存儲

此前索尼已經在一個beta版系統升級中開放了內置的M.2 SSD擴展槽，而在今天推送的9月系統更新中，這條M.2 SSD擴展槽將對所有的玩家開放，索尼官網上已經放出了PS5加裝M.2 SSD的官方教程，而且還有對SSD的要求。 若要SSD安裝到PS5內被系統承認，它就必須支持PCI-E 4.0 x4，而容量在250GB到4TB都可以，可支持M.2 2230、2242、2260、2280、22110多種規格，建議讀取速度超過5500MB/s，此外索尼還要求M.2 SSD必須安裝散熱器來進行有效散熱，以確保SSD在工作時的穩定性，由於PS5內SSD擴展艙尺寸是有限的，所以M.2 SSD的散熱器長度最多110mm，寬度不超過25mm，厚度最大11.25mm。 M.2 SSD在安裝到PS5後，可用於下載、復制和啟動PS5與PS4遊戲以及媒體應用程式，可增加PS5主機的可用空間，玩家可以在PS5主機的內置SSD、擴展M.2 SSD以及外置USB存儲設備自由移動遊戲。 本次系統更新還包括了PS5用戶界面導航的一些體驗改善，對PlayStation Now 用戶界面的改進，以及對電視內置揚聲器增加了3D音頻支持。 ...

即將發布的英特爾Alder Lake將是首個支持DDR5記憶體的消費級處理器，在過去的幾個月里，可以看到不少記憶體廠商都非常積極地開發DDR5記憶體，相信第12代酷睿系列處理器推出後，DDR5記憶體上市速度也會比較快。 近日，閒魚用戶@順火暖哈哈泄露了Alder Lake平台首個DDR5記憶體測試數據。該測試平台基於早期工程樣品/UEFI固件版本，據聞使用的是酷睿i5-12600K處理器（ES版），搭配的是DDR5-6400記憶體，時序為40-40-40-85，讀取速度超過90 GB/s，但延遲也高達92.5 ns。 此外，還公布了該款處理器在CPU-Z里的單核測試成績，為785.6分。 相比今年三月份，江波龍電子（Longsys）展示全新DDR5記憶體模組產品的時候也曾公開了DDR5記憶體的測試成績。當時使用了英特爾的Alder Lake-S ADP-S CRB開發板，搭配32GB的DDR5-4800記憶體模組，顯然這次泄露的測試里記憶體頻率更高一些。 江波龍電子在Windows 10 Pro作業系統里分別通過魯大師和AIDA64兩個軟體展示了DDR5的測試數據，並與32GB DDR4-3200記憶體（CL22）的測試結果作為對比。平台的記憶體的讀取速度為35844MB/s，寫入速度32613MB/s，相比DDR4記憶體各項測試項目快了12-36%左右。不過延遲達到了112.1ns，比起DDR4記憶體幾乎是翻倍。而在魯大師的測試中，測試平台的總分是557901分，記憶體單項得分是193864分。 目前DDR5記憶體看起來仍然不夠給力，通常記憶體進行疊代的時候，新舊兩種記憶體會有重疊的頻率。一般最快的上一代記憶體，表現會優於初期的新一代記憶體，在逐漸成熟以後，新一代記憶體才會有更好的表現。 ...

希捷在今年6月份發布了FireCuda 530系列固態硬碟，支持PCIe Gen4標準的M.2插槽，以及NVMe 1.4標準，提供了500GB、1TB、2TB和4TB，共四種存儲容量。希捷FireCuda 530採用的是群聯PS5018-E18主控晶片，以及美光的176層3D TLC快閃記憶體（最新的B47R NAND），並加入了散熱鋁片，確保設備長時間穩定工作。與許多同類產品提供的散熱片不太一樣，FireCuda 530使用的散熱片是平整而且相對纖薄的款式。希捷提供了無/有散熱片的版本，用戶可以在購買的時候選擇。 近日EK與希捷合作推出了FireCuda 530使用的散熱片，以獲得更好的散熱效果。EK採用高級鋁材製成了薄型散熱片，表面經過了精細的陽極氧化處理，以最大限度地提高散熱效率。這種設計有助於降低運行時候的溫度，讓SSD可以更長時間保持在峰值性能。 希捷表示該款散熱片可以與PlayStation 5遊戲主機完美配合，性能和規格都符合PlayStation 5遊戲主機的要求，與其他同類產品相比更具有優勢。目前帶EK款散熱片的1TB版本已經在EK網上商城上架，2TB版本也會很快上市，1TB和2TB版本的含稅價格（MSRP）分別為305歐元和640歐元。 ...

富士膠片在2019年推出了LTO Ultrium 8系列磁帶，採用了BaFe（鋇鐵氧體磁性材料），及富士膠片專利的納米超薄塗層技術，可以存儲12TB的原生數據或30TB的壓縮數據，速度可達750MB/s（未壓縮的時候是360MB/s），這種第八代開放線性磁帶（LTO）在數據中心已得到了廣泛應用。 近日，富士膠片宣布推出LTO Ultrium 9系列磁帶，這是第九代開放線性磁帶，通過應用新的專利技術提供18TB的原生數據或45TB的壓縮數據，相比LTO Ultrium 8系列磁帶提高了50%，標志著大數據備份和歸檔的新標準。其通過富士膠片獨有的NANOCUBIC技術，將鋇鐵氧體磁性材料配置成細顆粒，均勻分布在磁帶表面，行成光滑薄磁性層，並提供了1000 MB/s的高速傳輸速度（未壓縮的時候是400MB/s），相比上一代產品的750 MB/s（未壓縮的時候是360MB/s）有了進一步提高。 富士膠片負責人武冨博信表示，LTO Ultrium 9系列磁帶將滿足全球對數據存儲、網絡安全和減少氣候影響等方面不斷增長的需求。隨著5G以及4K/8K視頻的推廣、IoT·DX的發展、以及AI大數據分析的普及，全球數據量劇增，但是生成的數據會隨著時間流逝、訪問頻率降低而成為冷數據，這部分數據占了總量的80%以上。相比於傳統硬碟，磁帶成本低，而且可以安全、可靠地長時間大容量保持數據，由於平常保持的時候不需要通電，在使用周期內可以大幅度減少二氧化碳排放，是一種綠色環保的產品。 ...

