寬為4.8TB/s。按照美光之前的說法，單個HBM3E堆棧的峰值帶寬將提高到1.5TB/s。由於2048位接口需要在集成電路上進行非常復雜的布線，預計成本也會高於HBM3和HBM3E。 HBM4在堆棧的層數上也有所變化，除了首批的12層垂直堆疊，預計2027年存儲器廠商還會帶來16層垂直堆疊。此外，HBM還會往更為定製化的方向發展，不僅排列在SoC主晶片旁邊，部分還會轉向堆棧在SoC主晶片之上。 ...

雖然去年存儲器市場行情低迷，相當部分廠商損失慘重，不過SK海力士卻把握住了伺服器市場更換DDR5內存及人工智慧（AI）爆發的機會，憑借針對性的產品線和市場策略，拿下了不少市場份額，甚至出現了「贏家通吃」的局面。作為英偉達高帶寬存儲器合作夥伴，SK海力士目前向其大量供應HBM3和HBM3E晶片。 據相關媒體報導，SK海力士透露，考慮在美國印第安納州興建晶圓廠及封裝設施，投資金額大概為150億美元，將生產和封裝HBM產品。此外，SK海力士還將亞利桑那州作為備選地點。 由於台積電（TSMC）在亞利桑那州正在興建兩座晶圓廠，加上SK海力士的新設施，那麼英偉達面向人工智慧（AI）的計算卡就能在本土完成晶片的生產和封裝。近期有報導稱，英偉達已經將英特爾作為其高級封裝服務的提供商，後者最早會在今年第二季度開始向英偉達提供先進封裝，月產能為5000片晶圓。如果SK海力士未來在美國生產HBM4，那麼英偉達也不會缺乏先進封裝的選擇。 據稱，SK海力士的美國工廠計劃還在考慮當中，尚未做出最終決定。 ...

快科技1月25日消息，今天，SK海力士在官網發布截至2023年12月31日的2023財年及第四季度財務報告。 報告顯示，SK海力士主力產品DDR5 DRAM和HBM3，2023年的營收較2022年分別增長4倍和5倍以上。 SK海力士表示，由於平均售價上漲，晶片價格在減產後趨於穩定，DRAM部門在連續兩個季度虧損後，三季度開始扭虧為盈。 相比之下，NAND復蘇“相對緩慢”，公司將優先簡化NAND（產品線的）投資流程和成本。 從2022年下半年開始，三星、SK海力士、美光等存儲大廠紛紛大幅減產漲價，以期降低庫存水平，控制市場價格下跌的趨勢，如今看來終於有了“成效”。 其他方面，SK海力士第四季營收同比增長47%至11.3055萬億韓元，毛利潤為2.23億韓元，同比大增9404%；營業利潤為3460億韓元，淨虧損為1.3795萬億韓元。 從全年業績來看，SK海力士累計2023年合並營收為32.7657萬億韓元，營業虧損為7.7303萬億韓元，淨虧損為9.1375萬億韓元。 來源：快科技

今天SK海力士（SK hynix）公布了截至2023年12月31日的2023財年及第四季度財務報告，在存儲晶片市場復蘇的背景下，時隔1年實現季度業績扭虧為盈。SK海力士表示，去年以牽引DRAM市場的技術實力積極應對了客戶需求，結果主力產品DDR5和HBM3的收入同比分別增長4倍和5倍以上，市況復蘇相對緩慢的NAND快閃記憶體，主要集中於投資和費用的效率化。 財報顯示，隨著半導體存儲器市況迎來反彈，SK海力士在2023財年第四財季用於AI伺服器和移動端的產品需求增長，平均售價（ASP）上升。其收入為11.3055萬億韓元（約合84.7億美元/人民幣607.11億元），同比/環比增長47/25%，營業利潤為0.3460萬億韓元（約合2.59億美元/人民幣18.55億元），時隔1年實現季度扭虧為盈，淨虧損為1.3795萬億韓元（約合10.34億美元/人民幣73.94億元）。同時營業利潤率為3%，淨損失率為12%。 SK海力士2023財年全年的收入為32.7657萬億韓元（約合245.48億美元/人民幣1756.24億元），相比去年減少了27%，營業利潤為7.7303萬億韓元（約合57.9億美元/人民幣414.34億元），淨利潤為9.1375萬億韓元（約合68.44億美元/人民幣489.77億元），實現了扭虧為盈。2023財年的營業利潤率為24%，淨利潤率為28%。 SK海力士表示，將順應高性能DRAM需求的增長趨勢，HBM3E的量產和HBM4的研發工作進展順利，同時還會將DDR5 DRAM和LPDDR5T DRAM等高性能、高容量產品及時供應於伺服器和移動端市場。為了應對持續增長的AI伺服器需求和端側AI的應用普及，SK海力士將為准備高容量伺服器模組MCRDIMM1和移動端模組LPCAMM2，由此持續保持技術領先優勢。在NAND快閃記憶體方面，SK海力士將通過擴大高端產品銷售，改善盈利並加強內部管理。 ...

