Home Tags PowerVia

Tag: PowerVia

Intel代工收入暴漲3倍 20A、18A工藝進展神速

近日,Intel公布了2023年財年第二季度財報,總營收129億美元,淨利潤15億美元,實現扭虧為盈。 其中,IFS代工服務營收達到2.32億美元,同比增長多達307%! Intel CEO帕特·基辛格在解讀財報時也特別指出,二季度業績表現超出指引上限,主要歸功於在戰略重點上的持續執行,包括增強代工業務的發展,並穩步推進產品和製程工藝技術路線圖。 Intel開啟全新的IDM模式後,不斷深入改革,代工製造部門的財報也改為獨立核算,獨立參與市場競爭,目的自然是刺激製造工藝的加速創新與落地。 目前,Intel仍在繼續穩步推進四年五個工藝節點的計劃,包括全新的Intel 20A(可粗略理解為2nm)、Intel 18A(1.8nm)將同時引入PowerVia背面供電、RibbonFET全環繞柵極兩大全新技術,18AG更是將成為Intel重奪先進工藝制高點的關鍵。 就在不久前,Intel宣布,將於2024年上半年20A工藝上正式落地,首款客戶端消費級產品代號Arrow Lake,目前正在晶圓廠啟動步進(First Stepping)。 測試結果表明,基於Intel 4工藝、Meteor Lake能效核心的測試表明,PowerVia可實現6%的頻率增益,以及超過90%的標准單元利用率,而且調試時間與Intel 4一樣,在可接受的范圍內。 18A工藝也正在推進內部和外部測試晶片,有望在2024年下半年實現生產准備就緒。 目前,Arm已經和Intel簽署代工協議,將利用Intel 18A工藝,開發低功耗的SoC晶片。 瑞典電信設備商愛立信也將採用Intel 18A,製造定製化的5G系統級晶片。 來源:快科技

英特爾將在VLSI研討會介紹PowerVia技術成果,稱實現了晶片製造的突破

在2021年7月的「英特爾加速創新:製程工藝和封裝技術線上發布會」上,英特爾CEO帕特-基爾辛格(Pat Gelsinger)展示了一系列底層技術創新,表示將憑借RibbonFET和PowerVia兩大突破性技術開啟埃米時代。 其中RibbonFET是對Gate All Around電晶體的實現,將成為英特爾自2011年推出FinFET以來的首個全新電晶體架構。該技術加快了電晶體開關速度,同時實現與多鰭結構相同的驅動電流,但占用的空間更小。PowerVia是英特爾獨有的、業界首個背面電能傳輸網絡,通過消除晶圓正面供電布線需求來優化信號傳輸。 英特爾已宣布,在下周的VLSI研討會發表新論文,介紹PowerVia技術的成果。英特爾表示,測試結果顯示,PowerVia技術具有領先行業的性能表現。 英特爾表示,藉助PowerVia這項新的供電技術,實現了晶片製造的新突破,將顛覆晶片製造業。英特爾計劃在2024年上半年推出的Intel 20A工藝,將率先引入PowerVia技術,以解決縮放區域中日益嚴重的互連瓶頸問題,將供電移到晶圓背面使得電力傳輸的利用率超過了90%,並在其他方面也會獲得收益。 據英特爾介紹,開發團隊打造了名為「Blue Sky Creek」的晶片進行測試,其基於Meteor Lake所使用的E-Core,結果表明PowerVia解決了過往製造方法中存在的兩個問題,新技術可以帶來更好的電力傳輸和信號布線,同時頻率也提高了5%以上。 明年消費者可以通過Arrow Lake感受到PowerVia的諸多優勢,這是一款採用Intel 20A工藝製造的處理器,比以往任何時候都更有效率。英特爾稱,PowerVia技術的出現使其在背面供電方面領先競爭對手大約兩年。 ...