SK海力士宣布，全球首次實現垂直堆疊12個單品DRAM晶片，成功開發出最高容量24GB的HBM3 DRAM新產品，並正在接受客戶公司的性能驗證。SK海力士表示，這是最高性能DRAM的再次超越，突破了HBM3的技術界限。
去年6月，SK海力士首次在業界量產HBM3 DRAM，應用在英偉達H100計算卡上。當時英偉達向SK海力士采購的是帶寬為819 GB/s的HBM3，與JEDEC去年年初發布的HBM3高帶寬記憶體標準相符。這次SK海力士將HBM3 DRAM的容量提升了50%，提供了24GB套裝的產品。
SK海力士認為，隨著人工智慧聊天機器人（AI Chatbot）產業的發展，高端存儲器需求也隨之增長，決定從今年下半年起，將新款HBM3 DRAM推向市場，以滿足市場需求。SK海力士已向合作夥伴提供了24GB HBM3 DRAM樣品，客戶對此產品都抱有極大的期待。
據了解，SK海力士的技術團隊在新產品中採用了先進（Advanced）MR-MUF3和TSV4技術，通過先進MR-MUF技術加強了工藝效率和產品性能的穩定性，又利用TSV技術將12個比現有晶片薄40%的單品DRAM晶片垂直堆疊，實現了與16GB產品相同的高度。
HBM DRAM是實現需要高性能計算的生成式AI所必要的存儲器半導體產品，第一代HBM DRAM在2013年首次亮相。最新規格的HBM3 DRAM被認為能夠快速處理龐大數據的首選產品，目前大型科技公司的需求也在不斷擴大。
來源：超能網
