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快科技5月1日消息，現如今，QLC快閃記憶體已經逐漸普及，但很多人依然對高性能、長壽命的SLC、MLC快閃記憶體念念不忘。 計算機工程師、TechPowerUp資料庫維護者、技術大牛Gabriel Ferraz就完成了一次壯舉，愣是將一塊QLC SSD改造成了SLC SSD，效果還不錯。 他用的是一塊英睿達BX500，2.5英寸，SATA接口，慧榮SM2259XT2主控(還用過SM2258XT)，四顆美光QLC快閃記憶體，總容量480GB(原始快閃記憶體容量512GB)。 快閃記憶體的原始序列號NY240，這至關重要，因為不是任何QLC都可以改造。 他使用了高手們很熟悉的MPTools量產工具，更改快閃記憶體序列號，刷入新固件，最終得到了一塊SLC SSD，代價就是容量縮減為四分之一，只有120GB(原始快閃記憶體容量128GB)。 改造後的120GB SLC SSD，壽命達到了驚人的4000TBW，是改造前壽命的大約30倍！ 受制於SATA 6Gbps接口的帶寬，讀寫性能基本沒有變化，最高還是在500MB/左右，但是延遲和訪問時間有明顯提升。 不知道，PCIe TLC SSD能不能如此改造，獲得性能、壽命的雙雙飛躍呢？ 來源：快科技

如今的SSD，在快閃記憶體介質上早已經是TLC遍地走、QLC越來越多，很多玩家非常懷念當年的MLC，甚至是最初的SLC。 原因無它，MLC、SLC的可靠性非常高。 快科技9月21日消息，Solidigm宣布推出其首款面向數據中心市場的超高速SLC SSD——D7-P5810。 它使用了久經考驗的144層堆疊3D快閃記憶體，但確切地說並不是原生SLC(已經絕跡了)，而是使用TLC全盤模擬SLC，專門面向高耐用性、極致寫入密集型的工作負載，Solidigm稱之為存儲級內存(SCM) SSD。 在隨機寫入場景中，它可以做到每天最高50次全盤寫入，而順序寫入更是可達每天最高65次全盤寫入。 對比美光XTR這樣的同類產品，Solidigm D7-P5810的緩存、高性能計算、數據記錄、日誌等多方面性能可高出2倍，而所需成本降低了超過80％。 應用場景簡介—— 元數據/日誌：將此類對性能敏感的數據放在SLC SSD中，從而加快系統性能，例如在Ceph集群中將SLC SSD用於專用預寫式日誌中。 緩存：SLC SSD可充當寫緩沖器或緩存，消除性能瓶頸，顯著提高應用性能，改善TCO。 分層：首先將數據寫入SLC SSD中，獲得更快的提交速度和後續讀取速度，待數據冷卻後，再將其聚合、壓縮、批量寫入下層的高容量QLC SSD，實現更高的存儲空間效率。 D7-P5810採用15毫米厚度的U.2形態，首發容量800GB，明年上半年將增加1.6TB版本。 它支持PCIe 4.0 x4、NVMe，順序讀寫速度最高6.4GB/、4GB/，4K隨機讀寫速度最高865000 IOPS、495000 IOPS，典型順序讀寫延遲10μs、13μs，典型隨機讀寫延遲53μs、15μs，空閒功耗5W，活動功耗12W。 可靠性方面，5年質保，平均故障間隔時間200萬小時，終身最大寫入量73PBW，無法糾正錯誤率(UBER)小於10^17。 來源：快科技

Solidigm今天宣布，他們推出自家旗下首款面向數據中心市場的超高速SLC SSD——D7-P5810，它使用Solidigm久經考驗的144 層堆疊3D NAND，採用PCI-E 4.0接口。 作為Solidigm高性能D7系列的心成員，D7-P5810專為高耐用性和極致寫入密集型工作負載而設計，面對隨機數據寫入可提供50次的每天全盤寫入，而連續數據寫入的話更是可提供65 DWPD，與同類產品相比，可將緩存、高性能計算、數據記錄、日誌等多方面性能提升最多2倍，更重要的是所需成本不到非NAND SCM技術的20%。 Solidigm D7-P5810目前已推出800GB的容量，採用U.2 15mm盤型，連續讀取速度6400MB/s，連續寫入速度4000MB/s，最大隨機讀取865,000 IOPS，最大隨機寫入495,000 IOPS，1.6TB版本將在2024年上半年推出。 Solidigm D7-P5810非常適合作為QLC SSD的加速器，並為以下使用場景帶來顯著優勢： 元數據/日誌：將元數據或日誌等對性能敏感的數據放在SLC SSD中，以此加快系統性能。例如在Ceph集群中將SLC SSD用於專用預寫式日誌中。 緩存：SLC SSD可充當寫緩沖器或緩存，助力消除性能瓶頸，顯著提高應用性能，改善TCO。 分層：首先將數據寫入SLC SSD中，由此獲得更快的提交速度和後續讀取速度。待數據冷卻後，再將其聚合、壓縮、批量寫入下層的高容量QLC硬碟中，從而在該介質上實現更高的存儲空間效率。此外，雲存儲加速層等寫入整形軟體提供了更進一步的解決方案，使得QLC SSD在密度、TCO和可持續性等方面的價值可以在更多工作負載當中得到體現。 ...