十銓科技（Team Group）旗下創作者品牌T-CREATE及電競品牌T-FORCE推出了兩款專為創作者及電競玩家打造的儲存新品，一款是同時配備Thunderbolt與USB接口的T-CREATE開創者雷電3（CLASSIC Thunderbolt3）外接式固態硬碟，另一款是採用極薄石墨烯散熱片的T-FORCE黑武士（CARDEA）Z44L固態硬碟。 T-CREATE開創者雷電3外接式固態硬碟採用了Thunderbolt 3接口，傳輸速度全面超越USB接口，對於追求多平台大文件傳輸的創作者來說非常有用。其單一的Type-C接口除了支持Thunderbolt3/4，還能支持USB 3.2 Gen2，以滿足不同用戶的需求。用戶使用的時候並不需要額外的設置，該款固態硬碟會自動偵測接口類型，實現即插即用。通過Thunderbolt3/4接口方式工作的時候，以PCIe Gen3 x4的速率傳輸，達到2700 MB/s傳輸速度。若通過USB接口方式工作，傳輸速度也能達到900 MB/s。 T-CREATE開創者雷電3外接式固態硬碟最大可選容量為4TB，擁有冰川銀配色的外觀，採用了鋁制外殼，結構堅固耐用，同時提高散熱效能。該款固態硬碟不但支持Windows系統，還支持MacOS，為需要跨系統傳輸數據的用戶提供了方便。 T-FORCE黑武士Z44L固態硬碟採用3D TLC快閃記憶體芯粒，以及SLC快取設計，支持PCIe Gen4 x4標準，讀寫速度分別達到3500MB/s和3000 MB/s，並提供了500GB和1TB等容量。其搭配的石墨烯散熱馬甲擁有多項專利，相比普通散熱馬甲能提升9%的散熱效能，出眾的導熱材質也給了玩家組裝的靈活性。 ...

海盜船發布全新Gen4 PCIe x4 NVMe M.2固態硬碟：MP600 PRO XT。 MP600 PRO XT固態硬碟採用了2280 M.2規格，使用了3D TLC NAND快閃記憶體，順序讀取和順序寫入速度最高分別為7100 MB/s和6800 MB/s，寫入量為3000TB。該款固態硬碟帶有大體積的散熱片，其造型比較獨特，美商海盜船表示散熱器的結構可以有效提高散熱效率，以保證性能發揮。 此外，MP600 PRO XT固態硬碟還能與美商海盜船的Hydro X系列XM2水冷頭兼容，能夠讓用戶將固態硬碟放入水冷散熱系統的迴路中，以降低溫度，讓固態硬碟發揮最大性能。和所有的美商海盜船固態硬碟一樣，MP600 PRO XT固態硬碟也支持SSD Toolbox軟體，方便用戶進行更新固件等操作。 MP600 PRO XT固態硬碟提供了三種不同的存儲容量，分別為1TB、2TB和4TB，對應售價為209.99美元、414.99美元和1024.99美元，這些固態硬碟都享受五年保修服務。美商海盜船表示MP600 PRO XT固態硬碟已經開始發售了，用戶隨後可以通過美商海盜船的官方商城或各地經銷商購買。 對於已經想好要搭建水冷散熱系統的用戶，可以直接購買MP600...

今年內Intel就會推出支持DDR5記憶體的Alder Lake平台，當然首發的只有K/KF處理器各三款，非K系列要等到明年第一季度才會出來，而各記憶體廠商的DDR5記憶體模組也在准備中，已經有許多廠家預告了自己的DDR5記憶體了。 當然了經過這麼多次記憶體疊代的老玩家應該都清楚，新記憶體上市時肯定不會便宜，實際上市場調研公司TrendForce已經預測明年DDR5記憶體的供貨價會比現在的DDR4高出30%，而且PC OEM廠商似乎沒有任何打算在明年開始就大量採用DDR5記憶體，預計明年DDR5將會主要用在商用PC產品，而到了2023年才會普及到消費類PC。 另一個市場調研公司Omdia預測，2022年DDR5記憶體在整個DRAM市場的占有率只有10%左右，而到了2024年將會增長到43%。 實際上Intel在開發Alder Lake處理器時就有考慮到給消費者和廠商提供多種記憶體選項，它可支持DDR4、DDR5、LPDDR4X以及LPDDR5記憶體，所以DDR5記憶體並不是新平台唯一的選擇。 Alder Lake處理器本身對DDR5記憶體的支持程度也不高，只支持4800MHz這個起步頻率，實際上6400MHz這頻率可能在零售市場上更常見，記憶體容量到時比DDR4有很大提升，單顆晶片最大容量為64Gb，是DDR4 16Gb的四倍，DDR5的標準工作電壓是1.1V，比DDR4的1.2V更低，所以它有著更低的功耗。 ...

十銓放出了一個視頻預告片，他們會在9月23日舉辦一場TeamEvent 2021的活動，屆時他們會推出多款新一代存儲產品，包括採用一體式水冷的SSD，以及下一代的DDR5記憶體等。 十銓在2019年推出了第一款採用水冷散熱器的SSD T-Force Cardea Liquid SSD，不過這款SSD其實只是在普通的M.2 SSD上面裝了一個內部裝有水冷液的散熱器，由於水冷液並不流動也沒有冷排，它的作用也只是增大熱容而已，現在他們即將要發布的Cardea Liquid II SSD則採用一體式水冷散熱器。 在十銓的預告片里面我們只能看到這款SSD的剪影，可以確定的是它用了一體式水冷散熱器，但冷排尺寸並不太好判斷，可能是常規的120冷排，也有可能是尺寸更小的80/90冷排，此外SSD本體是什麼就真不好猜了，照理來說用得著一體式水冷的話應該是AIC卡才對，但拿隔壁的ARGB接口做參照物的話這很可能只是一個M.2規格的SSD。 除此之外，十銓還准備推出Cardea A440 PRO SSD、M200移動SSD、VULCAN DDR5記憶體、DELTA RGB DDR5記憶體等新產品，沒什麼意外的話十銓這次要推出的兩款SSD都是PCI-E 4.0的，而那個移動SSD可能是USB 3.2 Gen 2*2的。 ...

