日前清華大學宣布，集成電路學院任天令教授團隊在小尺寸電晶體研究方面取得重大突破，，電晶體柵極長度等效0.34nm。
據清華大學介紹，目前主流工業界電晶體的柵極尺寸在12nm以上，日本中在2012年實現了等效3nm的平面無結型矽基電晶體，2016年美國實現了物理柵長為1nm的平面硫化鉬電晶體，而清華大學目前實現等效的物理柵長為0.34nm。
為進一步突破1納米以下柵長電晶體的瓶頸，本研究團隊巧妙利用石墨烯薄膜超薄的單原子層厚度和優異的導電性能作為柵極，通過石墨烯側向電場來控制垂直的MoS2溝道的開關，從而實現等效的物理柵長為0.34nm。
目前全球半導體工業量產的晶片技術還是7nm、5nm工藝，實驗室中有2nm甚至1nm工藝，那清華大學開發的0.34nm電晶體有什麼意義呢？
IEEE官網上也介紹了這次突破，該研究的資深作者、北京清華大學電氣工程師任天令在采訪中表示，「我們已經實現了世界上最小的柵極長度電晶體」。
「在未來，人們幾乎不可能製造小於 0.34 nm 的柵極長度，」任天令指出，「這可能是摩爾定律的最後一個節點。」
來源：快科技
