Tag: PLC閃存

雖然已經將閃存業務出售給SK海力士，但是Intel還會繼續發展存儲芯片。日前的存儲峰會上，，包括670P、傲騰H20等，首發了144層TLC、QLC閃存，涵蓋消費級、企業級等多個市場。 對閃存/SD硬盤來說，有個目標就是要超越HDD硬盤，盡管現在大家都知道SSD硬盤性能、延遲性能秒殺HDD硬盤，但在總的TCO成本上，HDD硬盤是少不了的，SSD的問題依然是太貴。 但是未來2年是個關鍵點，Intel NAND產品與解決方案事業部高級副總裁兼總經理Rob Crooke日前表態，SSD硬盤正在縮小與HDD硬盤之間的差距，在2022年就會實現TCO及成本的交叉，也就是說SSD硬盤在成本上低於HDD硬盤。 2年時間就能在最關鍵的問題上超越HDD硬盤，這個預測比之前的樂觀多了，希捷曾經表態SSD在成本上永遠沒法超過HDD硬盤，而Intel認為2年後就可以。 Intel的信心來自新一代閃存，也就是QLC閃存之後的PLC閃存，其內部單元可以存儲5bit數據，容量相比QLC閃存再提升25%。 靠着PLC閃存的超大容量，再加上Intel力推的E1 Ruler（EDSFF）新規格，SSD硬盤未來可以實現1PB的容量，想想都帶感，雖然消費級市場可能永遠用不起。 不過PLC閃存的代價大家也都懂得，雖然Intel沒提，但是QLC閃存的可靠性、壽命及寫入速度都已經備受吐槽，PLC閃存只會更糟糕，就看廠商如何開發新技術緩解弊端了。 作者：憲瑞來源：快科技

最近幾個月NAND閃存的價格又開始轉跌了，廠商目前的主力是96層3D閃存，很快就要轉向新一代100+層堆棧了。在96層之後，Intel的144層QLC閃存現在已經完成開發，預計下半年量產，同時還在規劃新的PLC閃存。 144閃存是Intel第四代3D閃存，此前三代分別是32層、64層、96層，這也是Intel與美光分手之後獨立開發的新一代閃存，去年就已經曝光，將繼續使用傳統的FG浮柵極技術，該技術製造難度略高，但Intel簡稱其可靠性更好，比其他廠商的使用的CTP電荷肼技術更好一些。 根據最新消息，Intel的144層QLC閃存已經完成開發，預計今年下半年正式量產，核心容量依然是1024Gbit，從這一點上看跟96層QLC閃存的1024Gbit核心容量相比沒變化，不確定內部改進如何。 144層QLC閃存預計很快就會用於消費級及企業級SSD硬盤中，2018年也是Intel/美光率先量產了第一代QLC閃存，用於660P、P1等SSD硬盤中。 按照之前的規劃，今年底開始量產144層QLC閃存，預計2021年的SSD產品線就會全面轉向144層QLC閃存了，這將會進一步降低閃存的成本，提高容量。 除了QLC閃存之外，Intel還在開發PLC閃存，也就是5bit/cell，它理論上的容量比QLC閃存提升25%，進一步提高容量並降低存儲成本，但是PLC閃存更復雜，可靠性及性能都會下降，一直爭議不斷，目前還沒有一家NAND廠商宣布量產PLC的。 優惠商品信息>> 優酷會員 年卡5折 99元（7.10-7.12） 微軟商城活動促銷 Surface 翻新機折扣 作者：憲瑞來源：快科技