在去年11月，希捷（Seagate）開始向數據中心提供採用熱輔助磁記錄（HAMR）技術的20TB硬碟。此外，希捷正在開發多款容量為20TB的消費類硬碟，將使用垂直磁記錄（PMR）和疊瓦式磁記錄（SMR）技術，預計採用SMR/PMR+Mach.2技術的硬碟將會在今年下半年上市，會有更高的性價比。 作為希捷的競爭對手，西部數據在HDD上也沒有閒著。據Anandtech報導，在近期舉辦的HDD Reimagine活動期間，西數就介紹了最新的OptiNAND架構，特殊之處在於PCB上集成了iNAND嵌入式通用快閃記憶體驅動器。西數表示，OptiNAND架構區別於過去的混合架構硬碟（SSHD），是一種創新性的架構。與SSHD不同的是，OptiNAND架構里的快閃記憶體並非作為緩存使用，不會在正常操作期間存儲用戶數據，而是存儲硬碟操作的元數據。通過一系列的技術結合，可以有效提升硬碟容量，提高性能和可靠性。 這款20TB硬碟基於OptiNAND+ePMR方案，由9塊碟片組成，單碟容量為2.2TB，使用了三級驅動器來提高磁頭在磁軌上的定位精確度，採用了搭載3D TLC NAND（未知容量）的快閃記憶體驅動器，並通過定製主控晶片進行控制。西數計劃在所有20TB或以上的硬碟中引入OptiNAND架構，並最終將容量提升到50TB。 西數暫時沒有給出具體的讀寫數據，但強調iNAND嵌入式通用快閃記憶體驅動器的加入，能改善硬碟突發隨機讀寫的表現。西數表示基於OptiNAND+ePMR方案的20TB硬碟最快會在年底交付，顯然第一批的客戶是來自於數據中心。 ...

金士頓宣布，將推出全新高性能U盤：DataTraveler Max。這是一款採用USB 3.2 Gen 2標準接口（Type-C）的高性能快閃記憶體檔，最高可提供1000MB/s的讀取速度，以及900MB/s的寫入速度，不但超越眾多SATA接口的固態硬碟，在市面同類產品里也能雄踞一方。 金士頓DataTraveler Max在設計上兼顧了便攜性和易用性，外殼的防滑材質讓用戶不容易脫手而且耐用，推拉式的設計可以很好地保護USB Type-C接口。在DataTraveler Max的背面，還有LED指示燈，讓用戶隨時了解U盤的工作狀態，同時尾部鑰匙環的設計方便用戶隨時攜帶。金士頓快閃記憶體產品經理Carissa Blegen表示： 「DataTraveler Max提供了行業領先的速度和存儲空間，滿足現今消費者對文件的高速存儲需求。我們提供了無與倫比的性能，這也是我們客戶所期待的，通過這一款產品的發布，我們很自豪地為USB-C快閃記憶體檔樹立了一個新的標準。」 DataTraveler Max的整體尺寸為82.17mm x 22.00mm x 9.02mm，重量為12g，金士頓提供了三種不同的存儲容量，分別是256GB、512GB和1TB。該產品可兼容Windows 10、Windows 8.1、macOS（10.14.x或以上）、Linux（2.6.x或以上）和Chrome OS。 DataTraveler Max將會在近期上市，金士頓暫時還沒公布價格，不同的存儲容量的版本都會提供5年質保和免費技術支持服務。 ...

近日，美商海盜船（Corsair）推發布Vengeance RGB RT/RS系列DDR4記憶體，採用了新的散熱片和RGB燈效。 Vengeance RGB RT DDR4系列記憶體有黑色和白色兩種顏色的「馬甲」可以選擇，陽極氧化鋁的材質有助於記憶體模塊的散熱，即便在超頻使用，也能有很好的散熱效率。其擁有10個RGB燈區，單條容量有8GB、16GB和32GB三種可選，頻率從3200 MHz起步，最高可至4000 MHz，其中3600 MHz的時序為C18，3200 MHz的時序為C16。針對該系列不同頻率的記憶體，美商海盜船還提供有雙條或四條的記憶體套裝。 Vengeance RGB RS DDR4系列記憶體只有黑色「馬甲」選擇，同樣也是陽極氧化鋁的材質，不過RGB燈區減少到了6個，單條容量、頻率和時序和Vengeance RGB RT DDR4系列記憶體相同，而且同樣有套裝選擇，不過價格上會比Vengeance RGB RT DDR4系列優惠一些。 美商海盜船表示，對Vengeance RGB RT/RS系列DDR4記憶體進行了嚴格的測試，支持英特爾300系列、400系列、500系列和X299晶片組，AMD方面則是300系列、400系列和500系列晶片組，不過只有Vengeance RGB RT DDR4系列記憶體經過了AMD...

