高帶寬存儲器（High Bandwidth Memory）也就是平常稱為HBM的DRAM，是基於3D堆棧工藝的高性能DRAM，適用於高存儲器帶寬需求的應用場景。雖然HBM沒有成為顯卡的主流DRAM，但是在需要高帶寬的數據中心等領域，仍不時見到其身影。近日SK海力士（SK Hynix）公布了HBM3的產品計劃，介紹了即將推出的規范和預期帶寬等信息。
目前制定HBM標準的JEDEC尚未正式發布HBM3標準規范，SK海力士作為HBM的主要推動者，一直致力於下一代HBM的研發工作。據TomsHardware報導，在SK海力士的網站上，HBM3產品顯示正在「研發中」，達到了5.2 Gbps的I/O速度，提供665 GB/s的帶寬，這兩個數值高於HBM2E的3.6 Gbps和460 GB/s，分別提高了44.4%和44.6%。當然這不是SK海力士對於HBM3的最終目標，已經有其他廠商宣布會拓展到7.2 Gbps的I/O速度。
現在超算或FPGA類的設備會使用4-6個HBM2E堆棧，以獲得1.84-2.76 TB/s的帶寬。如果更換成HBM3，將得到2.66-3.99 TB/s的帶寬。在2020年初，SK海力士從Xperi Corp獲得了DBI Ultra 2.5D/3D互連技術的授權，專門用於高帶寬記憶體解決方案，支持2.5D、3D整合封裝，還能集成不同尺寸和不同工藝製程的IP模塊，可用於高集成度的CPU、GPU、ASIC、FPGA和SoC。
SK海力士沒有透露HBM3的發布日期，預計不會這麼快進入消費級市場應用在顯卡上。過往AMD在Radeon顯卡上使用了HBM作為顯存，但是目前僅計劃用在CDNA架構的加速卡上，暫時英特爾和英偉達的規劃也和AMD類似。
來源：超能網