據了解，韓國晶片製造巨頭SK海力士正在考慮打破美國對華極紫外（EUV）光刻機出口相關限制，以提升其在中國的半導體工廠的技術水平。 這一舉動被視為，隨著半導體市場的復蘇以及中國高性能半導體製造能力的提升，一些韓國晶片企業正在採取一切可以使用的方法來提高在華工廠的製造工藝水平。 業內人士透露，SK海力士計劃今年將其中國無錫工廠的部分DRAM生產設備提升至第四代10納米工藝。然而，對於“無錫工廠將進行技術升級”的消息，SK海力士方面表示“無法確認工廠的具體運營計劃”。 據了解，無錫工廠是SK海力士的核心生產基地，其產量約占公司DRAM總產量的40%。目前，無錫工廠正在生產兩款較舊的10納米DRAM。 報導認為，SK海力士對無錫工廠進行技術升級並不容易，因為自2019年以來，美國為阻止中國半導體產業崛起，單方面限制了製造尖端半導體必需的EUV光刻機出口中國。 盡管如此，隨著全球半導體市場進入復蘇階段，SK海力士認為高性能晶片產能擴張已經刻不容緩，需要10納米級第四代DRAM或更高版本產品來維持其市場份額。 媒體分析稱，SK海力士的這一舉動反映了全球半導體市場的變化和中國半導體產業的快速發展。在全球半導體市場復蘇的背景下，中國半導體產業的提升無疑將為全球半導體產業的發展注入新的活力。 來源：快科技

SK海力士宣布，將參加2024年1月9日至12日在美國拉斯維加斯舉行的世界最大規模電子、IT展會「國際消費電子產品展覽會（CES 2024）」，屆時展示未來AI基礎設施中最為關鍵的超高性能存儲器技術實力。 在這次CES 2024上，SK海力士將重點突出「以存儲器為中心（Memory Centric1）」的未來發展藍圖。向全世界展示，AI時代技術發展所帶來的半導體存儲器重要性，與此同時展現SK海力士在該領域的全球市場領先競爭力量。其中在以「SK Wonderland（仙境）」為題的展館里，展示HBM3E等AI存儲器主力產品。 HBM3E是目前最高性能的存儲器，SK海力士已於2023年8月完成了開發，並計劃從今年上半年開始進入量產階段，供應給AI領域的大型科技公司。在主題為「游樂園」的區域裡，SK海力士將展示應用了基於HBM3E產品的生成式AI技術「AI Fortune Teller（算命先生）」，參觀者可以體驗獲得AI製作而成的自身人臉轉漫畫圖片和新年運勢組成的卡片。 此外，SK海力士還准備了「SK ICT家族體驗空間」，展現AI技術能力。其中包括了基於CXL運算功能整合而成的存儲器解決方案CMS（Computational Memory Solution）試製品、基於PIM（Processing-In-Memory）半導體的低成本、高效率生成型AI加速器卡AiMX等。 SK海力士計劃今年下半年將基於DDR5的96GB和128GB CXL 2.0內存解決方案產品商用化，並提供給AI領域的客戶。 ...

