美光全球首發232層TLC快閃記憶體:性能翻倍、密度最高

2021年全球首發176層堆棧的3D快閃記憶體之後,美光今天有全球首發了232層堆棧的TLC快閃記憶體,這是全然首個超過200層的快閃記憶體,也是業界密度最高的,接口速度提升到2.4GB/,寫入速度提升100%。

美光技術和產品執行副總裁 Scott DeBoer表示232層快閃記憶體是存儲晶片創新的分水嶺,首次證明了3D快閃記憶體有擴展到200層以上的能力。

指標方面,美光表示其232層TLC快閃記憶體引入了業內最快的IO速度,可達2.4GB/,比上代的176層快閃記憶體高出50%,同時寫入帶寬提升100%,讀取帶寬提升75%。

美光的232層快閃記憶體還是全球首個六平面TLC快閃記憶體,在TLC快閃記憶體中平面最多,而且每個平面都可以獨立讀取,高IO速度、低延遲及六平面結構相結合使得232層快閃記憶體可以提供一流的數據傳輸能力。

美光全球首發232層TLC快閃記憶體:性能翻倍、密度最高

此外,美光的232層快閃記憶體還是首款支持NV-LPDDR4,後者是一種低壓接口,相比之前的IO接口,每比特的能效提升30%以上。

其他方面,美光的232層TLC快閃記憶體還是有史以來密度最高的,達到了14.6Gb/mm2,比當前的TLC快閃記憶體高出35-100%,而且232層快閃記憶體使用了11.5×13.5mm封裝,尺寸比前代產品小了28%,是市面上最小面積的高密度快閃記憶體,可以減少對電路板空間的占用。

目前美光的232層快閃記憶體已經在新加披工廠量產,最初會由美光旗下的英睿達品牌推出消費級SSD,後續再公告其他產品。

美光全球首發232層TLC快閃記憶體:性能翻倍、密度最高

來源:快科技