在今天春天就曾傳出，美光和西部數據都各自研究獲得鎧俠（Kioxia）控制權的可能性。目前鎧俠的多數股權是由私募股權公司貝恩資本牽頭的投資者集團持有，原計劃於去年秋天進行首次公開募股（IPO），當時其管理層預計鎧俠的估值達到160億美元。後來由於新冠疫情擴散、市場不確定性以及全球此起彼伏的貿易爭端，最後無限期延遲了。 據《華爾街日報》報導，在過去幾周里，西數與鎧俠之間經過了多輪的談判，洽談合並事項，有可能在9月中旬達成最終協議，預計交易金額達到200億美元。如果雙方最後能夠走在一起，將會成為數據存儲行業的龐然大物，本質上這是三個不同品牌的合並：鎧俠、西部數據和閃迪。毫無疑問，新公司會擁有大量的客戶、眾多的智慧財產權和專利、領先的3D NAND快閃記憶體生產能力和硬碟製造能力、多個開發團隊等。 事實上西部數據和鎧俠的關系本來就很密切，雙方共同擁有兩座在日本的晶圓廠，合計生產的NAND快閃記憶體比行業內任何廠商都要多。據統計，在2021年第一季度，西部數據和鎧俠合計的市場份額為33.4%，僅比三星少了0.1%。即便SK海力士吸收了英特爾的3D NAND和存儲業務，也遠落後於西部數據和鎧俠合計的份額，而美光的差距則更大。 這樣一間控制著超過三分之一NAND快閃記憶體和HDD供應的企業，會影響整個市場的競爭格局，將不可避免地受到反壟斷監管機構的審查。來自美國、英國、日本、中國和歐盟的監管機構肯定會慎重地審查這筆交易，將比SK海力士收購英特爾3D NAND和存儲業務的交易更嚴苛。 ...

在今年二月初，我們報導了三星新的HBM2記憶體將集成了AI引擎，HBM-PIM（Aquabolt-XL）晶片最高可提供1.2 TFLOPS嵌入式計算能力，使記憶體晶片本身可以執行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。近日，三星在Hot Chips 33上介紹了未來更為龐大的開發計劃，會將PIM (processing-in-memory) 技術擴展到DDR4、DDR5、LPDDR5X、GDDR6和HBM3記憶體上。 三星將HBM-PIM晶片直接加入到堆棧中，可以與符合JEDEC標準HBM2記憶體控制器配合使用。三星使用賽靈思（Xilinx）Alveo FPGA進行了測試，這款AI加速器有2.5倍的性能提升，能耗也降低了超過60%。三星表示目前PIM技術已經可以和任何標準的記憶體控制器兼容，但CPU廠商若能提供優化，在某些情況下會帶來更大的性能提升。 目前三星已經與一家CPU廠商一起測試HBM2-PIM，以便在未來產品中使用。由於英特爾的Sapphire Rapids、AMD的Genoa、Arm的Neoverse平台在內的新一代處理器都支持HBM記憶體，未來應用范圍會相當大。 顯然，PIM技術很適合數據中心使用，不過三星進一步將該技術轉向更為標準的記憶體。這次三星演示了AXDIMM記憶體，這是對現有記憶體的優化，在緩沖晶片內集成了AI引擎，盡可能減少CPU和DRAM之間的大量數據交換，以提高效率。AXDIMM記憶體可以插入到標準的DDR4伺服器記憶體插槽就能使用，無需大幅度改變現有的硬體架構。 三星表示已經有廠商使用AXDIMM記憶體在客戶的伺服器上進行測試，在特定的AI應用中，其性能提升了1.8倍，同時功耗降低了超過40%。由於記憶體即將疊代到DDR5，相信三星也會很快跟進，同時可以預期這項技術會在不久的將來推向市場。 三星的PIM技術不僅僅局限於相對高端的領域，也可以同樣轉向貼近消費者的普通產品，比如筆記本電腦、平板電腦、甚至手機。三星已經計劃在LPDDR5記憶體中引入PIM技術，不過仍處於早期階段。在LPDDR5-PIM記憶體（6400 MHz）的模擬測試中，其語音識別工作負載的性能提高了2.3倍，基於轉換器的翻譯性能提高了1.8倍，GPT-2文本生成能力提高了2.4倍，同時功耗都降低了60%以上。 雖然三星的PIM技術進展迅速，可以與標準的記憶體控制器配合使用，但一直沒有獲得JEDEC的認證，這是PIM技術被廣泛使用的主要障礙。三星希望PIM規范可以標準化，從而進一步擴展記憶體產品的組合，比如加入到HBM3標準規范里。目前JEDEC尚未正式發布HBM3標準規范，仍在制定當中。 三星表示，將從HBM2的FP16向前推進到HBM3的FP64，這意味著晶片會具有擴展的功能。FP16和FP32將保留供數據中心使用，而INT8和INT16將服務於LPDDR5、DDR5和GDDR6記憶體，更好地適應不同的應用場景。 三星還會將PIM技術帶到更多不同類型的記憶體里，比如GDDR6，這可以擴寬其應用范圍。三星今年發布了業界首款CXL記憶體模塊，這是基於Compute Express Link標準的新型存儲產品，或許未來也會引入PIM技術。隨著AI技術的興起，PIM技術或許比普通人表面看來更能改變現有的遊戲規則，或許在未來，GPU使用的顯存協助處理一些工作負載，以提升性能並降低功耗是有可能的。 ...

在HotChips 33大會上，三星對外公布了他們正在開發擁有8層TSV封裝的DDR5記憶體，而現在三星的DDR4是用4層TSV封裝的，這使得DDR5記憶體的容量是DDR4的兩倍，未來單根512GB的DDR5成為可能。 根據Computerbase的報導，三星通過優化封裝，晶片之間的間隙減少了40%，而且使用了薄晶圓技術，這使得8層TSV封裝的DDR5高度其實比4層的DDR4更低，而且這還帶來了更好的散熱能力。 一根DDR5記憶體的容量能達到512GB，這和DDR4相比是一個巨大進步，目前面向伺服器市場的DDR4記憶體最多做到單根256GB，而消費級市場最多是64GB和32GB。 三星預計DDR5記憶體會比DDR4性能提高85%，可提供7.2Gbps的帶寬，並且有兩倍的容量，而且DDR5記憶體模塊的電壓只有1.1V，這使得它工作起來更為節能。當然了三星所說的512GB是指伺服器記憶體，普通消費市場不用期待單根記憶體容量很快突破64GB。 三星預測要到2023或2024年主流市場才會過度到DDR5，而數據中心市場轉向會更快一些，所以三星計劃在今年年底前生產512GB的DDR5-7200記憶體模組。 ...