目前英偉達為人工智慧（AI）和高性能計算（HPC）應用銷售的晶片比業內其他企業都要多，如果想保持這種狀態，就需要穩定的供應。這也是為什麼過去幾年裡，英偉達向台積電（TSMC）支付了一大筆錢，預訂晶片和封裝產能。隨著高端計算卡的熱銷，英偉達對HBM類產品的需求也在增大，同樣要確保穩定的供應。 據Chosun Biz報導，英偉達已經向SK海力士和美光分別支付了約合5.4億至7.7億美元的預付款，供應下一代HBM3E，也就是說總價值大概在10.8億到15.4億美元之間。業內普遍猜測，英偉達是為了保證2024年AI和HPC GPU的供應。 英偉達推出了兩款採用HBM3E的產品，分別是搭載H200和GH200，前者是數據中心GPU，後者是H200 GPU和Grace CPU的結合體。英偉達銷售的是成品的PCIe擴展卡和SXM模塊，不僅僅是GPU晶片，有必要購入HBM3E。由於這些新產品非常受歡迎，英偉達不得不加大了采購量，所以提前預付款項是必要的。 目前不少企業都想打造用於人工智慧和高性能計算的解決方案，導致HBM類產品的需求不斷增長。英偉達通過先發制人的方式，預付款項鎖定HBM3和HBM3E的供應，也是為了在2024年進一步鞏固其在不斷增長的人工智慧硬體市場的領導地位。 ...

雖然今年存儲器市場行情低迷，相當部分廠商損失慘重，不過SK海力士卻把握住了伺服器市場更換DDR5內存及人工智慧（AI）爆發的機會，憑借針對性的產品線和市場策略，拿下了不少市場份額。作為英偉達高帶寬存儲器合作夥伴，SK海力士延續了HBM市場的領導地位，甚至出現了「贏家通吃」的局面。 近日SK海力士在介紹2024年存儲產品線的時候，已確認明年將啟動下一代HBM4的開發工作，為數據中心和人工智慧產品提供動力。其實在今年第四季度里，三星和美光就已先後確認正在開發HBM4，分別計劃在2025年和2026年發布。 HBM類產品前後經過了HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的開發，其中HBM3E是HBM3的擴展（Extended）版本，而HBM4將是第六代產品。SK海力士表示，HBM3E會在2024年進入批量生產，而啟動HBM4的開發工作標志著HBM產品的持續發展邁出了重要的一步。 此前有報導稱，下一代HBM4設計會有重大的變化，內存堆棧將採用2048位接口。自2015年以來，每個HBM堆棧採用的都是1024位接口，將位寬翻倍是HBM內存技術推出後最大的變化。如果HBM4能保持現有的引腳速度，意味著帶寬將從現在HBM3E的1.15TB/s提升至2.3TB/s，提升會相當明顯。 傳聞HBM4在堆棧的層數上也有所變化，除了首批的12層垂直堆疊，2027年還會帶來16層垂直堆疊。同時HBM還會往更為定製化的方向發展，不僅排列在SoC主晶片旁邊，部分還會轉向堆棧在SoC主晶片之上。 ...

