Home Tags 內存

Tag: 內存

AMD宣布Alveo V80計算加速卡量產:配32GB HBM2E,針對記憶體密集型工作負載

AMD宣布,Alveo V80計算加速卡已進入量產階段,這是針對內存密集型工作負載的最新高性能計算(HPC)產品。作為基於FPGA的加速器,Alveo V80有望通過極具競爭力的性能和定價來爭奪嚴重依賴內存利用率的中端工作負載市場,被HPC、數據分析、金融、網絡安全和存儲應用領域大規模採用。 Alveo V80基於7nm的Versal XCV80 HBM系列自適應SoC構建,規模達到了2574K個LUT邏輯單元,DSP計算邏輯片也達到10848個。同時還集成了高帶寬存儲器(HBM),以確保快速的數據處理能力。通過搭載Versal HBM技術,加上配備的兩個16GB HBM2E內存堆棧,提供了819GB/s的內存帶寬,另外還可以通過板卡上的DDR4插槽再擴充32GB內存,進一步提升性能。 Alveo V80支持PCIe 4.0 x16或PCIe 5.0 x8接口,板卡尾部提供了三個MCIO擴展埠,採用了雙8Pin供電,最高功耗為300W,採用了被動散熱設計。此外,I/O擋板處帶有四個QSFP56網絡接口,均可支持200G網絡速率,相比於僅依靠PCIe連接GPU,可以提供更為充足的互聯帶寬。 目前Alveo V80計算加速卡已經可以在AMD官方訂購,售價為9495美元(約合人民幣68594.73元),被歸類為Xilinix Alveo U50的下一代產品,升級了HBM內存標准和網絡接口配置。 ...

雷克沙發布Ares 戰神之翼 DDR5 7600&8000旗艦記憶體條:精選海力士A-die顆粒

快科技5月17日消息,近日Lexar雷克沙宣布,推出其新一代DDR 5旗艦內存條——ARES 戰神之翼 RGB DDR5 7600 & 8000桌上型電腦內存條(32GB套裝:2*16GB)。 這款內存條專為高階電競玩家和專業創作者設計,以其卓越的性能和獨特的設計,為消費者提供了全新的體驗。 ARES 戰神之翼DDR5 7600&8000內存條採用了海力士的A-die顆粒,這是目前市面上DDR5內存條的主流顆粒,以其高品質標准和廣闊的超頻空間而聞名。 更重要的是,這款內存條是市面上唯一獲得海力士官方認證的高速DDR5內存條,確保了其性能和穩定性。 在性能方面,ARES 戰神之翼內存條擁有8000MT//CL38/1.45V和7600MT//CL36/1.4V的出色表現,能夠充分釋放新一代CPU控制器的強大性能。 此外,通過優化PCB排線布局和採用10層PCB設計,內存條在提升信號傳輸效率和超頻能力的同時,也增強了穩定性。 散熱方面,Lexar雷克沙引入了1.8mm全鋁散熱馬甲及專屬PMIC導熱墊,大幅提升了超頻性能和穩定性,確保在競速激戰中散熱無憂。 設計上,ARES 戰神之翼內存條採用了超跑靈感,將極速與激情融入每一個細節,同時配備了8顆高亮LED燈珠和13種燈光模式,支持1680萬種色彩選擇,以及神光同步功能,允許用戶通過Lexar Sync軟體自定義燈光效果,打造個性化的電競氛圍。 而且為了確保產品的高性能、質量和兼容性,所有Lexar雷克沙的產品均在高度自動化和信息化的設備下生產,並經過雷克沙質量實驗室的嚴格測試,ARES 戰神之翼內存條還可享受終身有限質保,讓消費者使用更加放心。 來源:快科技

芝奇發布Ripjaws M5焰刃DDR5記憶體:最大96GB、純黑or純白

快科技5月16日消息,芝奇國際宣布推出全新的Ripjaws M5焰刃系列RGB DDR5高性能內存,外有精美設計,內有大容量、高頻率、低時序。 新內存的散熱片外觀延續了芝奇獨家設計的速度感流線造型,高質量鋁合金材質,搭配細膩質感烤漆材質,線條簡約,內斂時尚。 配色上提供太空黑、初雪白兩種經典款式,可匹配不同的主機風格,還有多彩的RGB燈效。 性能上,採用手工嚴格挑選、測試的高質量IC、用料,並支持Intel XMP 3.0超頻技術,提供多種規格。 最高端版本頻率6400MHz,時序32-39-39,容量2x16/32/48GB,套裝可達96GB。 此外還有6000/5600/5200MHz三種不同頻率,而時序最高也不過40-40-40。 新內存將從本月起陸續上市。 來源:快科技

i7-13620H+32G記憶體首發3299元:磐鐳HO4 13620H迷你主機正式上市

快科技5月16日消息,磐鐳科技最新迷你主機產品——磐鐳HO4 13620H正式上市。 這款迷你主機搭載了英特爾13代酷睿i7-13620H處理器,配備32GB內存和1TB存儲空間,首發價為3299元人民幣。 新款HO4迷你主機所搭載的i7-13620H處理器具備10核心16線程(6個性能核心+4個效率核心),最高睿頻可達4.9GHz,擁有24MB的L3緩存,基於Intel 7工藝製造,TDP為55W。 核顯方面,該處理器擁有64個執行單元,最高動態頻率為1.5GHz。 此外,主機支持最大94GB DDR4-3200內存,提供了2個SO-DIMM插槽以及2個M.2 2280插槽,最高支持8TB的NVMe M.2 SSD。 在散熱設計上,磐鐳HO4 13620H迷你主機採用了VC均熱板散熱技術,確保主機在高負載下也能保持性能穩定。 主機的接口配置也十分豐富,包括前置的USB和USB 4接口,後置2個2.5G LAN、DP、HDMI以及額外的USB接口,此外,該主機還支持Wi-Fi 6和藍牙5.2無線連接。 來源:快科技

新一代超頻利器 雷克沙ARES RGB DDR5 8000記憶體圖賞

快科技5月16日消息,日前雷克沙推出全新的高頻率低時序ARES RGB DDR5電競超頻內存,提供32GB ( 16GBx2 ) 雙通道套裝,頻率高達8000MT/,售價1499元。 現在這款新品已經來到我們評測室,下面為大家帶來圖賞。 ARES RGB DDR5延用象徵戰神鎧甲的稜角設計,家族式“機甲翼”,用戶可根據自身不同色系機箱、顯卡、主板選擇皓月白/磨砂黑配色的RGB內存。 ARES戰神機甲採用全鋁材質一體沖壓成型工藝,1.8mm全鋁散熱馬甲搭配PMIC專屬導熱矽脂墊,確保內存條在高負荷運行時依然低溫穩定。 Lexar ARES RGB DDR5 8000採用10層強化PCB,精選超頻顆粒,新一代lntel XMP3.0一鍵超頻技術。對內存運行時序和工作電壓進行雙重優化,帶來數據傳輸延遲更低的流暢體驗。 這款內存還配備了 RGB 燈光效果,可以在遊戲中增加視覺沖擊力,讓您的電腦更加炫酷。而且,它的設計也非常獨特,採用黑色調搭配電競元素的設計風格,非常適合遊戲玩家使用。 另一種是通過Lexar雷克沙自研的Lexar Sync軟體控制RGB燈光效果,預設多種燈光模式,同時還可以調整顏色、亮度、速度等效果。 來源:快科技

DDR3記憶體正式終結 三星、SK海力士停產 漲價20%

快科技5月15日消息,據市場消息稱,三星、SK海力士將在下半年停止生產、供應DDR3內存,轉向利潤更豐厚的DDR5內存、HBM系列高帶寬內存。 DDR3雖然在技術、性能上已經落伍,PC、伺服器都不再使用,但因為非常成熟,功耗和價格都很低,在嵌入式領域依然大有可為,尤其是Wi-Fi路由器、網絡交換機等。 但對於晶片廠商來說,DDR3利潤微薄,無利可圖,形同雞肋。 而在AI的驅動下,HBM高帶寬內存需求飆升,產能遠遠無法滿足,2024年和2025年的大部分產能都已經被訂滿,HBM2E、HBM3、HBM3E等的價格預計明年會上漲5-10%。 數據顯示,HBM內存在2023年的市占率只有2%,2024年可擴大至5%,2025年再次翻番到10%。 在這種情況下,原廠停產DDR3、擴產HBM已是必然,直接導致DDR3內存近期價格明顯上漲,最高幅度達20%。 此舉連帶也會影響DDR5的供應,再加上存儲行業處於上升周期,預測價格也會上漲20%。 美光以及南亞等台系廠商將會繼續生產DDR3,但美光也可能不會堅持太久。 來源:快科技