硬碟有價，數據無價，這是很多玩家都體驗過的教訓，硬碟一旦損壞會導致嚴重後果——數據丟失，這個問題在SSD硬碟普及之後愈發嚴重，因為SSD硬碟恢復數據的難度更大。 硬碟數據恢復已經是個比較成熟的產業，此前主要針對HDD硬碟，現在SSD硬碟占比越來越多，由於獨特的機制，SSD硬碟在出故障之後恢復數據是很難的。 SSD不好恢復數據與多方面因素有關，日本一家名為DDS（數字數據解決方案公司）日前在采訪中做了介紹，該公司連續11年位列日本數據恢復市場第一，恢復率高達95.2%，SSD硬碟數據恢復也是公司的核心技術。 SSD比HDD硬碟更難恢復數據主要有2個原因，首先是SSD發生故障很難找到原因，不像HDD硬碟那樣可以目視劃痕、磁頭位置或者聲音異響來判斷。 其次，由於SSD硬碟獨特的原理，為了防止快閃記憶體性能劣化，寫入位置需要不停變化，在SSD故障中80%都是跟固件損壞有關，所以無法准確得知寫入數據的位置。 這兩個原因導致了SSD硬碟損壞之後很難恢復數據，不過DDS公司有很深的積累，其他公司解決不了的問題，也會找到他們出手，只不過他們怎麼恢復數據就是公司機密了。 對於SSD故障，DDS公司的專家表示現在SSD硬碟容量越來越大，但增加密度也會降低質量，更容易發生錯誤，為了穩定使用，他建議選擇SLC快閃記憶體的硬碟。 來源：快科技

作為嵌入式存儲解決方案的全球領導者之一，SkyHigh Memory 正在推出 3.0V 的 1Gb - 4Gb（4K 頁面）和 2KB ML-3 系列 NAND Flash 。為確保優異性能，SkyHigh SLC NAND 快閃記憶體新品採用了業內領先的 1x nm 工藝製程。需要指出的是，該公司初代串行（SPI）與第三代並行 SLC NAND 提供了不同的接口，且完善了已投產的...

鎧俠(原東芝存儲)今天宣布，新一代企業級NVMe SCM SSD解決方案「FL6」正在出樣。 如果沒記錯的話，這是全球第一款採用SLC快閃記憶體的PCIe 4.0 SSD。 鎧俠FL6基於自家的儲存級存儲器(SCM)方案「XL-Flash」，採用了自家創新的BiSC 3D SLC快閃記憶體技術，容量起步800GB，最大可達3.2TB。 當然，MLC快閃記憶體如今都已經幾乎絕跡了，SLC更是早就成為傳說，鎧俠的XL-Flash也不是當年那種2D SLC，而是，可以簡單理解為一種採用3D立體封裝、延遲超低的SLC快閃記憶體。 它其實有點類似Intel與美光聯合搞出來的3D XPoint，介於傳統DRAM記憶體、NAND Flash快閃記憶體之間，擁有更高的速度、更低的延遲、更大的容量，而且成本相對較低，不但可用於SSD固態硬碟，甚至也可用於NVDIMM記憶體條，傲騰就是這麼玩的。 NAND Flash XL-Flash 鎧俠FL6配備原生雙埠，支持PCIe 4.0、NVMe 1.4標準規范，支持NVMe-oF部署，但未披露具體讀寫性能。 可靠性方面，支持250萬小時的平均故障間隔時間，每天全盤寫入次數可高達60次，3.2TB容量就是每天可最多寫入超過200TB。 TLC SSD典型壽命也就每天0.3-0.4次全盤寫入，這差距…… 此外，它還支持SED、FIPS-2全加密。 價格？這種東西你問價格？ 來源：快科技

回顧過去十年的 SSD 發展史，可見固態硬碟的速度和性價比都變得越來越高。大約十年前，32GB / 64GB SSD 的價格可能高達 500 / 1100 美元。現如今，不到 150 美元就能買到 1TB 型號。然而隨著一項被稱作 X-NAND 的新技術的問世，這一趨勢還將得到進一步的延續。 X-NAND 詳細介紹（PDF） 為了在每個存儲單元塞入更多的數據位，快閃記憶體已從 1-bit 的 SLC，逐漸發展到了 2、3、4-bit 的...