SSD硬盤現在已經開始從TLC閃存向着QLC閃存升級，未來很快還會升級到PLC，容量還會增加，但是代價就是寫入壽命越來越低。從行業報告來看，PLC閃存的P/E壽命最短只有35次。 我們都知道NAND閃存的一些基本特性，那就是隨着TLC、QLC及PLC的升級，P/E壽命會下降，同時製程工藝升級的話P/E壽命也會下降，雙重疊加之後先進工藝的QLC、PLC壽命就會很難看。 那下降的到底有多嚴重，從行業報告來看，SLC閃存在5xnm工藝下壽命有11000次P/E，在3X、2X、1Xnm工藝下會下降到10000、7500、5000次，總體還是耐看的。 MLC閃存在1xnm下壽命會減少到1500次，TLC則會極速下滑到500次，QLC再次下降一個量級到70次，PLC閃存則是直接降至35次，理論上就是35次全盤寫入就不行了。 從這些數據來看，QLC閃存及未來的PLC閃存顯然不夠看，不過也別擔心，上面的數據是2D NAND工藝下的，3D NAND閃存對工藝要求不高，P/E壽命還是可以看的。 特惠商品推薦>>作者：憲瑞來源：快科技

最近一段時間來，閃存的價格已經穩定下來，今年內估計不會大漲但也不會大跌，好在現在的價格也不算貴，該買的早點入手。對閃存廠商來說，QLC閃存逐漸變成主流，下一代就是PLC閃存了，儲存密度可達現有的1.9倍，4TB硬盤小菜一碟。 Intel在閃存方面一直是跟美光合作的，不過去年他們選擇分手了，最後合作的就是96層堆棧的3D閃存，有TLC及QLC兩種規格，其中QLC版容量可達1024Gbit，也就是1Tbit，算下來存儲密度達到了8.9Gbit/mm2，是目前所有3D閃存中最高水平。 再往後是144層3D閃存了，Intel要自己研發，不再跟美光合作了，因為美光會轉向CTP電荷肼技術，而Intel堅持FG浮柵極技術，盡管製造更高復雜，但可靠性、性能更好。 144層閃存肯定是QLC為主，不過之後Intel也會導入PLC，也就是每個cell單元存儲5位電荷，進一步提升存儲密度，但代價就是寫入速度、可靠性繼續降低，這也是沒法的事。 根據計算，從QLC到PLC容量提升25%，從96層到144層可以提升50%，那麼總體算下來PLC閃存的存儲密度提升了87.5%，可見這是多麼大的誘惑，廠商是不可能放棄PLC閃存研發的。 與現在最頂級的QLC閃存相比，PLC閃存將近2倍的容量使得超大容量SSD成為可能，現在常見的也就是1TB、2TB，PLC時代估計就是4TB起步了，最大容量超過100TB也稀鬆平常，畢竟目前TLC硬盤都可以做到32-64TB了。 作者：憲瑞來源：快科技

近日根據外媒消息，日前，Intel非易失性存儲解決方案負責人Rob Crooke透露，Intel的QLC SSD出貨量超1000萬。 她同時公布，基於144層3D QLC閃存（內部命名為Arbordale Plus技術，家族第四代閃存）的SSD（代號Keystone Harbor）會在今年底出貨，Intel准備在2021年內將整個SSD產品線都遷移到144層閃存芯片上。 主要顆粒廠技術對比 不僅如此，Intel確認，容量密度更高的PLC閃存（5bit/cell）也在緊張研發中。 此前，東芝（西數/鎧俠）也預告了PLC閃存的在研計劃。 雖然從理論上來說，PLC閃存的讀寫壽命較QLC會進一步下滑，但顆粒不行、主控來湊，這方面Intel還是頗具實力的。況且，假設其它條件不變，144層3D閃存較Intel現行的96層，容量將提升50%，也就是最快年底就能以現在1TB的價格買到1.5TB的Intel原廠SSD了，如此實實在在的優惠想必更能打動多數消費者。 另外值得一提的是，Intel的QLC閃存芯片主要在中國大連工廠生產。 來源：快科技

