美國商務部宣布，已經與美光簽署了一份不具約束力的初步條款備忘錄（PMT），將根據《晶片法案》提供約61.4億美元的直接撥款，另外還有75億美元的貸款，以提高美國在尖端存儲半導體生產方面的競爭力。這些投資將推進美光的計劃，即未來20年內將約40%的DRAM晶片生產轉移到美國本土。
美光總裁兼執行長Sanjay Mehrotra表示，這是美國半導體製造的歷史性時刻，而美光領先的記憶體是滿足人工智慧日益增長需求的基礎，這將創造許多高科技就業機會。美光擬議的投資將分布在紐約州和愛達荷州，以在美國創建一個強大的領先DRAM晶片生態系統：
紐約州克萊 – 計劃里四座晶圓廠的前兩座，屬於DRAM工廠，是美光未來20年內在紐約投資約1000億美元長期投資計劃的第一步。每座晶圓廠擁有600,000平方英尺的潔淨室，四個設施的潔淨室空間總計240萬平方英尺，這是美國有史以來宣布的最大潔淨室空間，面積相當於近40個足球場。
愛達荷州博伊西 – 投資250億美元建造一座大型晶圓廠，潔淨室約600,000平方英尺，專注於生產領先的DRAM晶片。這與美光的研發設施位於同一地點，以提高其研發和製造業務的效率，減少技術轉讓的滯後，並縮短尖端記憶體產品的上市時間。
美光承諾，未來六年內斥資500億美元建造前三座晶圓廠，預計將在紐約州創造9000多個製造和設施工作崗位以及4500個建築工作崗位，並在愛達荷州創造2000多個製造和設施工作崗位以及4500個建築工作崗位。
來源：超能網