近期三星的勢頭比較猛，根據分析公司IC Insights的數據，在2021年第二季度超越英特爾，成為全球最大的半導體產品供應商。此外，市場調研公司Trendfocus的數據顯示，2021年第二季度在SSD的出貨數據和出貨容量上，三星都占據了最大的份額。 據ComputerBase報導，在HotChips 33上，三星宣布正在開發8層TSV的DDR5記憶體模塊，容量比DDR4記憶體大一倍，這意味著512GB的記憶體模塊成為了可能。雖然新一代的伺服器處理器可以支持非常大容量的記憶體，但實際操作起來仍然有比較大的差別，很重要的一個原因就是DDR4記憶體模塊的容量問題。一般情況下，DDR4記憶體模塊最常見的仍然是32GB或64GB，128GB容量的也不多了，讓大容量記憶體變得更便宜更容易生產非常有必要。 三星通過優化封裝，DDR5記憶體模塊的高度將低於4層的DDR4記憶體。由於管芯之間的間隙減少了40%，間隙會更細，加上薄晶圓處理技術，高度降低成為了可能。更重要的是，8層TSV的DDR5記憶體模塊會有更好的散熱能力。三星表示這種DDR5記憶體相比DDR4記憶體會有85%的性能提升，速率高達7.2 Gbps，電壓為1.1V甚至更低。當然，這麼大容量的產品主要針對的是數據中心市場，與普通消費者之間還有段距離。 三星預計2023年至2024年之間，主流市場才會逐漸過渡到DDR5記憶體。在數據中心市場變化會更快一些，這也是三星計劃在今年年底前開始生產512GB的DDR5-7200記憶體模塊的原因。 ...

市場調研公司Trendfocus最近發布了今年第二季度存儲市場的出貨量統計，數據顯示SSD繼續主導了銷售，而出貨量有所增加，按季度出貨數量從第一季度的9940萬塊增加到9960萬塊，比同期的HDD高出47%。 該統計涵蓋了各類型用途的SSD，包括遊戲機、消費端和企業端等，不過在存儲總容量上HDD仍占有優勢，達到約351EB，而SSD只有大概68EB。在消費市場上，M.2 SSD是消費市場的出貨主力，由於其尺寸的優勢，大量用於筆記本電腦和次世代遊戲機上。不過平均容量上，DFF SSD比M.2 SSD有優勢，平均達到了約512GB，這表明了大多數購買2.5英寸規格SSD的人都將其作為大批量數據存儲用途，除了相比一般的HDD在尺寸上有優勢，數據傳輸速度也更高。 消費市場上SSD的出貨量為8686萬塊，相比第一季度增長了1.7%。三星仍然是這個市場上的領先者，出貨份額上占了24.4%，其次是西數（18.8%）、鎧俠（12.6%）、SK海力士（11.7%）、美光（8.5%）、金士頓（7.9%）、英特爾（5.1%）等。出貨容量份額上，三星也是最多，占了34.9%。 企業市場上，SSD的銷量不如消費市場，出貨量為1274萬塊，不過無論數據容量還是價格，都比消費級的SSD要高得多。由於在2021年沒有什麼技術上的突破，SAS SDD的銷量並沒有大幅度增長，這類型產品平均有3.5TB左右的容量，遠高於普通M.2和SATA接口的SSD，像西數這樣的企業還提供了實惠的報價。 ...

相信應該有不少人都記得在我們之前推出的一期SSD橫評視頻里面，提到了那次測試所用的SN350 960GB版本是用的TLC顆粒。不過由於西數（Western Digital）一直都沒有說明SN 350 SSD是用的什麼快閃記憶體，因此也引來了不少讀者朋友的熱烈討論。不過現在，西數終於更新了他們有關SN 350的文檔，而里面就標示了SN 350 960GB版本的SSD，所使用的就是TLC快閃記憶體。 在這份更新過的文檔中，可以看到SN 350 1TB以及2TB的版本，所使用的確實是QLC快閃記憶體，但是在960GB的這個版本下，則是標示了使用TLC快閃記憶體。不過有趣的是，使用TLC快閃記憶體的SN 350 960GB官方為其標示的TBW為80TBW，比起使用QLC的SN 350 1TB的要稍為低一點。 之前我們在使用SN 350 960GB版本作為測試時，也是發現了這個SSD的緩外速度378MB/s，因而推測SN 350 960GB所使用的並非是QLC快閃記憶體，因為目前也是沒有QLC可以達到這樣的緩外速度。 另外一點有趣的是，最近西數的SN 550藍盤被證實是有更換快閃記憶體的行為，使得新批次SN 550 1TB的緩外平均寫入速度只有390 MB/s左右，與SN 350 960GB的非常接近，這一下子似乎會讓人覺得SN...

相比GPU這類晶片供應短缺的苦不言堪，在今年剛過去的Q2季度，市場對SSD和記憶體需求依然有很強的需求量，加上產能相對足夠，這幫助到主營NAND以及DRAM這兩類業務的半導體公司保持營收增長，三星電子便藉此爬上了半導體市場第一位置。 在IC Insight最新的The McClean Report中，三星電子在Q2季度的半導體業務總營收202.9億美元，環比增長了19%，這是自2018年Q3季度之後，三星時隔近三年，再度重回半導體市場第一位置，韓國這家電子巨頭在該季有192.6億美元是集成電路業務的貢獻，而只有10.3億美元是傳感器、光電原件這些其它IC零件的收入。 至於長期占據首位的Intel，在這個Q2環比只增長了3%，總營收在193億美元，而三星得以超越Intel，主要在於過去一個季度市場對於NAND和DRAM需求的大幅增長，Intel在這兩部分的份額都不多和不生產，更有意思的是，在2018年三星登頂半導體市場時，靠的也是NAND和DRAM在當時供不應求的出貨量。 不過Intel在邏輯類半導體部分仍然是穩坐第一，而排在這兩家半導體巨頭之後的，TSMC在第三位，主營晶片代工的他們在今年晶片產能短缺的形勢下，仍有3%環比增長，達到133.1億美元，再後面的第三位則是Sk Hynix，他們同樣是藉助NAND需求增長，獲得了21%環比增長，當季達到92.1億美元的營收。 ...