在快閃記憶體類型上，大家都知道SLC快閃記憶體性能、可靠性是最好的，但是它的成本是最貴的，所以現在主流的是TLC、QLC快閃記憶體了，連MLC快閃記憶體都很罕見了。Cervoz公司日前推出了一種RO-MLC快閃記憶體，可靠性、成本都很有優勢。 Cervoz是一家專業做工業及嵌入式產品的公司，成立於2006年，產品主要是工業級的存儲及快閃記憶體，還有DRAM記憶體等，在全球都有客戶，特別是工業4.0、軍工、國防、車載電子、電信網絡等等。 他們推出的RO-MLC全名為Reliability-Optimized MLC，意為可靠性優化的MLC快閃記憶體，本質也是MLC快閃記憶體，但自己開發了特殊的固件，可以讓它以模擬SLC快閃記憶體的方式運作，所以容量也會減半，但提高了可靠性、耐用性。 根據他們公布的數據，RO-MLC快閃記憶體的P/E壽命可達20000次，雖然與SLC的60000次還有不少距離，但比MLC的3000次好太多了。 性能方面，RO-MLC快閃記憶體的讀取可達520MB/，寫入470MB/，前者比SLC/MLC沒好多少，但寫入性能高於SLC，是MLC快閃記憶體的兩倍。 其他方面，RO-MLC快閃記憶體數據保持能力是MLC的5倍，可靠性是10倍，成本則是SLC快閃記憶體的1/4-1/6。 總之，這種模擬SLC快閃記憶體的RO-MLC當然比不上真正的SLC快閃記憶體，但綜合壽命、性能、成本來說，還是要比MLC好（成本也會更貴，他們不說而已），適合對可靠性要求比較高的領域。 來源：快科技

做為最早問世的快閃記憶體類型，SLC快閃記憶體在性能、可靠性上是最佳的，P/E擦寫次數在1萬到10萬次之間，遠超MLC、TLC、QLC快閃記憶體。 不過SLC快閃記憶體成本也是最高的，而且容量也不如其他的快閃記憶體類型，所以近年來應用市場越來越狹窄，主流市場已經銷聲匿跡，生產廠商也越來越少。 旺宏電子日前透露，該公司研發的19nm SLC快閃記憶體進展順利，良率極佳，新產品新應用已經進入驗證階段。 旺宏表示，他們的SLC快閃記憶體率先實現了在主晶片處理ECC的創新主張，已成為最佳品質及成本效率典範；19nm SLC NAND也取得 NAND 重要成本優勢，全面進入業界領先製程。 不過旺宏電子並沒有透露SLC快閃記憶體的具體規格及產品信息。 除了SLC快閃記憶體，旺宏也在研發3D快閃記憶體，48層堆棧的3D快閃記憶體已經完成研發，很快會量產，後續則會沖刺192層3D快閃記憶體。 來源：遊民星空

做為最早問世的快閃記憶體類型，SLC快閃記憶體在性能、可靠性上是最佳的，P/E擦寫次數在1萬到10萬次之間，遠超MLC、TLC、QLC快閃記憶體。 不過SLC快閃記憶體成本也是最高的，而且容量也不如其他的快閃記憶體類型，所以近年來應用市場越來越狹窄，主流市場已經銷聲匿跡，生產廠商也越來越少。 旺宏電子日前透露，該公司研發的19nm SLC快閃記憶體進展順利，良率極佳，新產品新應用已經進入驗證階段。 旺宏表示，他們的SLC快閃記憶體率先實現了在主晶片處理ECC的創新主張，已成為最佳品質及成本效率典範；19nm SLC NAND也取得 NAND 重要成本優勢，全面進入業界領先製程。 不過旺宏電子並沒有透露SLC快閃記憶體的具體規格及產品信息。 除了SLC快閃記憶體，旺宏也在研發3D快閃記憶體，48層堆棧的3D快閃記憶體已經完成研發，很快會量產，後續則會沖刺192層3D快閃記憶體。 來源：快科技

SSD硬盤的壽命問題讓人很無奈，雖然3年質保時間內寫死的SSD極為罕見，但是廠商推出的低價SSD也在不斷拉低SSD壽命期限，西數日前推出的SN350系列硬盤寫入壽命只有40TBW了，最高也不過80TBW。 ...