《V Rising》進不去解決方法

在夜族崛起中,導致玩家進不去遊戲的原因有很多,可能是因為電腦配置不夠或者內存不足,也可能是伺服器正在維護,這些都是導致玩家進不去的原因。 夜族崛起進不去 答:檢查防火牆設置、電腦配置不夠、伺服器維護、電腦內存不夠。 1、檢查防火牆設置,可能是因為電腦的防火牆阻止了遊戲的運行,導致玩家進不去。 2、電腦配置不夠,可能是玩家的電腦沒有達到遊戲系統的最低配置導致無法進去。 3、伺服器維護,當遊戲官方在對伺服器進行維護的時候,也會導致玩家進不去遊戲。 4、電腦內存不夠,玩家的電腦內存不夠的時候也是無法啟動遊戲的。 來源:遊俠網

性能跨時代飛躍 英偉達下一代架構「Rubin」曝光:台積電3nm、HBM4記憶體

快科技5月10日消息,據媒體報導,英偉達的Blackwell系列人工智慧GPU才開始出貨不就,其下一代架構就已經開始浮出水面。 報導稱,英偉達新架構的代號為“Rubin”,是以美國天文學家Vera Rubin來命名。預計將在性能上實現跨時代的飛躍,同時重點關注降低功耗,以應對未來計算中心的擴展需求。 據分析師郭明錤透露,基於“Rubin”架構的首款AI GPU——R100預計將於2025年第四季度進入量產階段。 這也就意味著R100可能會在更早的時間亮相,以便客戶進行評估,並在2026年初開始收到這些晶片。 R100預計將採用台積電的3納米EUV FinFET工藝,與當前的Blackwell B100相比,R100將採用4倍光罩設計,並繼續使用台積電的CoWoS-L封裝技術。 此外,R100有望成為首批採用HBM4堆疊內存的晶片之一,預計具有8個堆疊,盡管具體的堆疊高度尚未明確。 同時,Grace Ruben GR200 CPU+GPU組合可能採用在3納米節點上製造的全新"Grace" CPU,並可能採用光學收縮技術以進一步降低功耗。 來源:快科技

神舟優雅X5 A9筆記本電腦開售:把i9-12900H干到2999元,還標配16GB記憶體

近日,老牌性價比筆記本電腦廠商神舟推出了新款神舟優雅系列新品X5 A9,其搭載了英特爾第12代酷睿i9-12900H旗艦芯,且16GB內存、PCIe 4.0 SSD、Wi-Fi 6等主要參數配置表面看上去均無明顯短板,符合當今主流需求。最重要的是,它的首發售價還殺進了三千元以內,雖然目前僅有一個配置方案以及銀/灰配色可選,但憑借如此不俗的性價比,吸引力可謂是相當十足。 優雅X5 A9 655FH,i9-14900H+16GB+512GB 銀色,京東連結>>> 優雅X5 A9 655FH,i9-14900H+16GB+512GB 灰色,京東連結>>> 神舟優雅優雅X5 A9機身融入了CNC工藝,LOGO也為鎳片打造,擁有一定的耐腐蝕與耐磨特性。筆電主打輕薄設計,在配備了一款15.6英寸的大螢幕後,重約1.75kg,薄至18mm。螢幕邊框窄至5mm,支持180°開合,面板材質未知,但可以確定的是目前已經上市的這一款擁有1080P@60Hz的標准解析度與刷新率,色域表現為45%NTSC。據了解,優雅X5 A9還有一個升級版的型號,螢幕色域有100%sRGB,預計會在不久後跟進上市。 而該款筆記本的核心部分——第12代酷睿i9-12900H處理器,擁有6P+8E,共14核心20線程,最高睿頻5.0GHz;內置Iris Xe核顯,擁有96個Xe矢量引擎,最高頻率可達1.45GHz,支持AV1視頻解碼。雖然其核顯基本上只能暢玩網游,但CPU部分的性能放在現在也依舊不弱,前提是散熱夠好,性能能夠滿血釋放,然而神舟並沒有提及散熱方面的堆料情況。存儲部分,神舟優雅X5 A9配備了16GBLPDDR5內存以及512GB的PCIe 4.0 SSD,同樣地,兩者具體參數沒有說明,期望不能太高,不過這個容量和保底性能基本算是能夠滿足日常使用了。 其他方面,筆記本的C面配備1.4mm鍵程、96鍵位的鍵盤,支持白色背光調節,且還配有較大面積的防誤觸觸控板。側邊則給到了三個USB 3.2接口,一個HDMI接口、一個USB-C接口(規格未提及)、一個Micro SD讀卡口、一個防盜插孔和一個3.5mm音頻接口。電池容量62.7Wh,官方稱能夠提供9h的長續航體驗。無線網卡晶片為Intel的AX101,支持Wi-Fi 6及藍牙5.2,單天線設計,頻寬只有80MHz,600Mbps的最高傳輸速度不如定位更高的AX201,屬於能用且夠用的級別。 ...

再漲最多20% 記憶體、SSD價格控制不住了

快科技5月9日消息,DRAM內存晶片和內存條、NAND快閃記憶體和SSD硬碟正在新一輪的上漲周期中加速狂奔,集邦咨詢在最新報告中大幅上調了二季度的價格漲幅預期,尤其是內存。 2024年第一季度,內存晶片合約價格上漲了多達20%,原本預計二季度會小幅上漲3-8%,但是集邦咨詢最新修正為13-18%。 NAND快閃記憶體的趨勢也類似,一季度已經漲了多達23-28%,二季度原本預計漲13-18%,但現在上調為15-20%。 唯一利好的就是eMMC/UFS快閃記憶體,預計第二季度只會漲大約10%——其實也不少了。 集邦咨詢表示,4月3日的花蓮大地震是一個轉折點。 震前,內存和快閃記憶體現貨價格和交易量都持續走低,上漲動力不足,主要是AI之外的智慧型手機、筆記本市場需求疲軟,PC廠商庫存也逐漸增加,買方也不願意接受連續漲價。 但是震後,PC廠商出於種種考慮開始接受內存、快閃記憶體合約價大幅上漲,尤其到了4月底,新一輪合約價談判陸續完成,漲幅超過此前預期,一方面是買方有意願增加庫存,另一方面是AI需求持續強勁。 尤其值得一提的是,AI對於HBM高帶寬內存需求旺盛,原廠都在紛紛擴產。 比如三星的HBM3E,使用了先進的1α工藝,尤其是第三季度會大幅擴產,預計到今年底這部分產能將占到大約60%,自然會排擠DDR5的產能,進一步加劇漲價。 同時,AI推理伺服器越來越考慮節能,優先採用企業級QLC SSD,也會占用相當大的產能,導致消費級的NAND出現緊缺。 來源:快科技

美光推出英睿達LPCAMM2記憶體:LPDDR5X-7500規格、已用於移動工作站

快科技5月8日消息,美光旗下英睿達(Crucial)品牌推出的LPCAMM2內存,確實是一款具有顛覆性外形設計的筆記本電腦內存。它搭載了LPDDR5X顆粒,為專業人士和內容創作者提供了移動設備性能的提升。 關於LPCAMM2內存的具體參數,它的運行電壓為1.05V,數據傳輸速率高達7500 MT/,這是普通DDR5 SO-DIMM的1.3倍。更值得一提的是,與DDR5 SO-DIMM相比,LPCAMM2的運行功耗降低了58%,待機功耗降低了80%,並節省了64%的空間。盡管LPDDR5X在延遲方面可能稍遜於DDR5,但其更高的數據傳輸速率足以抵消這一不足。 LPCAMM2內存的模塊化設計為用戶提供了升級的可能性。與焊接式LPDDR5X內存子系統相比,這種設計不會增加內存的延遲,並允許用戶在需要時更換內存模塊以增加容量。這一特性使得LPCAMM2內存成為了一個靈活且高效的解決方案。 此外,JEDEC在去年12月宣布的CAMM2標准規范為內存模塊的發展提供了新的方向。CAMM2不僅支持DDR5,還能用於LPDDR5(X),並通過單個模塊提供更高的帶寬和雙通道(共128-bit總線位寬)支持。這意味著CAMM2將成為未來移動設備內存的主流標准之一。 目前,容量為64GB的英睿達LPCAMM2 LPDDR5X-7500內存已經可以訂購,售價為329.99美元(約合2384元)。對於需要高性能、低功耗和靈活升級選項的用戶來說,這無疑是一個值得考慮的選擇。 來源:快科技