十銓科技（Team Group）宣布，推出具備RGB燈效的全新T-FORCE 炫光（DELTA）DDR5系列記憶體，以迎合喜歡炫麗燈效的玩家，不但能體驗新一代記憶體的高性能，還能滿足視覺享受。十銓表示在DDR5記憶體上，與各大板卡廠商緊密合作，並反復進行測試，無論是在DDR5的PMIC測試研究還是XMP超頻上，都取得了豐碩成果。 T-FORCE 炫光（DELTA）DDR5系列記憶體延續了該系列DDR4記憶體的風格，有著銳利而簡潔的線條，但新款的外形更為硬朗。十銓表示，在設計上加入了隱形戰鬥機的意象，以優化整體輪廓。此外，新系列記憶體所使用的每顆RGB LED都可獨立發色與控制閃爍的頻率，有著更高的自由度。目前樣品正在各大板卡廠商進行燈效認證，屆時用戶可以通過主板廠商的燈光控制軟體進行控制，打造自己的專屬燈光效果。 此次推出的新款記憶體單條容量為16GB和32GB，頻率在4800 MHz至5600 MHz，支持最新INTEL XMP 3.0一鍵超頻，性能將超越前代產品。十銓表示初步設定產品的保固年限為3年，未來可能會根據原料或技術等因素再做調整。十銓暫時未公布價格，預定會在2021年第四季度上市。 這並不是十銓首批推出的DDR5記憶體，在今年六月份，十銓就發布了ELITE U-DIMM DDR5記憶體，規格為DDR5-4800的16GB x 2套裝。相比之下，這次T-FORCE 炫光（DELTA）DDR5系列記憶體顯然規格更高，性能更強，更貼近發燒玩家的需求。 ...

雷克沙（Lexar）宣布，推出Hades系列DDR4遊戲記憶體，面向遊戲玩家和需要高性能記憶體的用戶。Hades系列分為Hades OC和Hades RGB兩款，後者支持RGB燈效。或許很多玩家已經在期待新一代的DDR5記憶體，但未來一段時間內，DDR4記憶體仍有不少的市場空間。 去年雷克沙已分別在桌面平台和移動平台推出了DDR4-3200/2666記憶體，這次Hades系列DDR4遊戲記憶體的發布，進一步擴展了記憶體產品線。雷克沙表示，希望提供更多不同的記憶體解決方案，並計劃在年內推出其他新款高性能記憶體。 Hades系列DDR4遊戲記憶體採用了鋁制散熱馬甲，讓記憶體保持良好散熱，以確保在遊戲和密集工作負載的時候穩定運行。同時Hades系列DDR4遊戲記憶體兼容最新的INTEL XMP 2.0和AMD Ryzen平台，並進行了針對性的優化。 其中Hades RGB DDR4遊戲記憶體支持Lexar RGB Sync軟體，用戶可以自定義設置顏色、亮度和閃爍頻率，實現RGB燈效同步，並且能夠保存相關配置文件，以作備用。此外，還兼容華碩Aura Sync、微星Mystic Light、華擎Polychrome SYNC等燈效同步軟體。 雷克沙Hades系列DDR4遊戲記憶體將由亞馬遜獨家發售，這個月內就會上架。Hades RGB DDR4 3600記憶體的16GB（8GB*2）和32GB（16GB*2）套裝，價格分別為109.99美元和216.99美元。Hades RGB DDR4 3200記憶體的16GB（8GB*2）和32GB（16GB*2）套裝，價格分別為103.99美元和199.99美元。Hades OC DDR4 3600記憶體的16GB（8GB*2）和32GB（16GB*2）套裝，價格分別為97.99美元和209.99美元。 ...

在去年，SK海力士推出了面向消費級市場的Gold P31系列SSD。其採用了128層堆疊的4D NAND快閃記憶體，使用的是PCI-E 3.0 x4通道，外形規格為M.2 2280，提供了500GB和1TB兩種容量。SK海力士是全球首家量產128層快閃記憶體的廠商，也是首家銷售128層快閃記憶體的廠商。 所謂4D NAND快閃記憶體本質上也是3D NAND快閃記憶體，只是把NAND快閃記憶體Cell單元的PUC（Peri Under Cell）電路從原有的位置挪到了底部。好處是每個晶圓的產量得以提升，最終每GB的存儲容量可以使用更少的矽，這可以降低生產成本。SK海力士Gold P31 M.2 SSD順序讀寫速度分別為3500 MB/s和3200 MB/s，基本達到了PCI-E 3.0 x4通道的帶寬上限。同時Gold P31 M.2 SSD的功耗比較低，發熱量較小，有著很好的能耗比，非常適合筆記本電腦使用，得到了不錯的評價。 不過時至今日，最大1TB的容量顯然有點太小了，已不能滿足部分消費者的需求。近日，SK海力士宣布Gold P31 M.2 SSD將增加2TB版本，其PCB也由綠色改成了黑色，仍使用名為Cepheus的主控晶片，最大寫入量也提高到1200 TBW。雖然早已展示過2TB容量的Gold P31 M.2 SSD，但已經是一年多以前的事了，SK海力士是最後推出2TB容量的SSD廠商之一。 SK海力士市場營銷主管Sanglae Lee表示，2TB容量的Gold P31 M.2 SSD針對的是大容量和高性能需求的用戶，接下來SK海力士會不斷拓展消費級SSD產品線，以提高市場占有率，滿足更多消費者的需求。 目前2TB容量的Gold P31 M.2...