現如今，QLC閃存都已經逐漸普及了，還有誰記得SLC？論性能、可靠性它是MLC、TLC、QLC都無法比擬的，但是成本太高，容量密度也偏低，如今已經基本絕跡，只在極少數特殊產品中還存在。 西數今天發布了面向工業級、車載級市場的全新NVMe SSD IX SN530系列，包括工廠自動化、交通、醫療、機器人、無人機、國防、零售等等各種惡劣環境，可承受極端溫度，提供極高可靠性。 西數的IX SN530系列採用M.2 2280、M.2 2230形態，長度分別為80mm、30mm，支持PCIe 3.0 x4、NVMe 1.4。 閃存顆粒有兩種，96層SLC的容量為85GB、170GB、340GB，96層TLC的容量為256GB、512GB、1TB、2TB。 性能方面，SLC的持續讀寫最高2400MB/、900-1950MB/，隨機讀寫最高160-410K IOPS、180-350K IOPS，TLC的持續讀取都是2400MB/，持續寫入只有140-540MB/，隨機讀寫最高為160-410K IOPS、85-350K IOPS，1TB性能是最好的。 讀寫壽命方面，SLC是碾壓式的存在，最大寫入量分別為6000TBW、12000TBW、24000TBW，按照5年時間的話就是每天近39次全盤寫入。 TLC的也不算很差，分別有650TBW、1300TBW、2600TBW、5200TBW，5年算下來每天1.4次全盤寫入，也大大優於普通TLC。 它們可以在-40℃到85℃的溫度范圍、-460米到12200米的海拔范圍內正常工作，可承受20G的震動、1500G的沖擊，55℃溫度環境中數據可保持1年，平均故障間隔時間300萬小時，並支持端到端數據保護、3-gear LDPC糾錯引擎、NAND XOR保護多重頁面恢復、自動數據刷新等技術。 價格？工業級產品講什麼價格…… 另外，西數藍盤SN550還新增了2TB大容量型號。 還是支持PCIe 3.0 x4，相比於1TB型號持續讀取從2.4GB/提高到2.6GB，但其他三個指標都降低了：持續寫入從1.95GB/降至1.8GB/，隨機讀寫從410K IOPS、405K IOPS降低至360K IOPS、384K IOPS。 壽命也略有縮水，容量翻番的同時，總寫入量只是增加一半來到900TBW，每天全盤寫入從0.33次來到0.25次。 現有型號正在搞促銷活動，1TB 789元、500GB 415元、250GB...

AMD銳龍平台有一個名為StoreMI的加速技術，可以讓SSD固態硬盤、HDD機械硬盤結合在一起，大大提升數據讀寫、應用啟動、系統開機的速度，而且隨着銳龍3000XT的發布，StoreMI還升級到了2.0版本，加速效果更明顯，數據安全也更有保障。 當然，這個技術並不是AMD自己做的，而是來自一家名為Enmotus的公司，基於他們的FuzeDrive軟件。 現在，Enmotus公司從幕後走到了台前，發布了自己的首款SSD產品，取名為「FuzeDrive NVMe SSD」，在加速方面同樣很有特色。 這是一塊標準的M.2 2280 SSD，採用群聯E12主控，支持PCIe 3.0 x4，搭配某家96層堆疊3D QLC閃存，容量1.6TB，標稱持續讀寫速度最高3.74GB/、3.0GB/，最大寫入量5000TBW。 散熱設計上，Enmotus也為其配備了體積龐大的散熱片，甚至有專門的外殼保護。 它最特殊的地方在於配備了128GB容量的永久性SLC緩存，而且這部分是在1.6TB可用容量之外的，因此猜測原始閃存容量應該是2TB，另外它還可以搭配最多15TB容量的機械硬盤，對其進行加速，而且對硬盤尺寸(2.5/3.5英寸均可)、單塊容量都無要求。 在SLC緩存與QLC閃存、其他硬盤之間，FuzeDrive軟件和固件負責熱數據的轉移。 拿出足足八分之一的容量作為高速緩存，效果自然立竿見影，128GB足以保證幾乎所有應用都可以隨時在最高速度下運行，不會輕易耗盡緩存而掉到QLC閃存的性能，同時壽命也更持久，官方宣稱可以保證達到3萬次P/E。 FuzeDrive SSD的價格為349美元，約合人民幣2470元。 折扣商品信息>> 作者：上方文Q來源：快科技