越來越多筆記本焊死記憶體 聯想做變革:ThinkPad新品已用可拆卸式記憶體

快科技5月8日消息,面對越來越多筆記本廠商選擇焊死內存的做法,聯想做出了變革。 iFixit拆解了聯想ThinkPad P1 Gen 7移動工作站,其配備的LPCAMM2內存模組是最大賣點之一,可以更方便的更換和升級。 相比LPDDR內存來說(通常都是直接焊接在電腦主板上的),LPCAMM2內存模組可以在不降低LPDDR能效的情況下提供模塊化設計,從而讓用戶有更好地選擇。 從實際拆解圖也能看到,LPCAMM2通過使用三個十字螺絲緊固在主板上,而不是像傳統LPDDR內存那樣直接用焊料焊接到主板。 此外,每個LPCAMM2內存模塊默認都是雙通道的,其相比於SO-DIMM內存,功耗降低58%,同時還節約了64%空間。 美光已經推出了對應零售產品,64GB LPDDR5X-7500要價在2300元左右,不過隨著三星和威剛等廠商加入LPCAMM2陣營,後續這類產品售價肯定會降下來。 當然了,該設計是不是能被更多的PC廠商使用就不得而知了。 從惠普、戴爾等廠商態度看,更願意讓內存條焊死在主板,有助於延長電池壽命,會在主板上提供更多空間,可以將產品設計得更薄更輕。 來源:快科技

微軟將切換任務管理器里的記憶體速度單位:從MHz變成了MT/s

根據Windows Insider blog提供的更新信息,微軟從build 22635.3570版本開始,對任務管理器里報告內存速度的單位進行更改,從MHz變成了MT/s,接下來會逐步向不同測試版用戶提供。由於現代內存的實際頻率已遠低於等效頻率,行業已經不再使用MHz來標示DDR內存的速度。 在上世紀90年代的SDR SDRAM(Single Data Rate SDRAM)時代,也就是一般所說的同步動態隨機存取內存,一般都是以MHz來標示速度。這時候內存的頻率和CPU外頻同步,64-bit的位寬也和當時CPU的總線一致,每個周期進行一次數據傳輸。 不過到了DDR SDRAM(Dual Date Rate SDRAM)時代,引入了雙倍速率的SDRAM,情況就發生了變化。與原來的SDRAM最大的不同,在於一個時鍾周期的上升沿與下降沿各傳輸一次信號,將數據傳輸速度翻倍,而且還不會增加功耗。這時期開始,內存運行頻率100 MHz,實際等效的速率就是200 MT/s。內存製造商當然選擇更大的數字對產品進行宣傳,以展示更高的性能,不過很長時間里都會保留MHz作為速度單位,以免消費者混淆。 隨著技術的發展,情況也變得更加復雜。現在6000MHz的DDR5,對應的速率就是6000 MT/s,但實際的頻率遠低於6000MHz(可點擊此處通過我們超能課堂的文章了解)。現在內存廠商宣傳產品時,一般會寫DDR5-6000,偶爾也會有DDR5 6000 MT/s。另外顯卡上使用的GDDR5/6(X)採用了QDR(Quad Data Rate),也就是四倍速率,因此使用MHz標示就更加不正確了。 顯然,微軟通過對Windows 11的更新,跟隨了業界的做法。 ...

對AI需求展望極具信心 明年HBM記憶體價格最高再漲10%

快科技5月6日消息,據媒體報導,今天TrendForce集邦咨詢表示,今年第二季已開始針對2025年HBM進行議價。 不過受限於DRAM總產能有限,為避免產能排擠效應,供應商已經初步調漲5%-10%,包含HBM2e,HBM3與HBM3e。 之所以議價時間會提前到二季度,集邦咨詢表示原因主要包括三點: 1、HBM買方對AI需求展望仍具高度信心,願意接受價格續漲; 2、HBM3e的TSV良率目前僅約40%-60%,因此買方願意接受漲價以鎖定質量穩定的貨源; 3、未來HBM每Gb單價可能因DRAM供應商的可靠度,以及供應能力產生價差,可能影響供應商獲利。 前不久SK海力士CEO曾表示,公司按量產計劃2025年生產的HBM產品基本售罄,主要由於AI爆發對先進存儲產品HBM的需求。 不僅如此,此前SK海力士還宣布其2024年HBM的產能已被客戶搶購一空。 SK海力士認為,目前HBM和高容量DRAM模塊等面向AI的存儲器在2023年整個存儲市場的占比約為5%,預計到2028年這一比例可以達到61%。 來源:快科技

未來記憶體或能耐受600℃高溫,協助推動大規模AI系統建設

近日,賓夕法尼亞大學的研究人員開發了一種全新耐高溫存儲設備,這種設備可以在600℃的高溫下保持穩定性,讓存儲其上的數據不會丟失。這種存儲設備改變了目前矽基快閃記憶體200℃下就會失效的問題,後續可能會被運用於製作大規模AI系統的內存。 據開發人員之一的Deep Jariwala介紹,該耐高溫存儲設備主要使用氮化鋁鈧(AIScN)材料進行製造,這種材料擁有更穩定更強大的化學鍵,能在高溫下保持穩定,十分耐用。存儲設備本身由「金屬-絕緣體-金屬」結構組成,通過一層45nm厚的氮化鋁鈧(AIScN)將金屬鎳電極和金屬鉑電極結合在一起。Jariwala還說,氮化鋁鈧(AIScN)層的厚度是製成這種內高溫存儲設備的關鍵,「如果它(AIScN)太薄,那增強的活性會驅使擴散並導致材料退化。如果太厚,則我們尋找的鐵電開關性能就會喪失,因為開關電壓隨厚度尺度變化,並且在實際工作環境中存在這一方面的限制」。 Jariwala稱,這種耐高溫存儲設備可以解決目前晶片架構設計中一個關鍵缺陷,即中央處理器和內存分離而導致的效率低下,因為運算數據必須在兩者之間傳輸,這個缺陷對需要處理大量數據的AI應用程式影響尤為明顯。新存儲設備允許內存和處理器更加緊密地集成在一起,降低數據傳遞時間,從而提升計算速度、復雜性和效率,研發團隊稱之為「內存增強計算」。未來大規模AI系統建設時可使用這種存儲器作為內存,可有效提高運行穩定性和計算效率。 ...
去年SSD出貨量完勝機械硬盤 三星份額第一

累計上漲100%還不停 消息稱SK海力士將對記憶體等漲價 至少上調20%

快科技5月6日消息,供應鏈爆料稱,SK海力士將對旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等產品提價,漲幅均有15%-20%。 按照消息人士的說法,海力士DRAM產品價格從去年第四季度開始逐月上調,目前已累計上漲約60%-100%不等,下半年漲幅將趨緩。 靠著存儲漲價,三星電子2024年第一季營業利潤達到了6.606萬億韓元。 財報顯示,三星電子一季度存儲業務營收17.49萬億韓元,環比增長11%,同比暴漲96%,在整體的半導體業務營收當中的占比高達75.58%。 三星表示,一季度存儲市場總體需求強勁,特別是生成式人工智慧對於DDR5和NAND Flash的需求強勁,這也是行業漲價的大邏輯。 此外,專家也直言,就個人電腦和移動設備市場整體而言,DRAM和NAND Flash的需求也在持續增長,主要是在中國的移動設備OEM客戶的推動下,需求保持強勁。 來源:快科技

英偉達疑煽動三星、SK海力士價格競爭:壓低HBM記憶體價格

據韓國媒體BusinessKorea近日報導,在人工智慧晶片對於高帶寬內存HBM需求的推動下,自2023年以來,第三代的HBM3的報價已經上漲超過5倍。 這對於英偉達等AI晶片大廠來說,所需的關鍵HBM價格大漲,勢必會影響其AI晶片的成本。 在此背景下,市場傳聞稱,英偉達似乎故意煽動三星電子、SK海力士彼此競爭,以便勢壓低HBM的價格。 4月25日,SK集團董事長崔泰源(Chey Tae-won)匆匆前往矽谷與英偉達CEO黃仁勛(Jensen Huang)會面,似乎跟這些策略有關。 雖然過去一個多月來,英偉達一直在測試三星領先業界開發出的12層堆疊的HBM3E,卻遲未下單采購。市場解讀,這是一種策略,目標是激勵三星與SK海力士進行價格競爭。 在最新的一季度財報會議上,三星表示,將繼續增加HBM供應,以滿足對生成人工智慧不斷增長的需求。本月,三星已經開始量產8層堆疊的HBM3E ,並計劃在第二季度量產12層堆疊的HBM3E產品。 SK海力士社長郭魯正(Kwak Noh-Jung)也在一季度財報會議上表示,2025年的AI晶片組用的HBM幾乎全數售罄,2024年的供應也已全部訂光。 他說,12層堆疊的HBM3E將在今年5月送樣,預計第三季開始量產。SK海力士正在與一些客戶就HBM的長期合同進行談判。 來源:快科技
來了快科技筆記本CPU、顯卡天梯榜上線

