電晶體數量/密度一直是衡量半導體技術進步的重要指標，目前已經可以做到單晶片1000多億個電晶體，比如Intel Ponte Vecchio GPU。
IEDM 2022 IEEE國際電子器件會議上，Intel公布了多項新的技術突破，將繼續貫徹已經誕生75年的摩爾定律，目標是在2030年做到單晶片集成1萬億個電晶體，是目前的10倍。
摩爾定律原型
從應變矽、高K金屬柵極、FinFET立體電晶體，到未來的RibbonFET GAA環繞柵極電晶體、PowerVia後置供電，再到2.5D EMIB＋3D Foveros、Foveros Direct/Omni封裝技術，Intel一直在從各項技術上推動摩爾定律。
IEDM 2022會議上，Intel披露了三個方面的技術突破：
1、下一代3D封裝准單晶片
基於混合鍵合(hybrid bonding)，將集成密度和性能再提升10倍。
同時，間距縮小到3微米，使得多晶片互連密度和帶寬媲美如今的單晶片SoC。
2、超薄2D材料在單晶片內集成更多電晶體
使用厚度僅僅3個原子的2D通道材料，Intel展示了GAA堆棧納米片，在雙柵極結構上，在室溫環境、低漏電率下，達成了非常理想的電晶體開關速度。
第一次深入揭示了2D材料的電接觸拓撲，可實現更高性能、更有彈性的電晶體通道。
3、高性能計算能效、記憶體新突破
Intel研發了可垂直堆疊在電晶體之上的全新記憶體，並首次展示了全新的堆疊鐵電電容，性能媲美傳統鐵電溝道電容，可用於在邏輯晶片上打造FeRAM。
Intel正在打造300毫米直徑的矽上氮化鎵晶圓，比標準的氮化鎵提升20倍。
Intel在超高能效方面也取得了新的突破，尤其是電晶體在斷電後也能保存數據，三道障礙已經突破兩道，很快就能達成在室溫下可靠運行。
Intel製造工藝路線圖
Intel封裝技術路線圖
來源：快科技
