做為最早問世的快閃記憶體類型，SLC快閃記憶體在性能、可靠性上是最佳的，P/E擦寫次數在1萬到10萬次之間，遠超MLC、TLC、QLC快閃記憶體。
不過SLC快閃記憶體成本也是最高的，而且容量也不如其他的快閃記憶體類型，所以近年來應用市場越來越狹窄，主流市場已經銷聲匿跡，生產廠商也越來越少。
旺宏電子日前透露，該公司研發的19nm SLC快閃記憶體進展順利，良率極佳，新產品新應用已經進入驗證階段。
旺宏表示，他們的SLC快閃記憶體率先實現了在主晶片處理ECC的創新主張，已成為最佳品質及成本效率典範；19nm SLC NAND也取得 NAND 重要成本優勢，全面進入業界領先製程。
不過旺宏電子並沒有透露SLC快閃記憶體的具體規格及產品信息。
除了SLC快閃記憶體，旺宏也在研發3D快閃記憶體，48層堆棧的3D快閃記憶體已經完成研發，很快會量產，後續則會沖刺192層3D快閃記憶體。
來源：快科技