越來越多筆記本焊死記憶體 不讓用戶升級:惠普等廠商回應

快科技5月3日消息,為何越來越多筆記本焊死內存,讓用戶升級變的困難,對此惠普給出回應。 從蘋果的MacBook到Windows筆記本電腦,越來越多的PC廠商選擇將內存條焊死在主板上,而這些正從輕薄本向遊戲本上轉移。 對此,惠普的體驗工程高級總監Haval Othman解釋說,焊接內存能帶來好處且更節能,有助於延長電池壽命,會在主板上提供更多空間,可以將產品設計得更薄更輕。 其實簡單概括來說,內存條焊死在主板優點:節省空間、生產成本更低、生產難度降低、速度更快、更高效、更加耐用。 不過帶來的缺點也是顯而易見的,比如筆記本的可升級/修復性大大降低,也難怪有不少人認為這種設計有助於計劃性報廢,增加消費者的購買頻率。 對此,你怎麼看這樣的操作呢,是贊同還是反對? 來源:快科技

Rambus發布DDR5伺服器PMIC:支持數據中心記憶體模塊

快科技5月2日消息,Rambus公司最近發布了全新的DDR5 RDIMM伺服器內存專用PMIC電源管理晶片系列,為數據中心提供了強大的性能支持。 這一系列PMIC產品不僅為內存模塊製造商提供了完整的DDR5 RDIMM內存接口晶片組,還滿足了廣泛的數據中心用例需求。 在當今這個數據爆炸的時代,生成式AI等高級數據中心工作負載對伺服器的帶寬和容量要求日益增加。 為了滿足這些不斷增長的數據管道需求,Rambus的這款新一代伺服器PMIC系列產品應運而生。通過利用最新的晶片技術,Rambus成功擴展了其產品組合,為客戶提供了支持多代DDR5伺服器平台的綜合內存接口晶片組。 PMIC作為DDR5內存架構中的關鍵組件,其性能優劣直接影響到伺服器的整體性能。Rambus新款PMIC系列共有三款晶片,分別是PMIC5000、PMIC5010和PMIC5020。 其中,PMIC5000符合JEDEC高電流規范,適用於需要高電流的伺服器環境;PMIC5010則符合JEDEC低電流規范,為低電流需求的伺服器提供了理想的選擇;而PMIC5020則符合JEDEC極端電流規范,能夠滿足極端條件下的電流需求。 這三款PMIC產品均提供業界領先的性能,為AI和其他高級工作負載所需的最高性能和容量內存模塊提供了強有力的支持。無論是處理大規模數據集還是運行復雜的算法,這些PMIC晶片都能確保伺服器穩定運行,提供持續、高效的數據處理能力。 來源:快科技

記憶體、SSD肆無忌憚漲價 三星利潤暴漲931.87%

4月30日,韓國三星電子正式公布了2024年第一季度財報,受益於存儲晶片業務的強勁增長以及旗艦智慧型手機Galaxy S24的強勁銷售,三星電子2024年第一季營業利潤達到了6.606萬億韓元(約合人民幣346.15億元),同比暴漲931.87%! 財報顯示,三星電子2024年一季度營收為71.9156萬億韓元,高於上一個季度的67.78億韓元,較2023年同期的63.75萬億韓元增長12.82%;營業利潤達到6.606萬億韓元,較2023年同期的6400億韓元暴漲931.87%。超過了市場預期的5.6萬億韓元;淨利潤達到了6.75萬億韓元,略微高於上一季度的6.34萬億韓元,相比2023年同期的1.57萬億韓元暴漲329%。 三星半導體業務獲利1.91萬億韓元,成功扭虧為盈 三星電子一季度營業利潤大漲,主要得益於其半導體業務的快速增長。 財報顯示,2024年一季度負責半導體業務的設備解決方案(DS)部門合並營收達23.14萬億韓元,相比去年同期的13.73億韓元大漲68.54%;營業利潤已由去年同期的虧損4.58萬億韓元(約合人民幣239.53億元)轉為盈利1.91萬億韓元(約合人民幣99.89億元)。 這也是該部門自2022年第四季度以來首次達到獲利目標。 對此,三星電子表示,半導體業務之所以實現快速成長,並進一步扭虧為盈,主要是因為市場對HBM(高帶寬內存)、DDR5、伺服器用SSD和UFS4.0相關存儲產品的需求增長,以及價格的快速上漲,並且在三星電子的積極供貨努力下實現的。 需要指出的是,三星電子的半導體業務包括了存儲、系統LSI和晶片代工業務。其中,存儲晶片業務是其半導體業務營收的最主要來源。 存儲業務營收同比暴漲96% 財報顯示,三星電子一季度存儲業務營收17.49萬億韓元,環比增長11%,同比暴漲96%,在整體的半導體業務營收當中的占比高達75.58%。 三星表示,一季度存儲市場總體需求強勁,特別是生成式人工智慧對於DDR5和NAND Flash的需求強勁。 三星電子通過滿足伺服器、存儲、PC和移動領域的需求,重點關注HBM、DDR5、伺服器SSD和UFS 4.0等高附加值產品,實現了質的增長,同時存儲產品的ASP(平均單價)也在增長。 其中,在伺服器存儲方面,生成式人工智慧所帶來的需求呈現出穩定增長的趨勢,而對 DDR5 和高密度 SSD 的需求仍然強勁。 就個人電腦和移動設備市場整體而言,DRAM 和 NAND Flash的需求也在持續增長,主要是在中國的移動設備 OEM 客戶的推動下,需求保持強勁。 三星電子預計,在生成式人工智慧的需求的帶動下,二季度存儲業務將繼續保持穩定增長。 從需求方面來看,對於伺服器和存儲而言,AI伺服器供應量的持續增加以及相關雲服務的後續擴展,不僅會增加對HBM的需求,還會增加對傳統伺服器和存儲解決方案的需求。 同時,預計二季度移動設備需求將保持穩定,而 PC 客戶預計將受到淡季的影響,這使得他們可能會在下半年新產品推出之前調整庫存。 從供應方面來看,三星電子表示,將繼續增加HBM供應,以滿足對生成人工智慧不斷增長的需求。 三星電子本月開始量產HBM3E 8H,並計劃在第二季度量產HBM3E 12H產品和基於1b nm 32Gb DDR5的128GB產品; 在DRAM方面,三星電子計劃以更快的爬坡速度加速基於1b納米的32Gb DDR5供應,進一步增強在高密度DDR5模塊市場的競爭力; 對於NAND Flash,三星電子計劃於本月在業內首次開始量產V9 NAND,並在第三季度通過量產V9的四級單元(QLC)來增強技術領先地位。 本輪存儲晶片價格上漲可持續性存疑 受全球半導體市場需求下滑的影響,2022年下半年開始鎧俠、美光、SK海力士等存儲晶片大廠就開始陸續進行了減產,隨後三星也在2023年二季度也開始了減產,以期改善供需結構,提升業績。 隨著減產效應的顯現,以及2023年三季度以來市場需求的回暖,原廠開始紛紛推動DRAM和NAND Flash晶片價格上漲。 此前的報導顯示,2023年四季度三星對其DRAM及NAND...

蘋果稱自家產品8G記憶體等於別人16G背後 庫克扼殺Mac電腦記憶體升級

快科技4月27日消息,蘋果Mac電腦萬年8GB內存的做法,引來很多用戶的不滿。 事實上,庫克掌舵蘋果公司之後,蘋果基礎款Mac的內存升級周期就已經停止了。 蘋果Mac營銷團隊的埃文-巴澤(Evan Buyze)之前在接受媒體采訪時表示,8GB的MacBook“非常適合”日常工作。 這些日常任務包括網頁瀏覽、輕量級的照片和視頻編輯以及流媒體觀影。這已經不是蘋果公司第一次為其在機器中配備8GB內存的商業做法進行辯護了。 上次有人問到這個問題時,蘋果公司全球產品營銷副總裁鮑勃-博徹斯(Bob Borchers)表示,8GB統一內存相當於其他系統的16GB。 其實說到底,蘋果擅長通過存儲空間賺錢,即使存儲空間價格相對較低,他們仍然可以實現高額利潤。 來源:快科技