作為NADN閃存技術的發明者，凱俠（原來的東芝存儲）在新一代閃存研發上再次甩開對手，率先推出了Twin BiCS FLASH閃存技術，有望成為PLC閃存的最佳搭檔。 隨着3D閃存以及TLC、QLC閃存的普及，大容量SSD硬盤已經成為被桌面、筆記本及數據中心市場廣為接受。為了進一步提高SSD容量、降低成本，閃存廠商開始推100+層堆棧的3D閃存，但是層數越多，製造難度也會增加，而且還要在每個單元內容納更多的存儲電位，挑戰很大。 凱俠推出的Twin BiCS閃存是全球首個3D半圓形分裂浮柵極閃存單元，從這個比較拗口的專業名詞中可以看出它使用的技術主要有半圓形、分裂、浮柵極，簡單來說就是將傳統的浮柵極分裂為兩個對稱的半圓形柵極，利用曲率效應提高閃存P/E編程/擦除過程中的性能。 Twin BiCS閃存的P/E操作性能對比 雖然新型閃存中也有BiCS的字樣，但是現在的BiCS閃存是基於CTP電荷捕捉原理的，在進入3D閃存時代之後，幾乎所有閃存廠商都轉向了製造更簡單的CTP技術而放棄了FG浮柵極技術，最後堅持的兩家廠商中——美光在96層閃存之後也會放棄浮柵極技術，只有Intel還在堅持FG浮柵極技術，後者性能、可靠性更好，但是製造工藝復雜。 東芝的Twin BiCS閃存技術現在又回到了浮柵極技術路線上來了，未來有可能改變全球閃存技術的走向。 對於Twin BiCS閃存技術來說，優點還有一個，那就是分裂浮柵極減少了物理尺寸，使得使得同樣的單元里可以容納更多的電位——直白點說就是，Twin BiCS閃存也給QLC之後的PLC閃存鋪平了道路。 作者：憲瑞來源：快科技

從SLC、MLC、TLC到QLC，SSD的價格被拉下神壇，同時，容量密度也大幅提升。盡管QLC顆粒的SSD在市場上仍不算多見，可存儲巨頭們已經開始探討PLC（5bit/cell）的前景了。 PLC的電壓狀態驟增到32種，對主控提出了新的挑戰。 在介紹活動中，Intel透露，其3D PLC閃存將仍舊堅守使用浮柵型結構（Floating Gate），盡管當前3D閃存的主流結構是Charge Trap電荷捕獲型，但Intel指出，浮柵型在讀取干擾、數據保持期上更優秀。 有路邊消息稱，Intel和美光之所以在SSD上分手，原因是美光決定放棄浮柵轉向電荷捕獲，加入三星、東芝、SK海力士等大軍。三星曾強調，電荷捕獲相較浮柵技術，可以有效提升閃存的耐久度。 另外，Intel表示，今年將推出96層QLC存儲產品，明年首秀業內首款144層QLC固態硬盤，用於數據中心。 作者：萬南來源：快科技

隨着NAND閃存不斷跌價，上游的NAND廠商們也不斷推出更廉價的閃存解決方案，去年QLC閃存開始上市，這還沒等普及呢，業界今年開始討論起PLC閃存了，理論上它的性能、可靠性比QLC要再低一個量級。 SLC、MLC及TLC閃存大家已經比較熟悉了，QLC閃存指的是4bit MLC，每個cell單元可以存儲4位電荷，總計數有16組電壓變化，控制起來相當復雜，所以寫入速度更慢，可靠性也更差了。 PLC則是QLC之後的新一代閃存，代表着Penta-level cell，也就是每個cell單元存儲5位電荷，總計32組電壓，意味着寫入性能更慢，可靠性也會再差一個級別。 真正的PLC閃存性能還沒明確數據，但是QLC閃存在緩存用光之後，寫入速度可以低到100MB/s以內，比機械硬盤還要低，PLC的情況可想而知。 但是PLC閃存勢不可擋，因為它比QLC閃存還有25%的縮放優勢，這對廠商來說是不能錯過的機會，所以今年以來東芝、西數等公司都在討論PLC閃存的可能。 好消息是PLC閃存短時間內還無法進入市場，目前各大廠商還在研發中，最快明年才能准備產品，2021年之前不太可能上市。 作者：憲瑞來源：快科技