財聯社12月7日訊（編輯 周子意）面對人工智慧（AI）日益龐大的市場，韓國存儲晶片巨頭SK海力士已開始採取戰略舉措。 世界第二大存儲晶片製造商SK海力士在最新改組中宣布將成立一個新部門AI Infra，負責人工智慧晶片相關業務，這是該公司將更多地專注於高需求高端晶片的戰略的一部分。 SK海力士周四（12月7日）表示，在公司最近的年度高層改組中，新成立的AI基礎設施部門將整合分散在公司內部的高帶寬內存（HBM）能力。 該部門還將主導新一代HBM晶片等人工智慧技術的發展，尋找並開發新市場。目前負責全球銷售營銷的Kim Juseon將轉而負責AI Infra部門。 此外，該公司還表示將成立新的戰略部門N-S委員會，這是一個致力於加強NAND快閃記憶體和解決方案方面業務的小組，並負責推動產品和相關項目的盈利能力、優化資源利用效率。 從低迷中反彈 該公司在一份聲明中表示，“今年，我們克服了充滿挑戰的全球商業環境的低迷，證明了我們在HBM等領先人工智慧內存領域的技術競爭力。” “根據這一趨勢，我們的目標是進一步加強我們的人工智慧技術競爭力，並引領滿足客戶需求和技術趨勢的創新。” SK海力士此舉正值人工智慧晶片和處理器市場崛起之際。 此前受到半導體需求停滯的影響，SK海力士連續四個季度出現營業虧損，第三季度（7-9月）營業虧損1.79萬億韓元的。 不過該公司表示，由於市場對其人工智慧內存HBM3晶片等高性能產品的需求復蘇，其虧損一直在收窄。 人工智慧晶片市場的主要參與者AMD最新估計，今年該市場規模為450億美元，比6月份估計的300億美元大幅增長，並預計未來四年（到2027年）人工智慧GPU總市場可能會攀升至驚人的4000億美元。 來源：快科技

據市場研究機構TrendForce的最新研究報告顯示，2023年第三季度全球DRAM產業合計營收達134.80億美元，環比增長約18.0%。下半年需求緩步回溫，買方重啟備貨動能，使各原廠營收皆有所成長。 展望第四季，原廠漲價態度明確，第四季DRAM合約價上漲約13%~18%；需求面回溫程度不如過往旺季。 整體而言，買方雖有備貨需求，但以目前來說，伺服器領域因庫存水位仍高，拉貨態度仍顯被動，第四季DRAM產業出貨增長幅度有限。 具體來說，第三季營收方面，三星、SK海力士、美光這三大原廠營收皆有成長，因AI需求增長，對高容量DRAM產品需求維持穩定，加上1alpha納米DDR5量產後量價齊升，帶動三星第三季DRAM營收季增幅度約15.9%，約52.50億美元。 SK海力士（SK Hynix）受益於HBM、DDR5產品品質相對穩定，出貨量連續三個季度增長，加上平均銷售單價季增約10%，營收約46.26億美元，季增幅達34.4%，是原廠成長最顯著業者，與三星市占率差距縮小至不到5%。 美光平均銷售單價小幅下跌，然因需求回溫，出貨量增加，支撐營收季增幅約4.2%，達30.75億美元。 產能規劃面，第三季末三星為有效減緩庫存壓力而擴大減產，主要針對庫存偏高的DDR4產品，第四季減產幅度擴大至30%，總投片量下滑，三星認為2024下半旺季需求將回溫，故投片量明年第二季開始提升。 SK海力士受益於HBM及DDR5出貨增長，產能小幅回升，投片量至今年底會小幅上升，搭配明年DDR5於終端滲透提升，預期總投片量將逐季上升。 美光因減產較早，庫存水位相對健康，第四季投片已開始回升，主要1beta納米先進位程增加，2024年投片量仍小幅上升，產能擴張重心落在製程轉進。 台系廠商方面，南亞科技（Nanya）出貨受益於PC客戶備貨需求及現貨市場帶動，出貨量成長17%~19%；南亞科技主流DDR3、DDR4產品需求相對疲乏，價格仍呈下滑走勢，限縮營收漲幅，最終營收僅達2.44億美元。 華邦電子（Winbond）定價策略較積極，為拓展DDR3業務，去化KH廠新增產能，議價彈性大，故出貨成長，第三季營收上升至1.12億。 力積電（PSMC）營收計算主要為自身生產消費級DRAM產品，不包含DRAM代工業務，受惠現貨價格上漲，使需求小幅上升，帶動DRAM營收季增4.4%，若加計代工營收則季減5.5%。 來源：快科技