存儲焦慮不只手機 還有PC

存儲空間容易告急的不只是手機,還有電腦!!! 相較於手機,電腦的使用壽命通常更為長久。尤其對於個人使用的電腦,只要對性能要求不強,PC能夠可靠穩定使用8-10年,甚至是更久。 不過,隨著使用時間的增長,加之一些不良的使用習慣,C盤存儲空間不足的問題常常出現。而對於那些存儲了大量影視資源的用戶來說,整個硬碟不夠用也並非罕見。 那麼,面對這樣的問題,我們該如何應對呢?接下來我們從兩個維度談存儲空間告急:系統盤(一般指C盤)與數據盤(其餘驅動器)。 系統盤 系統盤,也就是我們常說的C盤(驅動器),Windows作業系統一般會安裝於C盤,因此會占用C盤一定的存儲空間,至於占用存儲空間大小與Windows系統版本息息相關,不同的版本占用空間不同,越新的版本占用空間越大。 在安裝軟體的過程中,很多用戶會按照默認設置將它們安裝在C盤,這是導致C盤空間告急的最主要原因,這時可選擇將需求頻率低的軟體安裝至其它驅動器,或者定期卸載長時間不用的軟體(PS:有些軟體會在後台“偷偷幫你”安裝一些無用軟體,可以定期進行檢查)。 其次,隨著使用時間的積累,系統更新文件、臨時文件、系統還原點、緩存文件、日誌文件、備份文件、瀏覽器緩存、微信聊天記錄等等,都會占用大量存儲空間。 尤其是微信、企業微信的聊天記錄,小編查詢了自己電腦的情況,僅2年左右的時間,企業微信個人數據就已經積攢到了近100GB,微信也是有近20GB,所以如果你的電腦C盤只有512GB或更小,那顯然是不夠用的。 這時可將企微、微信數據存儲位置移動到其它驅動器,或者選擇導出到其他存儲設備or網盤。至於一眾系統文件,可選擇使用第三方軟體進行清理,至於軟體是什麼就不提了,懂的都懂。 最後還有一個知識點,很多用戶習慣性將文件存於系統桌面,其實桌面也是占用C盤空間,所以如果有大型文件,可以存儲在其他驅動器。 數據盤 想要提升硬碟容量,最直接的方式就是換一塊更大的硬碟。這時可能出現兩種情況:一種是數據盤與C盤共為一塊硬碟/固態硬碟,另一種則是數據盤是單獨的一塊硬碟/固態硬碟,由此提升的方式也就略有不同。 這時需要檢測電腦是否有額外安裝硬碟的空間,如果是桌上型電腦一般都支持安裝多塊硬碟,但如果是筆記本電腦,建議大家咨詢官方客服,或者拆下筆記本電腦D面進行確認。 如果沒有額外的安裝空間,像現在很多輕薄本產品為了追求極致輕薄,僅有1個固態硬碟位,這種時候如果要升級固態硬碟容量,只能通過遷移作業系統的方式進行實現,這種方式可以保留Windows系統激活狀態,可以享受正品功能。 不過缺點也是比較明顯,就是操作有較高門檻,建議大家找官方客戶,或是電腦維修網點解決。 第二種辦法就是轉移數據,大致有網盤、硬碟盒與NAS幾種解決方案。 先來說說網盤。現在有很多人選擇將數據儲存在網盤,諸如百度網盤、夸克網盤、阿里網盤、迅雷網盤、UC網盤等,但缺點也是比較明顯——花錢,雖然網盤能夠提供以TB為單位的存儲空間,但每年幾百元的會員費用確實讓很多人望而卻步。 另外,還有一些朋友擔心網盤的隱私安全問題,這點確實有點多餘了(其實本地也並非多安全)。 第二種辦法硬碟盒。硬碟盒屬於外設,大家可以根據需求購買不同規格的硬碟盒,常見為單硬碟硬碟盒,即只能放置1塊硬碟,另外還有雙硬碟盒、5硬碟盒等,即可以同時存儲2塊與5塊硬碟。 硬碟盒並沒有太大的技術含量,一般可支持單塊16TB的硬碟,而且有的硬碟盒還支持組建Raid陣列,讓數據存儲更安全。 這里給大家一個小提示,硬碟盒也有傳輸速度,請優先選擇速度可達10Gbps的產品,有的硬碟盒只有5Gbps。 最後一種就是NAS,這種建議大家直接購買成熟成套產品(價格小貴),不要自己DIY。NAS的優勢很明顯,不僅可以備份電腦數據,還能備份手機數據,照片、視頻都是即時備份。 小結: 小編作為一名數據存儲“愛好者”,有著非常多的數據存儲需求,所以希望能夠通過自己的經驗給大家一些參考: 1)Raid 1陣列硬碟盒,實際容量3TB,用來存儲生活、旅遊的一些圖像、視頻等; 2)遊戲數據硬碟,16TB,企業級硬碟,用於存儲遊戲安裝包等; 3)電影數據硬碟,14TB,企業級硬碟,存儲經典系列電影,一般為藍光單片50GB那種;還有一些就不羅列了。 另外,由於個人認為1)提到的圖像視頻很重要,所以在百度網盤也備份了一套,所以可以確保二者之間必有一個安全。像很多家長用照片、視頻記錄了孩子的成長過程,不妨也試試這樣的辦法。 最後,給大家幾個忠告: 萬不要將重要數據存儲在U盤中; 更不要將重要數據存儲在存儲卡中; 避免將重要數據存儲在移動硬碟中。 來源:快科技

DIY從入門到放棄:記憶體到底應該插在哪個槽里

看到這個標題,你可能會發出嘲諷的聲音:內存當然是插在內存插槽里啊! 且慢,咱們要聊的是,主板有多個內存插槽,那麼在不會插滿的情況下,內存應該優先插在哪個插槽里呢? 首先要知道的是,主板上的內存插槽確實是有優先級的,一般來說,小主板會有2個內存插槽,而大主板則會提供4個插槽,從離CPU最近的開始分別是A1,A2,B1和B2。 還有少數主板會在CPU兩側布局8個插槽,這里我們以主流的4插槽主板進行介紹。 在絕大多數情況下,主板的A1和A2是一個通道,而B1和B2則是另一個通道,也就是說,要組雙通道的話不能將內存插在A1和A2,或是B1和B2,這樣是無法開啟雙通道的。 如果你手裡只有一根內存,那就插在A2槽,如果只有2根內存,那就選擇A2和B2插槽,也就是離CPU最遠的插法。之所以採用這個有點反直覺的設置,是為了減少信號反射,避免不必要的信號干擾。 此外,將內存插在遠離CPU的插槽還可以離CPU的散熱器更遠,避免內存條和散熱器“打架”的情況出現,當然這其實是後話了。 可能會有萌新表示,我的內存插在了A2和B1,電腦也一樣能正常工作呀! 沒錯,如果內存隨意選擇插槽,是不會影響內存的容量和基礎性能的,但如果要追求更好的性能釋放,或是想要超頻內存,建議大家還是優先選擇A2槽和B2槽這樣的搭配,至於A2或B2插槽損壞的主板,那就別提那麼多要求了。 來源:快科技

業界最快 三星推出10.7Gbps LPDDR5X記憶體:實現32GB單封裝容量

快科技4月17日消息,三星開發出其首款支持高達10.7Gbps速率的LPDDR5X DRAM 內存,堪稱“業界最快”。 三星表示,這款10.7Gbps LPDDR5X內存基於12nm級工藝技術,相較上代產品性能提高25%以上,容量提高30%以上。 同時該內存將移動DRAM的單封裝容量擴充至32GB,滿足端側AI應用對高性能大容量內存的需求。 值得一提的是,LPDDR5X採用了專門的節能技術,可根據工作負載頻率調整和優化供電模式,以及擴展低功耗模式頻段從而延長低能耗工作時長。 這些改進使能效比上一代產品提高了25%,從而延長了移動設備的電池壽命,並通過降低伺服器處理數據時的能耗,最大限度地降低了總體擁有成本(TCO)。 經過與移動應用處理器(AP)和移動設備供應商的驗證之後,10.7Gbps LPDDR5X將於今年下半年開始量產。 來源:快科技

576個純小核 Intel至強6主板曝光:能插32條記憶體

快科技4月16日消息,Intel已經官宣,,包括純小核(E核)的Sierra Forest、純大核(P核)的Granite Ridge兩個分支,今年二季度開始陸續登場。 現在,我們看到了Sierra Forest的驗證主板,平台代號為“Beechnut City”,插槽接口為新的LGA4710,而且是一塊雙路主板。 Sierra Forest處理器首發為單晶片設計,最多144核心144線程,下半年還會增加雙晶片整合封裝設計,最多288核心288線程,雙路就可以做到576核心576線程! 內存支持8通道,而這塊板子上共有32條DDR5 RDIMM插槽,每一路處理器都搭配16條內存,插座兩側各分布8條,也就是每通道對應2條內存。 內存頻率方面,早先信息顯示每通道一條內存的話最高頻率為DDR5-6400,每通道兩條就降至DDR5-5200。 因為內存插槽過多,PCIe擴展插槽就受到了很大限制,無法提供x16全長規格。 順帶一提,Granite Ridge將會採用不同的新接口LGA7529。 根據曝料,Sierra Forest將會命名為至強6 6900E鉑金、6700E金牌系列,Granite Ridge則會命名為至強6 6900P鉑金、6700P金牌、6500P銀牌、6300P銅牌系列。 來源:快科技

