上周有報導稱，三星電子裝置解決方案事業部門技術長Jeong Eun-seung在一場網絡技術論壇中透露，三星能夠搶在主要競爭者台積電之前，宣布GAA技術商業化。
當時他曾放下狠話稱：「我們開發中的GAA技術，領先主要競爭者台積電。一旦鞏固這項技術，我們的晶圓代工事業將可更加成長。」
但是根據最新報導，有業內人士表示三星目前的3nm GAA工藝依然面臨著漏電等關鍵技術問題，且在性能和成本方面可能也存在一些問題，或許將依然不敵台積電3nm FinFET工藝。
據此前消息，GAA是一種新型的環繞柵極電晶體，通過使用納米片設備製造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管），該技術可以顯著增強電晶體性能，主要取代FinFET電晶體技術。
根據三星的說法，與5nm製造工藝相比，3nm GAA技術的邏輯面積效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了約30%，紙面參數上來說卻是要優於台積電3nm FinFET工藝。
不過，上述人士透露，三星可能最早於2022年將其3nm GAA工藝量產，但由於成本高和性能不理想，可能無法吸引到台積電3nm FinFET工藝所獲得的客戶，同時他還稱台積電目前已經提前拿到了蘋果和英特爾的訂單。
來源：快科技