憑借領先一代的PCM相變存儲技術3D XPoint，Intel的傲騰系列記憶體/SSD在企業級市場上占了上風，延遲超低，壽命也遠超閃存。 為了跟傲騰對抗，三星推出了Z-NAND閃存，鎧俠、西數則推出了XL-Flash閃存，他們的思路都是差不多的，在現有3D NAND閃存基礎上犧牲容量換取性能，另類復活了SLC閃存。 據介紹，XL-Flash閃存被定義為SCM（存儲類記憶體），介於傳統DRAM記憶體、NAND Flash閃存之間，擁有更高的速度、更低的延遲、更大的容量，而且成本相對較低，初期將用於SSD固態硬盤，未來也可用於NVDIMM記憶體條等傳統DRAM領域產品。 在ISSCC 2020國際會議上，鎧俠公布了XL-Flash閃存的一些特性，日本PCWatch網站做了報道，簡單來看下這種新型閃存的優勢到底在哪里。 上面已經說了，XL-Flash的思路就是在3D堆棧基礎上復活SLC，其內部存儲的數據降低到了1bit，也就是SLC類型，這就註定了它的容量會比較低，核心容量只有128Gb（16GB），相比現在動輒TLC 512Gb甚至QLC 1.33Tb的容量小了很多。 當然，這還是在使用了96層3D堆棧的基礎上的，如果是平面時代的SLC閃存，核心容量恐怕還要再小幾倍，現在128Gb核心容量基本上還是能保證大容量可用性的。 犧牲容量換來的是性能提升，XL-Flash閃存採用了16-Plane架構，延遲只有普通3D閃存的1/20，具體來說是讀取延遲4us，寫入延遲75us，要比超過500us延遲的3D TLC閃存好太多了，比三星的Z-NAND閃存的100us也要好些。 此外，XL-Flash閃存的4K隨機性能也大幅提升了，IOPS更高，不過這里沒具體的數據對比。 至於存儲密度，復活SLC閃存的代價也是有的，96層堆棧3D TLC閃存、512Gb核心的面積是86.13mm2，現在128Gb XL-Flash閃存就有96.34mm2，存儲密度低了3-4倍。 最後，XL-Flash閃存還有個問題就是商業化，Intel的傲騰記憶體及SSD都上市一兩年了，鎧俠的XL-Flash目前為止還沒有量產，之前的消息說是2020年才會大規模量產，看樣子還得等等。 作者：憲瑞來源：快科技

PHISON群聯是一家存儲解決方案供應商，不直接銷售固態硬盤產品，而是向各家固態硬盤廠商提供包括主控和固件在內的軟硬件方案，並可提供代工服務。在今年的CES大展上，群聯以QLC為主題，展出了8TB容量的M.2 NVMe固態硬盤和16TB容量的SATA固態硬盤方案。 上圖從左到右分別是PS3112-S12、PS3113-S13和PS5012-E12三種方案，前邊兩個是SATA接口，後邊的E12是PCIe 3.0 x4接口，均可搭配3D TLC或3D QLC閃存。 現場展品中與主控搭配的是美光N28，96層堆疊3D QLC閃存，每個顆粒中封裝了8個1024Gb die組成1TB容量。 由於E12S主控體積的優化，M.2 2280規格現在可以安置下8顆閃存，達到8TB的總容量。如果是單面PCB配置，也能達到4TB容量滿足家用電腦所需。 除NVMe之外，群聯還更新了SATA主控產品線，PS3112-S12和PS3113-S13分別針對高端和性價比市場，後者可能採用了DRAM-Less無外置緩存設計，類似於當前常見的PS3111-S11主控。而PS3112-S12則可以認為是PS3110-S10的延續，配備DRAM緩存的同時還可能具備更多的閃存通道，提供給高端SATA固態硬盤選用。高達16TB容量的SATA SSD可適用於NAS網絡存儲服務器，或者作為家用電腦的數據倉庫盤。 PHISON群聯還同Enmotus聯手，將數據分層算法植入到SSD固件當中，融合高耐久度SLC閃存和大容量QLC閃存各自的優勢，製造出名為MiDrive的新型混合固態硬盤。 AMD StoreMI數據分層加速軟件實際就是Enmotus的作品，而這一次Enmotus和群聯合作，將數據分層算法固化到SSD硬件當中，用戶無需安裝軟件就能同時享用SLC和QLC兩種閃存各自的優勢。 來源：快科技

綠芯(Greenliant)旗下的EnduroSLC超耐久閃存技術最近相當活躍，接連發布了一系列產品，涵蓋SATA、mSATA、M.2、CFast、BGA等各種形態。 今天，綠芯又發布了NVMe U.2形態的EnduroSLC G7200 EX系列工業級企業SSD，構成了一個完整的大家庭。 EnduroSLC是綠芯開發的3D NAND專有管理技術，基於3D SLC閃存顆粒，擁有先進的硬件ECC功能、NAND管理算法，可顯著提升SLC SSD的擦寫耐久性，在復雜溫度條件下實現超強的數據保存能力，比如高度交叉溫度范圍內的數據寫入和讀取，而且誤碼率極低，在整個產品生命周期內讀寫性能一致性更好。 本次發布的U.2版本，容量有800GB、960GB、1.6TB、1.92TB四種可選，最高持續讀寫速度分別可達2.6GB/s、1.9GB/s，而且擁有極高的耐久性，支持每天全盤擦寫30次，而且壽命不小於5年。 此外，新硬盤還支持片上自適應RAID，可提升固態盤的可靠性，支持斷電數據保護，可防止意外斷電造成數據損壞，支持AES-256安全加密和安全擦除，工作溫度范圍從零下40℃到零上85℃。 綠芯U.2 EnduroSLC G7200 EX系列硬盤現已出樣，很快就會批量供貨。2020年第一季度還會增加使用3D TLC閃存的G7200 PX系列，容量960GB-3.84TB不等。 作者：上方文Q來源：快科技