固態硬碟價格瘋漲50% SSD要怎麼買

如果關注了存儲的價格,那你一定會發現,最近存儲尤其是SSD的價格有些離譜了。 隨便挑一款入門級1TB容量的SSD,就會發現從去年雙11的300元到手,漲到了現在的450元,漲幅達到了50%之多,那現在還能買SSD嗎? 其實存儲漲價早有端倪,在去年年末的時候就有分析師表示存儲的價格會上漲10%-15%,沒想到分析師還是太保守了。 根據集邦咨詢發布的2024年第一季度至第二季度的存儲預測,第一季度NAND快閃記憶體市場估計漲價約23-28%,第二季度預計快閃記憶體市場將整體上漲13-18%。 也就是說呀,2024年可能不會有存儲降價了。那未來的走勢看漲,現在是入手SSD的好時機嗎?其實也不能這麼說,關鍵還要看你自己的需求。 如果是對存儲有剛需的遊戲玩家,可以挑選目前價格還沒有漲太多的產品,這個做法需要進行較長時間的篩選,但是1TB的固態可以省下百元左右預算,相對要更劃算一些。 對於有攢機或擴容需求,但是需求沒有那麼迫切的玩家,可以等618和雙11這兩個時間節點,SSD整體的價格會便宜不少,能夠緩沖一些漲價的幅度。 對於預算不多的玩家來說,我也不建議買容量低於480GB的NVMe固態硬碟,畢竟小容量的固態硬碟價格比大容量貴得多,而且主板的接口有限,小容量的固態在擠占接口之後再更換大容量固態也會很麻煩。 如果預算真的非常有限,但是又需要大容量的存儲,那麼SSD目前不是最佳選擇,直接入手4TB容量的機械硬碟其實也是可行的,要知道一些入門級SSD的緩外速度甚至不如機械硬碟,所以也不用盲目追求SSD。 最後要提醒大家的是,不管是入手機械硬碟還是固態硬碟,都要選擇正規渠道,存儲產品也強烈建議不要嘗試二手產品,經過礦潮洗禮之後,除了少數新發布的SSD之外,大多數硬碟都有礦盤風險,而且一般玩家無法判別,一旦數據丟失後果非常嚴重。 來源:快科技
蘋果最貴新品Mac Pro將在美國生產 製造成本是上一代2.5倍

買大浪費 蘋果高管重申8GB版MacBook新品:非常合適 等於別人16G

快科技4月13日消息,蘋果高管再次為配備8GB內存的MacBook產品辯護,認為這是非常合適的選擇。 Mac營銷團隊的埃文-巴澤(Evan Buyze)在接受媒體采訪時表示,8GB的MacBook“非常適合”日常工作。 這些日常任務包括網頁瀏覽、輕量級的照片和視頻編輯以及流媒體觀影。這已經不是蘋果公司第一次為其在機器中配備8GB內存的商業做法進行辯護了。 上次有人問到這個問題時,蘋果公司全球產品營銷副總裁鮑勃-博徹斯(Bob Borchers)表示,8GB統一內存相當於其他系統的16GB。 然而,評測媒體的各種測試表明,這種配置不足以同時運行多個應用程式,多餘的數據開始被NAND快閃記憶體讀取,從而降低了它們的性能和耐用性。 蘋果在內存方面的商業策略已經不是秘密,即使在Windows陣營中標配16GB內存加上512GB的存儲時,它仍然選擇8GB內存和256GB存儲。 即便在Windows陣營普及32GB內存加上1TB存儲時,蘋果仍然堅持8GB內存和256GB存儲,並且仍然堅持著以增加8GB內存價格高達1500美元的傳統,以及以1500美元的價格將256GB硬碟升級到512GB。 至於其旗下的iPhone系列,也是如此。因此,蘋果擅長通過存儲空間賺錢,即使存儲空間價格相對較低,他們仍然可以實現高額利潤。 來源:快科技

台灣7.3級地震不會讓記憶體漲價 影響不到1%

快科技4月11日消息,存儲行業正面臨新一輪漲價潮,DRAM內存、NAND快閃記憶體都跑不了,偏偏在這個時候,半導體重鎮台灣發生了7.3級地震,恐進一步加劇漲價。 不過根據集邦咨詢的最新報告,此次地震對DRAM內存產業影響很小,基本不會造成價格波動。 報告指出,地震過後,各家DRAM製造廠需要檢修、報廢的晶圓數量都不多,而且廠房設備本身就有一定的抗震效果,因此沖擊不大,對整體出貨量的影響可控制在1%之內。 美光、南亞、力積電、華邦等都已經基本恢復100%產能,其中只有美光升級到了1αnm、1βnm先進工藝,可能會些許影響出貨量,而其他廠商普遍停留在38nm、25nm等成熟工藝,產量占比很小。 地震後,,但目前現貨價已經普遍恢復,比如金士頓、威剛等,都沒有漲價,只是合約價還得等等。 美光、三星在地震當天停止了移動DRAM的報價,SK海力士則在當天下午向部分手機客戶提供報價,希望趁機獲得更多訂單。 伺服器內存方面,美光因為受影響集中在先進工藝,不排除最終成交價有所上漲,有待繼續觀察。 HBM方面,美光大部分產線位於日本廣島,無影響。 整體來看,DDR3庫存量較少,仍有漲價空間,DDR4、DDR5庫存充足,加上買方需求不旺,地震後的連日小幅漲價會很快回歸正常。 對於第二季度的DRAM合約價趨勢,集邦咨詢維持此前3-8%漲幅的預測。 不過,硬碟方面的漲價會更明顯,集邦咨詢稱NAND快閃記憶體市場一季度漲了23-28%,,,預計HDD漲幅為5-10%。 來源:快科技

台灣7.3級地震:記憶體要趁機大漲價

快科技4月9日消息,4月3日清晨,,導致嚴重破壞,也對半導體行業造成了不小的沖擊,比如說DRAM內存恐怕要要面臨進一步漲價。 地震發生後,美光很快就暫停公布二季度的DRAM產品報價,SK海力士、三星也緊隨其後。 美光還宣布,將會對地震造成的產能、供應情況做進一步評估,然後再與客戶探討供應情況。 業內人士稱,如此強震發生後,晶圓廠一般都會暫停或暫緩至少部分產線,不可避免地會造成供應緊張。 事實上,在經歷前兩年的持續低價之後,DRAM內存原廠都在刻意控制產能,期望能盡快恢復價格,漲價趨勢在地震之前就已經很明顯。 ,DRAM內存晶片價格在今年第一季度的漲幅可達20%,二季度還將再漲3-8%,而今有了地震這個“機會”,原廠們自然不會輕易放過。 另一方面,內存模組廠商們目前的庫存水平普遍偏低,上游產能有限的情況下肯定會加大采購支出,伺服器廠商等下遊客戶也會趁機抓緊備貨,這些都會進一步導致價格被抬高。 此外,,第一季度整體漲了23-28%,第二季度預計還會再漲13-18%,相比內存更甚,反映到終端SSD市場上也是如此,部分產品甚至已經價格翻倍。 來源:快科技

受地震影響記憶體廠已經停止公布DRAM合約價,預示會進一步漲價

4月3日在台灣花蓮發生的地震即使對島內的晶圓廠是肯定有影響的,即使廠房沒有損壞光刻機也得停下來檢修,美光在當地的廠區當時就有進行停機評估,在地震過後內存製造商已經停止披露2024年第二季度DRAM內存合約報價,這可能預設著即將漲價。 根據DigiTimes的報導,地震中斷了晶圓廠的運營,美光、三星和SK海力士均收到影響,這必然影響供應,這可能會導致內存價格上漲幅度超出預期。其實內存行業在地震前就在漲價了,以彌補他們在前幾年價格低估時的損失。 在地震發生後不久,內光就停止了第二季度的產品報價,隨後三星和SK海力士也迅速跟上,這明顯就是准備漲價了。過去由於自然災害或事故造成生成中斷,內存價格通常都會飆升,這次地震估計也是如此。在地震發生前,市場預測第二季度DRAM和NAND合同價格增長速度會比第一季度放緩,預計在15%到20%之間,而第一季度漲幅超過了20%。 目前內存模塊製造商的晶片庫存量較低,目前正在准備加購晶片增加庫存,原本他們希望價格上漲趨勢能放緩,只不過從去年開始上游晶片製造商都集體減產以維持產品定價,現在加上地震的影響,合約價必然會漲得更厲害。 根據這一狀況,包括伺服器製造商在內的下遊客戶可能會預計到會出現供貨短缺而積極備貨,這會進一步推高內存價格。只不過在消費級市場依然處於農歷新年後的需求低位,盡管價格估計也會跟隨上漲,但應該不會出現缺貨的現象。 ...