早期的DIY玩家應該都會知道Rambus這間公司，在世紀之交的時候，如日中天的英特爾非常自信地認定Rambus主導研發的RDRAM（Rambus DynamicRandom Access Memory）在技術上遙遙領先，欽定RDRAM成為SDRAM之後的下一代記憶體標準。 後面的故事大家都知道，最後RDRAM不敵VIA為首的DDR記憶體支持者，退出了PC市場。不過Rambus在遊戲機市場找到了屬於自己的天地，任天堂N64，索尼PlayStation 2和PlayStation 3（使用新一代XDR記憶體標準）上，都看到Rambus的身影。在技術層面上，英特爾並沒有錯，Rambus在記憶體技術上確實有自己的獨到之處，多年來通過專利和技術授權獲得收益。 今天，Rambus推出了HBM3記憶體子系統解決方案，速率高達8.4 Gbps，單顆帶寬達到了1.075TB/s，大大高於目前高端HBM2E記憶體子系統（速率3.6 Gbps、帶寬460 GB/s）。此前AMD在Radeon VII顯卡上使用的HBM2，每顆帶寬為256GB/s，通過四顆HBM2組合才突破1TB/s的關卡。 Rambus表示，其HBM3記憶體子系統通過完全集成PHY和數字控制器降低ASIC設計難度，內置了硬體級性能監視器，並支持HBM3 RAS等功能，作為IP授權的一部分，還包括2.5D封裝和中介層參考設計。該解決方案是建立在廣泛使用的HBM2基礎上，會有一整套支持服務，以確保任務關鍵型AI/ML和HPC應用的正確實施。 目前制定HBM標準的JEDEC尚未正式發布HBM3標準規范，SK海力士作為主要推動者，幾個月前曾公布仍在研發階段的HBM3計劃，速率為5.2 Gbps，帶寬為665 GB/s。當然這不是SK海力士對於HBM3的最終目標，在此之前已經有其他廠商宣布會將速率提高到7.2 Gbps。 ...

前一段時間，國外有消費者購買了容量為2TB的Patriot（博帝）VPN100固態硬碟，發現手上的這款固態硬碟實際使用的解決方案與產品說明書里的介紹完全不一樣。原本使用的是Phison E12主控晶片和2GB的DRAM緩存，但實際上買到的產品是Phison E12S主控晶片以及512MB的DRAM緩存。 雖然VPN100固態硬碟不是美國市場上性能最好的固態硬碟，但卻是一款實惠的產品，所以此事受到了不少消費者的關注。雖然博帝發表聲明稱，兩款配置可以提供一樣的性能，但實際上還是有差別的。比如在TBW方面，使用Phison E12主控晶片和2GB的DRAM緩存的產品是3115 TB，而Phison E12S主控晶片以及512MB的DRAM緩存的產品是900 TB，存在較大差異。 由於大部分固態硬碟廠商都不會自己生產主控晶片和快閃記憶體，在半導體行業普遍供應緊張的背景下，零配件混用成了難以避免的問題。大多數出現類似的情況，除了供應問題，很大部分原因是廠商為了降低成本，最終結果是產品性能下降。在消費者看來，如果組件之間差異較大，那麼製造商就有責任告知消費者，這也是此事導致用戶不滿的其中一個重要原因。 類似博帝這樣的事件不是第一次，也不會是最後一次。 據TomsHardware報導，近日發現容量為500GB的英睿達（Crucial）P2固態硬碟也有類似的問題。前一段時間我們《六款主流級1TB M.2 SSD橫評：QLC與TLC的大亂鬥》的評測里也有這款固態硬碟，參與測試的是1TB版本，使用的是QLC快閃記憶體，內容中也提及了該系列產品混用快閃記憶體的情況。與博帝有所不同的是，英睿達的P2系列固態硬碟無論是TLC快閃記憶體還是QLC快閃記憶體，都是使用Phison E13T作為主控晶片。 此事在國外引起爭議的原因與博帝的VPN100固態硬碟有些許類似，一方面沒有明確的標示，另一方面更換組件後性能有較大幅度下降。為了證明更換組件的影響，TomsHardware將TLC快閃記憶體與QLC快閃記憶體的P2固態硬碟做了一次對比測試。 從外表上看，採用TLC快閃記憶體與QLC快閃記憶體的P2固態硬碟基本沒什麼區別，採用QLC快閃記憶體的那款只是標簽上多了UK/CA字樣以及新的固件版本，同時少了兩個快閃記憶體晶片，不過被表面的標簽很好地隱藏了。TomsHardware表示最早的版本使用的應該是512Gb的96層TLC快閃記憶體，但這次TLC快閃記憶體的款式使用的是256Gb的64層TLC (B16A) 快閃記憶體，理論上性能已有所下降，同時也意味著P2固態硬碟至少有三種不同的配置方案。 除了TLC快閃記憶體與QLC快閃記憶體的P2固態硬碟，TomsHardware還使用了包括三星980 Pro、Sabrent Rocket NVMe 4.0、SK海力士Gold P31、三星 970 EVO Plus、三星980、希捷BarraCuda 510和西數 Blue SN550做了對比測試，項目有遊戲《最終幻想XIV》、PCMark 10、DiskBench、ATTO和CrystalDiskMark等（項目較多有興趣可看原文）。 最後結果也是顯而易見的，與採用TLC快閃記憶體的版本相比，更換成QLC快閃記憶體的P2固態硬碟在性能上大打折扣，比如SLC緩存已滿後，平均速度僅為...