除了10倍壽命的JetFlash 910系列U盤之外，創見還發布了新一代寫不死的M.2硬盤，使用的還是東芝BiCS 4 3D TLC閃存，但專有SLC模式使得寫入次數高達10萬次，是普通閃存的30多倍，一樣寫不死的。 創見這款硬盤型號為TSXXGMTS952TX，這麼奇怪的編號一看就知道不是針對消費級市場的，而是工業及嵌入式市場的，追求的就是超強壽命，P/E壽命可達10萬次，這是目前MLC、TLC遠遠做不到的，只有SLC閃存才有可能有這樣的壽命。 不過這款M.2硬盤並不是SLC閃存，還是東芝BiCS 4技術的3D TLC閃存，超強壽命是通過SLC模式實現的，同樣是犧牲容量換壽命的路線。 此外，這款M.2硬盤的性能也很一般，即便配備了自家的高性能FGT DRAM緩存，讀取速度也只有560MB/s，寫入速度420MB/s，隨機讀寫也只有56K、75K IOPS的水平，完全就是SATA模式的M.2硬盤，反正特種市場上對性能並不在意。 創見這款硬盤的容量也不算高，只有64GB、128GB及256GB三種，畢竟犧牲了2/3的容量換可靠性，但TBW壽命分別是3600TBW、7200TBW及14400TBW，也是普通硬盤至少30多倍的水平。 作者：憲瑞來源：快科技

如今市面上的SSD固態硬盤閃存以TLC、QLC閃存為主，而長壽命、高可靠的SLC、MLC已經退出消費級市場，只能在企業級、工業級、嵌入式等一些特殊領域找到，尤其是最早的SLC幾乎絕跡。 綠芯半導體(Greenliant)最近就連續發布了一系列基於其獨家超耐久SLC閃存的SSD產品，包括NANDrive EX系列、ArmourDrive EX系列，均支持多達25萬次最多編程/擦寫循環。 現在，綠芯又發布了2.5英寸、SATA接口的EX系列EnduroSLC工業級企業SSD，專為在苛刻環境下需要擦寫超耐久性的主存儲應用設計，可在超長的時間內保存數據。 它使用了3D SLC閃存顆粒，依然搭配綠芯標志性的EnduroSLC。這是綠芯開發的3D NAND專有管理技術，擁有先進的硬件ECC功能、NAND管理算法，可顯著提升SLC SSD的擦寫耐久性，在復雜溫度條件下實現超強的數據保存能力，比如高度交叉溫度范圍內的數據寫入和讀取，而且誤碼率極低，在整個產品生命周期內讀寫性能一致性更好。 新的2.5英寸SATA EX系列容量有800GB、960GB、1.6TB、1.92TB四種規格，都支持每天30次全盤擦寫，壽命不小於5年，也就是終生寫入量少則41PB、多則103PB。 硬盤支持片上自適應RAID，可提升固態盤的可靠性，支持斷電數據保護，可防止意外斷電造成數據損壞，適應工作溫度范圍從零下40℃到零上85℃，還支持AES 256-bit加密和安全擦除。 目前，綠芯的EnduroSLC產品家族已經枝繁葉茂，還包括SATA M.2 2242/2280、mSATA、SATA 2.英寸、CFast ArmourDrive SATA 6Gb/s NANDrive、100-ball/153-ball eMMC NANDrive BGA SSD系列。 作者：上方文Q來源：快科技

隨著工藝製造等技術的發展，現在NAND快閃記憶體的容量越來越大了，而且現在的TLC顆粒壽命也已經有不錯的表現了。所以現在為了更大的容量，多層堆疊的TLC顆粒已經成為當前市場的主流，甚至QLC也逐漸在市場上鋪開。但SLC等技術依舊有著應用前景，在去年的快閃記憶體峰會中，東芝公布了XL-FLASH技術，到今年，東芝將會公布包括量產等信息。 圖片來自Anandtech 根據Anandtech的報導，東芝首片XL-FLASH將使用128Gb的裸片，並且分割成16個平面以提供相對於現在面向容量的3D NAND快閃記憶體更強的並行性。XL-FLASH快閃記憶體的頁面大小為4KB，也明顯小於當前大多數3D NAND快閃記憶體，不過由於XL-FLASH的單元只存儲1位而不是像現在TLC或QLC存儲3為或4位，所以小頁面大小也是正常的。同時東芝到目前也沒有透露擦除塊大小，但應該是要比目前大容量NAND快閃記憶體要更小的。 性能是東芝推出XL-FLASH的關鍵，東芝稱其讀取延遲小於5微秒，而相比之下3D TLC約為50微秒。這個提升還是很大的。 而且在本屆快閃記憶體峰會上，Memblaze也展示了首款採用XL-FLASH快閃記憶體的超低延遲SSD，並且將於英特爾的傲騰及三星的Z-NAND快閃記憶體進行競爭。根據Anandtech的報導，Memblaze也採用了公司專有的SSD控制器與XL-FLASH搭配。而且其聲稱PBlaze5 X26系列SSD擁有低於10微秒的4K隨機寫入延遲和平局低至26微秒的4K回合讀寫延遲。雖然相比英特爾的傲騰SSD還是要高一些，但售價應該要相對便宜一些。 圖片來自Anandtech 雖然當前的3D NAND快閃記憶體在順序讀寫及容量上有了非常大的提升，但隨機性能等方面依舊有很大進步空間。英特爾已經推出了基於3D Xpoint的傲騰SSD，三星也推出了Z-NAND快閃記憶體，提供更低的延遲及更好的性能表現。現在東芝也加入到高性能NAND晶片的研發生產中，未來高性能SSD市場競爭會更加激烈。 ...