「光污染」離奇惹禍 記憶體RGB把顯卡背板、GPU燒出痕跡

快科技4月8日消息,如今的硬體都是“無燈不歡”,但是無處不在的RGB信仰燈不僅會造成“光污染”,還有可能產生意想不到的影響,多位網友反饋內存上的RGB燈把顯卡都給“燒了”。 目前已知的受害者有兩塊微星的RTX 3080、一塊技嘉的RTX 4080,甚至一塊華碩的GTX 1080 Ti,而問題和顯卡本身沒有任何直接關系。 從網友提供的圖片看,這幾塊顯卡的背板上都出現了明顯的燒蝕痕跡,形狀和臨近的內存上的RGB燈模式一模一樣。 甚至有一位網友稱,自己更換GPU時候發現,GPU晶片表面居然都有類似的痕跡。 具體原因暫時不詳,一個可能是某些RGB燈的二極體會發出375-400nm頻寬的紫外光,長時間照射顯卡背板上的材料或者圖案很容易產生影響。 另一個可能是熱效應,長時間亮燈積累的發熱所致。 快打開你的機箱看看吧。 來源:快科技

美光記憶體產能受地震影響,停止相關產品的報價

據TrendForce集邦咨詢研報,受4月3日台灣花蓮地震影響,美光在台灣新北林口和台中的廠區仍在進行停機評估,需要幾天時間才能恢復正常。美光也在震後發布公告稱所有在台員工安然無恙,目前正在評估地震對供應鏈的影響,停止有關產品的報價,評估完成後將會和客戶溝通產品交付情況。 集邦咨詢指出,此次地震影響的廠區是美光內存的重要生產基地,兩個廠區已有最新的1-beta製程內存進行生產,後續還將會生產HBM內存。 除了美光,此次受地震影響的內存顆粒廠商還有南亞(Nanya)、力積電(PSMC)和華邦電 (Winbond),這三家受到的影響較小。南亞受影響的廠區主要負責20/30nm製程的產品,最新的1-beta內存正在研究中;力積電(PSMC)則以25/21nm製程產品為主。上述廠區在進行短暫的停機檢查後已陸續恢復運作。 另外,集邦咨詢也報導了台積電的相關狀況,稱目前其產能利用率較高的5/4/3nm廠區未受太大影響,已在震後6-8小時完成停機檢查,並恢復到90%以上的產能;研發總部Fab12因水管破裂而導致部分機台進水,但主要影響的是尚未量產的2nm製程,因此短期內不會有太大影響,只是可能會因為需要重新購買新機台而導致研發成本略有上升。封裝廠區方面,目前主要運作的廠區龍潭AP3和竹南AP6在事發後已立即進行人員疏散,停機檢查發現冰水主機存在問題,但廠內有後備設施,因此不影響廠區運作,官方已安排陸續復工。 ...

上限不止6800MHz 英睿達DDR5 Pro記憶體超頻版評測:溫度僅有36℃

一、前言:英睿達推出DDR5 Pro內存超頻版 主流高性價 短短兩年,DDR5已經迅速普及,並且經過不斷打磨和優化,一改初期頻率低、延遲高的窘境,各方面表現都完全可以滿足從高端到主流用戶的不同需求。 如今的DDR5內存,頻率達到8000MHz左右的一大把,還可以輕松超頻到8600MHz甚至更高。 但是對於主流用戶而言,過高的頻率意義並不大,性能和價格的提升並不成正比,更實惠的還是6000MHz的常規頻率,再加上一定的超頻空間,瞬間就可以性價比爆棚。 美光作為御三家存儲企業之一,旗下子品牌英睿達帶來的這款DDR5 Pro內存超頻版,就是專為有一定追求的主流用戶設計,默認頻率6000MHz,也保留了一定的可玩空間。 在測試之前,我們先來看下這款英睿達DDR5 Pro內存超頻版的規格: 作為超頻版,在朴實無華的散熱馬甲之下,它的默認頻率為5600MT/,可以輕松一鍵超頻到6000MT/的高頻率,同時還有36-38-38-80的超低時序,比起同樣頻率、時序CL48的內存,延遲要低了25%。 夠高的頻率加更低的時序,可以帶來更強的性能,日常使用時的讀寫操作也會更為迅速。 在兼容性上,這款英睿達DDR5 Pro內存超頻版同時支持Intel XMP 3.0和AMD EXPO兩大平台超頻技術,保證在不同平台上都可以發揮出最大潛力。 接下來,我們就來看看英睿達DDR5 Pro內存超頻版的表現如何。 來源:快科技

DDR3/4/5記憶體都在漲價 但漲幅下來了

快科技4月4日消息,根據集邦咨詢的最新報告,2024年第一季度DDR內存市場估計整體上漲了約20%之多,第二季度還會繼續漲,不過幅度會下降到3-8%。 原因主要是今年整體需求前景不佳,而且去年第四季度起供應商已經連續大幅漲價,缺乏後續動力。 分領域來看,第一季度內,PC內存的價格漲了15-20%,DDR4、DDR5莫不如此。 值得一提的是,AI PC雖然概念大火,但剛剛起步,短期內前景仍有待觀察,DDR5內存漲價的動力也有些不足。 伺服器端漲15-20%,移動端漲18-23%,消費電子類漲10-15%(其中DDR3 8-13%、DDR4 10-15%)。 用於顯卡的顯存也漲了13-18%,尤其是2GB GDDR6需求強勁,但原廠紛紛將精力轉向利潤更高的HBM,對於GDDR的規劃稍顯保守。 到了第二季度,所有領域的價格漲幅都將在3-8%左右,只有移動端DDR4的幅度會高一些達到5-10%。 來源:快科技

三星謀劃3D堆疊記憶體:10nm以下一路奔向2032年

快科技4月4日消息,3D電晶體正在各種類型晶片中鋪開,3D DRAM內存也討論了很多年,但一直沒有落地。如今三星公開的路線圖上,終於出現了3D DRAM。 三星的DRAM晶片製造工藝目前處於1b,後續還有1c、1d,都是10nm級別。 再往後的10nm以下節點,將分別命名為0a、0b、0c、0d,其中打頭的0a工藝預計2027年底-2028年初量產(月產能超過2萬塊晶圓),0d則要到2032年。 就在進入10nm之後,三星將全面開啟3D內存時代,首先引入VCT(垂直通道電晶體),看起來應該是基礎的FinFET類型,而非更先進的GAA。 大約2030-2031年的時候,三星將升級到堆疊DRAM,將多組VCT堆在一起,從而獲得更大容量、更高性能,看起來還會引入電容器作為輔助。 來源:快科技