很長時間里，三星一直是DRAM市場的領導者，不過最新的統計數據顯示，SK海力士在2023年第三季度的伺服器DRAM這一細分市場坐上了頭把交椅，很大程度得益於其最新標準的DDR5伺服器內存在市場競爭中處於優勢地位。 據Business Korea報導，SK海力士在2023年第三季度占據了49.6%的伺服器DRAM市場份額，銷售額達到了18.5億美元，穩穩地高居榜首；三星排名第二，市場份額為35.2%，銷售額為13.13億美元，與SK海力士之間已經拉開了差距；美光排在了第三，市場份額為15%，銷售額為5.6億美元。伺服器內存產品是一種高附加值的半導體，對企業雲端服務和數據中心至關重要，約占整個DRAM市場35%至40%的銷售額。 過去一段時間里，SK海力士在DDR5的研發上投入非常大，不但引入了新的製造工藝，已經完成了現有DRAM中最為微細化的1bnm（第五代10nm級別）的技術研發，而且積極地與英特爾第四代至強可擴展處理器（代號Sapphire Rapids）進行兼容性驗證。 SK海力士的努力也得到了回報，過去數月里伺服器DRAM市場份額節節攀升。此外，SK海力士在HBM產品上也處於領先位置，很大程度縮小了與三星在DRAM整體市場份額之間的差距。目前三星以39.4%的市場占有率排在DRAM市場的第一名，SK海力士以35%的市場占有率緊隨其後。 ...

由於人工智慧（AI）需求激增，市場需要性能更強大的解決方案，英偉達計劃將新產品的發布周期從原來的2年縮短至1年，其高帶寬存儲器合作夥伴SK海力士有望延續HBM市場的領導位置，出現「贏家通吃」的局面。 上個月英偉達在投資者簡報中放出了產品路線圖，展示了2024年至2025年數據中心的規劃，下一代Blackwell架構GPU的發布時間從2024年第四季度提前到2024年第二季度末，並計劃在2025年發布後續的「X100」。據Business Korea報導，英偉達已經與SK海力士簽訂HBM3E優先供應協議，用於新一代B100計算卡。 雖然英偉達准備實現供應鏈多元化，美光和三星都向英偉達提供了HBM3E的樣品，完成驗證測試後就會正式簽約，不過有業內人士預計，SK海力士仍然會率先取得HBM3E供應合同，並從中獲得最大的供應份額。憑借與英偉達的交易，SK海力士在2023財年第四財季的營收有望時隔1年零3個月再次突破10萬億韓元。 明年英偉達即將推出的產品里，新增加的H200和B100分別會採用6個和8個HBM3E模塊。隨著英偉達產品線逐步向下一代產品過渡，HBM3E的使用量會增加，這也有利於SK海力士提升盈利能力。目前SK海力士以2025年為目標，積極開展HBM4的開發工作，以繼續保持競爭優勢。 ...

藉助人工智慧（AI）的東風，SK海力士成為了現階段HBM類產品的市場領導者，占據了最大的市場份額，也是英偉達數據中心GPU主要的顯存供應商。目前SK海力士正在開發下一代HBM4，同時計劃將相關配套技術擴展到DRAM領域，以更好地利用手上的技術資源。 據Business Korea報導，SK海力士准備2.5D扇出封裝，為下一代HBM和DRAM做准備，確保其技術保持領先的位置。SK海力士希望通過這種封裝方式，降低封裝的成本，而且能跳過矽通孔（TSV）工藝，同時增加I/O接口的數量。有業界人士認為，這種封裝技術很適用於GDDR這類圖形DRAM產品。 SK海力士打算將兩個DRAM晶片水平排列，然後組合在一起，像一個晶片那樣。由於晶片下面沒有添加基板，可以讓晶片變得更薄，會明顯減小了安裝厚度，SK海力士打算在明年公開披露使用該封裝製造的晶片的研究成果。 未來HBM會往更為定製化的方向發展，不僅排列在SoC主晶片旁邊，部分還會轉向堆棧在SoC主晶片之上。此前有報導稱，SK海力士目標是將HBM4以3D堆疊在邏輯核心上，有點類似於AMD的3D V-Cache技術，不過容量更高且更便宜，只是速度會慢一些。這不僅改變了邏輯和存儲晶片的互連方式，也將改變晶片的製造方式。 有SK海力士高層人士表示，在人工智慧時代，SK海力士將引領存儲半導體創新，針對每個客戶提供差異化的專業產品。 ...