這幾年，Intel以空前的力度推進先進位程工藝，希望以最快的速度反超台積電，重奪領先地位，現在又重申了這一路線，尤其是意欲通過未來的14A 1.4nm級工藝，在未來鞏固自己的領先地位。
目前，Intel正在按計劃實現其“四年五個製程節點”的目標，Intel 7工藝、採用EUV極紫外光刻技術的Intel 4和Intel 3均已實現大規模量產。
其中，Intel 3作為升級版，應用於伺服器端的Sierra Forest、Granite Rapids，將在今年陸續發布，其中前者首次採用純E核設計，最多288個。
Intel 20A和Intel 18A兩個節點正在順利推進中，分別相當於2nm、1.8nm，將繼續採用EUV技術，並應用RibbonFET全環繞柵極電晶體和PowerVia背面供電技術。
憑借它們兩個，Intel希望能在2025年重奪製程領先性。
之後，Intel將繼續採用創新技術，推進未來製程節點的開發和製造，以鞏固領先性。
其中一個關鍵點就是High NA EUV技術，而數值孔徑（NA）正是衡量收集和集中光線能力的指標。
通過升級將掩膜上的電路圖形反射到矽晶圓上的光學系統，High NA EUV光刻技術能夠大幅提高解析度，從而有助於電晶體的進一步微縮。
作為Intel 18A之後的下一個先進位程節點，
為了製造出特徵尺寸更小的電晶體，在集成High NA EUV光刻技術的同時，Intel也在同步開發新的電晶體結構，並改進工藝步驟，如通過PowerVia背面供電技術減少步驟、簡化流程。
此外，Intel還公布了Intel 3、Intel 18A、Intel 14A的數個演化版本，以幫助客戶開發和交付符合其特定需求的產品。
來源：快科技