QLC快閃記憶體玩出新境界 江波龍全球首發用於eMMC 意義深遠

3月20日,2024年中國快閃記憶體市場峰會(CFMS 2024)在深圳舉辦,匯聚全球存儲巨頭。 江波龍攜旗下品牌FORESEE和雷克沙(Lexar)帶來了多款全新自研的存儲產品,涵蓋QLC eMMC存儲晶片、LPCAMM2內存、CXL內存擴展模塊、NM/microSD/D存儲卡等等,快科技也與江波龍多位高層進行了一番深入交流。 江波龍董事長、總經理蔡華波在演講中,分享了江波龍從“存儲器廠商”向“半導體存儲品牌企業”全面轉型升級的戰略布局,以及如何突破主流經營模式20億美元營收的天花板。 蔡華波表示,江波龍堅持自主研發,已實現較完整的存儲晶片自主設計能力,掌握了SLC/MLC NAND快閃記憶體、主控晶片設計能力,尤其在SLC NAND快閃記憶體晶片已大規模量產。 同時,江波龍已構建起自有的高端封裝測試與製造中心,包括並購的元成蘇州、智憶巴西(Zilia),以及自建的中山數據中心存儲專線等領先的封測與製造基地,涵蓋了晶片設計、軟硬體設計、晶圓加工、封裝測試、生產製造等各個產業鏈環節。 產品層面,江波龍目前主打兩條線,FORESEE是行業類存儲品牌,雷克沙(Lexar)則定位國際高端消費類存儲品牌,覆蓋了存儲晶片、U盤、SSD、存儲卡、內存條等各類產品。 隨著QLC開始逐漸普及,江波龍率先將3D QLC引入了eMMC產品,全球首發了FORESEE QLC eMMC,滿足“降本擴容”的行業需求,尤其適合手機的大容量存儲。 它基於江波龍自研主控WM6000,以及獨特的QLC算法和自研固件,已達到可量產狀態,性能和可靠性媲美TLC eMMC。 接口協議支持eMMC 5.1,順序讀寫速度分別可以達到340MB/、300MB/,首發容量為128GB&256GB&512GB,根據市場需求可快速推出1TB版本。 對於江波龍為何首先在eMMC產品上導入QLC快閃記憶體,江波龍嵌入式存儲事業部產品總監陳永解釋說,QLC作為高密度、大容量、低成本的快閃記憶體介質,滿足了人們對存儲容量更大、成本更低的高要求。早在幾年前,江波龍就開始思考QLC用於eMMC的可行性,並通過眾多客戶交流、深度市場調查,以及與NAND 快閃記憶體原廠的積極溝通,從市場和資源兩方面發現了一定的實踐意義。 經過研發人員深度摸底,江波龍發現,QLC快閃記憶體在帶寬、讀取速度、整體可靠性等核心性能方面,已經有了很大提升,且在SSD領域,QLC正在追趕TLC,部分性能指標已經基本沒有差距。 針對QLC的特性,江波龍研究了固件算法,特別是LDPC糾錯機制,算法已經接近理論極限。 此外,江波龍的自研eMMC主控WM6000,在立項之初便以高要求作為標准,與QLC搭配恰好能發揮最佳性能。 因此,QLC eMMC新品的發布,對於嵌入式存儲產品發展來說具有重大的意義,體現了存儲技術的突破。 此外,江波龍在消費級、數據中心領域均有QLC SSD的產品計劃,目前處於研發預研中,旗下品牌雷克沙的消費級QLC SSD產品則已經上市,包括SATA、PCIe 3.0/4.0的產品,覆蓋全性能段。 江波龍的另一款首發新品是FORESEE LPCAMM2內存,支持LPDDR5、LPDDR5x,單條容量達16/32/64GB。 它擁有遠超傳統SO-DIMM內存形態的高集成度,體積減少了近60%,能效提升了近70%,功耗減少了近50%。 還有更高的128-bit位寬,速率也可以最高做到9600Mbps,大大超過DDR5 SO-DIMM 6400Mbps。 對比板載集成的LPDDR系列,它的模塊化形態不僅可擴展,而且可維護性更高。 江波龍DIMM部高級主任工程師張衛民也深入解讀了LPCAMM2高集成度帶來的眾多顯著優勢: 一是空間利用效率的提升,這對於追求輕薄設計的電子設備來說至關重要,能顯著減少主板空間占用,使設備更加緊湊。 二是性能的提升,高度集成的電路設計有助於提升數據傳輸和處理的速度,減少延遲,從而提高設備的整體性能。 三是能耗的降低,保持高性能的同時還節省能耗,延長續航時間。 四是生產成本的降低,高集成度設計可以減少生產過程中的物料和組件數量,簡化生產流程。 五是可靠性和穩定性的提升,使用螺絲固定,同時減少連接器和接口數量,可以降低接觸不良或松動等導致的故障風險,而且通過優化電路設計和採用先進的封裝技術,可以進一步提高可靠性和穩定性。 江波龍首款採用自研架構設計的FORESEE CXL 2.0內存拓展模塊也在此次峰會上發布並進行了演示,可滿足AI密集負載對存儲低延遲、高帶寬的苛刻要求,大大降低內存成本,提高利用率。 它形態是EDSFF E3.S,基於DDR5顆粒,已有容量包括64GB、128GB、192GB,正在研發更大的512GB。 傳輸接口走的是最新PCIe 5.0 x8,理論帶寬達32GB/,可與支持CXL規范、E3.S接口的背板和伺服器板無縫連接。 另一種形態則是AIC擴展卡,容量可以做得更大,現場展示的DDR4版本就已經做到了512GB,一個機箱插入8塊就可以達到4TB,非常適合用來做存儲池。 它走的是MCIO接口(未來會走PCIe接口),系統通道是PCIe 5.0...

美光展示256GB DDR5-8800 MCRDIMM記憶體:功耗為20W

快科技3月25日消息,據媒體報導,美光展示了單條256GB的DDR5-8800內存,屬於MCRDIMM模塊。 據悉,美光近期展示了其創新的單條256GB DDR5-8800內存,這款內存以非標准高度設計,同時為了滿足1U伺服器的需求,美光還推出了標准高度款。 非標准高度款內存採用了32Gb DDR5晶片,每面密集排列了40塊晶片,雙面合計達到80塊,充分展現了其高集成度的設計特點。 而標准高度款雖然同樣使用了32Gb DDR5晶片,但採用了2層堆疊封裝的方式,以適應更為緊湊的空間。 然而,這種設計可能會使得在有限空間內運行時,溫度稍高於非標准高度款,盡管兩款內存的高度不同,但它們的功耗均控制在大約20W,展現了出色的能效表現。 值得一提的是,美光此次展示的內存採用了MCRDIMM技術,這是由英特爾、SK海力士及瑞薩共同合作開發的。MCRDIMM,即多路合並陣列雙列直插內存模組,其初始規格為DDR5-8000,為高性能計算提供了強大的支持。 據去年英特爾的展示,當Granite Rapids處理器與DDR5-8800的MCRDIMM內存模塊搭配使用時,雙路系統的內存帶寬將高達驚人的1.5 TB/。 而Granite Rapids支持12通道內存子系統,每個通道可接入兩個內存模塊,若採用DDR5-8800的MCRDIMM內存模塊,其內存容量可達到3TB(12個插槽)或6TB(24個插槽),極大地提升了系統的數據處理能力,這一創新為高性能計算領域的發展注入了新的活力,期待未來能為我們帶來更多驚喜。 來源:快科技

華擎帶來DeskMax X600主機:AM5微塔,4槽記憶體+雙M.2+雙槽獨顯,1598元起

近日,華擎帶來了DeskMax X600主機。其採用了華擎自家的X600 ITX主板,使用了金屬噴粉工藝的全鋁合金機箱,曜石黑配色,帶有硬碟支架,無線網卡支持Wi-Fi 6和藍牙,提供了前置USB Type-C接口。目前新產品已登陸電商平台,提供了准系統及搭載AMD Ryzen 5 7500F的版本可選。 DeskMax X600(准系統,贈AMD原裝散熱器),價格為1598元,定金100元,京東地址:點此前往>>>DeskMax X600(AMD Ryzen 5 7500F版本),價格為2648元,定金100元,京東地址:點此前往>>> 華擎表示,DeskMax X600定位於微塔式桌面工作站,有著緊湊工整的結構設計,整機採用了2mm厚度的全鋁合金材料打造,擁有強大的被動散熱能力,導熱快,並具有防磨、耐刮、抗氧化和輕量化的特點。同時機箱採用了獨立側板設計,便於用戶日後安裝升級。 ...

5199元起 華碩新款破曉X mini電腦上市:支持96GB記憶體

快科技3月22日消息,華碩新款破曉X mini迷你電腦目前已上架,首發5199元起。 據悉,破曉X mini Ultra版具體型號為PN65,搭載Ultra 5 125H和Ultra 7 155H處理器,其中前者擁有4P+8E+2LPE,共14核心18線程的配置,最大睿頻4.5GHz;後者則為6P+8E+2LPE,共16核心22線程,最大睿頻4.8GHz。 華碩將兩者的TDP都設為35W,顯卡均為銳炬核顯,Ultra 5 125H擁有7個Xe核心,Ultra 7 155H則有8個Xe核心。 同時,破曉X mini Ultra版出廠自帶兩條8GB的DDR5-5600內存,為可更換設計,最高支持96GB(即兩條48GB內存)。 內部主板提供兩個PCIE 4.0 M.2插槽,並留有一個2.5英寸硬碟位,用以安裝SATA接口的硬碟。無線網卡支持WiFi7和藍牙5.4,散熱系統則為單風扇雙銅管直觸設計,銅底鋁制出風口鰭片。 接口方面,破曉X mini Ultra版正面配備一個USB 3.2 Gen 2 Type-C接口,兩個USB 3.2 Gen...

6999元 機械革命翼龍15 Pro筆記本24GB記憶體版上市:銳龍7 8845H

快科技3月20日消息,機械革命翼龍15 Pro筆記本24GB內存版本目前已上市,售價為6999元。 外觀上,翼龍15 Pro採用了ACD三面金屬設計,表面經過混合噴砂處理,機身厚度約19mm,重量約2kg。 性能方面,這款筆記本搭載了AMD 銳龍7 8845H,擁有基於Zen 4架構的內核,為8核心16線程,加速頻率為5.1GHz。同時配有英偉達RTX 4060移動顯卡,帶有8GB的GDDR6顯存,屬於140W的滿血版本,支持雙顯三模。 螢幕採用了15.3英寸IPS屏,屏占比達到了91.8%,解析度為2.5K,刷新率為240Hz,最高亮度為500nits,sRGB色域為100%,支持離電後自動切換刷新率。 散熱部分,它的散熱系統為雙風扇五熱管四出風口,並升級相變矽脂,風扇採用了液態滑動軸承,擁有89片0.2mm刃薄扇葉;提供了新一代Slim移動適配器,支持100W PD充電。 接口包括2個USB Type-C(其中一個為全功能Type-C),3個USB 3.2 Gen1、1個HDMI 2.1、1個Mini DP、1個RJ45網口和1個3.5mm二合一音頻口。 來源:快科技