在今天開幕的三星Tech Day會議上，三星不僅宣布了7nm EUV、16Gb GDDR6顯存等新工藝、新產品及新技術，SSD方面也更新了路線圖，未來的重點就是96層堆棧的3D TLC快閃記憶體以及QLC快閃記憶體，其中TLC快閃記憶體陣容擴大，多款新品性能提升，容量最大可達30.72TB，而QLC快閃記憶體無疑是下一步的重點，除了1Tb核心的還會有512Gb核心的，性能更好，功耗更低，消費級的QLC硬碟860 QVO、980 OVO也確定了，不過規格沒公布。 Anandtech網站詳細介紹了三星SSD產品路線圖的變化，首先來看TLC快閃記憶體方面的。 TLC快閃記憶體創新高 目前64層堆棧3D TLC快閃記憶體的970 EVO、PM981將會被新的970 EVO Plus、PM981a取代，容量沒變化，依然是250GB到2TB，主要提升在連續寫入方面，不過PM981a的隨機性能也明顯提升了可以達到970 EVO及970 EVO Plus的水平。 用於數據中心SSD市場的PM983將被PM983a取代，容量翻倍，最高可達16TB，可能只有NF1、U2規格，也沒有使用SLC緩存，這使得寫入速度會比消費級硬碟更低，不過性能依然是有提升的。 PM991將取代NVMe BGA封裝的PM971a硬碟，隨機性能翻倍，連續讀寫速度提升了50%。 企業級SAS產品線中，PM1643將會被PM1643a取代，整體變化不大，主要是隨機寫入性能提升20%，最大容量依然是30.72TB。 最高端的企業級NVMe硬碟升級了新主控及新快閃記憶體，支持PCIe 4.0，因此性能大幅提升，PM1723a目前的速度不過3.5GB/s，新的PM1733硬碟可達8GB/s，最大容量也達到了SAS產品線同級別的30.72TB。此外，PM1733還支持雙口PCIe，為高可靠性用戶帶來了更多的選擇。 QLC快閃記憶體新增512Gb核心顆粒，860 QVO、980 QVO確認 在說具體的QLC產品之前，Anandtch解釋了三星的MLC/TLC/QLC硬碟的命名規則，企業級/OEM產品線中，MLC快閃記憶體用SM開頭，TLC快閃記憶體用PM開頭，QLC快閃記憶體用BM開頭。 在SSD產品中，企業級SAS產品線新增BM1653新品，NVMe產品線新增BM9A3、BM1733產品線，客戶端NVMe新增BM991產品線，不過三星並沒有公布這些QLC硬碟的具體規格。 消費級QLC硬碟中，三星會推出SATA接口的860 QVO、NVMe標準的980 QVO，這些產品在OEM中找不到，因此可以認為是零售市場的新品，不過具體規格還是沒公布，發售計劃也沒有提及。 此外，三星在2019年Q2季度還會推出512Gb核心容量的QLC快閃記憶體，雖然容量比現在的1Tb QLC快閃記憶體小了，但是延遲降低了37%，功耗降低了45%，這還是三星用它跟別家1Tb核心QLC快閃記憶體對比的，如果對比三星自家的1Tb核心QLC快閃記憶體，差距只會更大。 三星第二代Z-SSD 三星面向低延遲SSD市場的Z-SSD系列中還會增加第二代產品SZ1733及SZ1735，容量提升到4最大4TB，明顯比第一代的SZ985的800GB大得多，它支持PCIe 4.0及雙口PCIe，因此連續速度可達12GB/s，不過最重要的隨機性能沒有提及。 三星還提到二代Z-SSD會有MLC版本，但Anandtech又說這些產品還是SLC版本。 ...

今年以來NAND快閃記憶體大幅降價，現在的SSD價格已經回到兩年前漲價的水平了，後面還會繼續降價，而NAND快閃記憶體也面臨新一輪技術升級，QLC快閃記憶體很快就會成為主流SSD硬碟的又一選擇。與SLC/MLC/TLC相比，QLC快閃記憶體雖然理論上容量更大、成本更低，但性能也更弱，可靠性有待長期檢驗。如今SLC快閃記憶體幾乎沒有廠商在大規模生產了，不過三星為了對抗英特爾的傲騰Optane記憶體，推出了Z-NAND快閃記憶體，日前三星面向數據中心市場推出了983 ZET系列硬碟，使用3D SLC快閃記憶體去跟英特爾的3D XPoint快閃記憶體。 三星重推SLC快閃記憶體跟英特爾的3D XPoint快閃記憶體有關，2015年英特爾、美光聯合宣布了3D XPoint快閃記憶體，當時宣稱其性能、可靠性是NAND快閃記憶體的1000倍，容量密度則是DRAM記憶體的10倍，兼具快閃記憶體的非易失性以及記憶體的低延遲、高可靠性等優點，因為3D XPoint快閃記憶體使用的原理跟現在的NAND並不同，事實上英特爾/美光現在都沒有完全解密3D XPoint快閃記憶體。 盡管使用3D XPoint快閃記憶體的英特爾傲騰硬碟在讀寫速度性能並沒有超出現有頂級PCIe硬碟的水平，但傲騰硬碟在延遲及可靠性上依然表現出了極強的優勢，詳細情況可以看看我們之前的報導：英特爾傲騰905P硬碟評測：3D XPoint快閃記憶體如何吊打群雄。 傲騰硬碟的延遲非常低 英特爾的3D XPoint及傲騰硬碟主要目標就是數據中心等企業級市場，消費級市場只是玩玩而已，其超低延遲、超高可靠性的特點正好是數據中心所需的，而在這個問題上，三星、東芝、SK Hynix一直都沒有好的競爭手段，新材料的快閃記憶體不是說有就能有的。 之後三星宣布推出Z-NAND快閃記憶體，最初以為也是某種新型快閃記憶體，實際上Z-NAND快閃記憶體還是基於現在的NAND快閃記憶體，現在可以確定的是三星重新使用了SLC類型的快閃記憶體，希望藉助SLC快閃記憶體的高性能、低延遲及高可靠性對抗英特爾的傲騰技術。 當然了，Z-NAND快閃記憶體也不是之前的2D SLC快閃記憶體，而是3D NAND快閃記憶體時代的SLC快閃記憶體，之前三星發布過SZ985系列Z-NAND硬碟，這一波推出的是983 ZET系列，容量有480GB、960GB兩種，配備了1.5GB LPDDR4緩存，讀取速度3.4GB/s，寫入速度3.0GB/s，支持NVMe 1.2b及PCIe 3.0 x4，不過隨機性能沒有公布，三星表示延遲只有15微秒。 此外，983 ZET系列硬碟提供5年質保，480GB版支持8.5 DWPD，數據壽命7440TBW，960GB版支持10 DWPD，壽命壽命17520TBW，不過DWPD壽命跟之前的SZ985系列的30、英特爾傲騰硬碟的60還是沒得比。 ...

2018年是QLC快閃記憶體的元年，三星、美光、東芝、西數、英特爾今年都會推出QLC快閃記憶體的硬碟，再加上當前早就是主流的TLC快閃記憶體，讓許多人不滿的TLC、QLC快閃記憶體很快會成為市場上的絕對主力，而SLC硬碟幾乎消失了，MLC快閃記憶體硬碟也越來越少。真要非MLC不買的話，可以考慮下美光9100系列NVMe硬碟，容量1.6TB，正宗的16nm MLC快閃記憶體，不過功耗也是挺高的，30W功耗的SSD用過沒？ PCWatach子站報導了日本商家售賣美光9100系列NVMe硬碟的消息，確切地說這是美光9100系列中的9100 Pro，基於2.5寸U.2接口的產品，另外一個系列是9100 Max，是HHHL規格PCIe插槽的。 美光9100 Pro系列SSD硬碟容量涵蓋800GB、1.6TB及3.2TB，現在售賣的是1.6TB型號，它使用的是16nm MLC快閃記憶體，沒錯，它就是前幾年的2D NAND快閃記憶體，不過性能指標還不錯，讀取速度3.0GB/s，寫入速度2.0GB/s，隨機讀取750K IOPS，隨機寫入300K IOPS，性能放到現在也不落伍，至於可靠性也別擔心，1.6TB版9100 Pro硬碟可達4.8PB TBW，這麼高的數據壽命應該是寫不死了。 不過這貨的功耗不低，美光資料上提到待機功耗7W，特定型號可達20W、25W，最高30W，反正別想著用在筆記本上了，功耗比處理器還高，用在台式機中就無所謂了，也不差那30W的功耗，不過要注意的是散熱。 美光9100 Pro 1.6TB硬碟不含稅價格是11.28萬日元，含稅價格是12.1824日元，折合人民幣7579元。 ...