Intel第12代酷睿處理器Alder Lake同時支持DDR5與DDR4記憶體，這種操作在兩代記憶體過渡的時候很常見，因為新的記憶體上市初期基本都面臨這供貨短缺而且價格過高的問題，高端市場可能沒所謂，但主流市場還是得靠舊記憶體來支撐出貨，當然了使用舊記憶體的話性能就可能沒那麼好。 現在Userbenchmark的資料庫里面已經有了Alder Lake用DDR5記憶體與DDR4記憶體的跑分結果，這兩個結果都是用16核24線程的處理器，但頻率並不相同，可能一個是Core i9-12900另一個是Core i9-12900K，當然也有可能是單純的廠商測試用的無名ES處理器。 DDR5平台用的是兩根美光的DDR5-4800 8GB，型號是C8C1084S1UC48BAW，查不到具體信息，不過美光原廠的記憶體多數是符合JEDEC規范，它們的CL可能是40。而DDR4平台則是使用兩根惠普OEM定製的金士頓HyperX Fury DDR4-3200 8GB記憶體，也查不到信息，暫且假設它也符合JEDEC規范，CL22。 測試結果出乎意料，頻率更高的DDR5記憶體讀取寫入帶寬甚至比DDR4還低，只是混合高一點，而且記憶體延遲要低不少，不過說真的，這份測試結果DDR4-3200記憶體延遲高得出奇，在Userbenchmark資料庫里面這套記憶體的平均延遲是75.2ns，而這份Alder Lake測試樣本的記憶體延遲非常高，具體什麼情況估計得等有更多樣本後才好判斷。 ...

索尼Play Station 5內置只有825GB存儲空間，已經不足夠應付如今動輒上百GB的遊戲文件。所幸的是，Play Station 5預留了一個標準的M.2 SSD擴展槽，而且是PCI-E 4.0規范。雖然Play Station 5初期並沒有開放這個M.2 SSD擴展槽，為玩家日後拓展存儲容量提供了機會。 在七月底，索尼已公布了擴充內建儲存容量的要求及指引，根據官方文檔的說明，使用該擴展槽的M.2 SSD的連續讀取速度需達到5500MB/s，只有少數高端型號的M.2 SSD才能滿足要求，玩家可選擇的餘地並不大。同時索尼建議玩家自行加裝的M.2 SSD，需要帶有散熱馬甲，這大概是防止過熱而出現掉速。 近日，十銓科技旗下電競品牌T-FORCE發布了專用於PlayStation 5擴充容量的T-FORCE CARDEA A440 Pro Special Series M.2 PCIe SSD，並使用白色石墨烯散熱片，預計會在十月發售。其連續讀取和連續寫入速度分別達到了7400 MB/s和7000 MB/s，最高提供8TB的容量。無論散熱片尺寸、讀寫速度和容量皆符合索尼的官方要求，讓玩家輕松地為Play...

Kioxia（鎧俠）宣布，將推出新版UFS 3.1嵌入式快閃記憶體設備，容量分別為256GB和512GB。鎧俠的快閃記憶體產品高級總監Scott Beekman表示，鎧俠最新的UFS設備通過Host Performance Booster等功能進一步突破了性能界限，成為智慧型手機和其他移動設備所需的薄型封裝解決方案。 鎧俠表示新產品將採用第五代 BiCS FLASH 3D（112 層）快閃記憶體，封裝高度分別為0.8mm（僅限於256GB容量）和1.0mm，並支持HPB 2.0技術。與此前的產品相比，隨機讀取性能提高約30%，隨機寫入性能提高約40%，面向包括高端智慧型手機在內的移動設備。 在鎧俠看來，現階段嵌入式快閃記憶體仍迫切需要提高性能和密度。在以GB為容量的存儲設備里，UFS越來越成為首選解決方案。以e-MMC和UFS為主導的快閃記憶體存儲市場里，2021年近70%的需求來自UFS，並且繼續在增長。此前鎧俠就表示，看好快閃記憶體業務的前景，會建立新的研究中心，以增強其研發能力。 和格羅方德半導體股份有限公司（GlobalFoundries）一樣，鎧俠也有首次公開募股（IPO）的打算。隨著新冠病毒擴散而爆發的半導體需求，讓這兩間公司在過去一年多的時間里，有了很大的發展空間，都加大了技術開發和產能擴充的投入，同時估值也不斷抬高。鎧俠的估值從最初的160億美元，幾乎翻倍至目前的300億美元。 此前市場傳出英特爾有意以300億美元收購GlobalFoundries，鎧俠也有類似的傳聞，不過收購方是美光或西數。在未來幾年，半導體行業有著不錯的發展前景，現在的估值可能遠沒到上限，所以看起來並不想被輕易收購。 ...

上一季度DRAM記憶體的價格暴漲了25%，而本季度漲幅收窄，合約價大概漲了3~8%，而從7月份開始，市場已經出現了需求疲軟的態勢，此前OEM廠商因為擔憂半導體元件缺貨的問題手頭上有大量備貨，較多的庫存對價格上漲有不少阻力，而且隨著歐美的逐步解封，對PC的需求就會有所降低，拉低了對記憶體的總需求量，預計第四季度記憶體價格會走跌，降幅在0~5%之間。 根據TrendForce的統計，因為近期記憶體廠手頭上有較多的庫存，所以廠家都開始降價求售，自5月20日截至8月3日，目前市場上主流記憶體的累積跌幅已經達到了32%，而且與第三季的合約價相比，現貨記憶體模組的價格甚至低於合約價，這是今年首次出現這現象，記憶體現貨價與合約價已有兩成的逆差，而且短期內沒有漲價的動力。 今年第二季度疫情高峰的時候，各個OEM廠商都在積極購買零件以避免陷入部件供應斷鏈的情況，這使得當季DRAM價格暴漲25%，這也使得廠商手頭上有大量的庫存，在6月底的時候，PC OEM上市手頭上的庫存能維持8~10周的出貨，部分品牌的記憶體庫量能維持10周以上，進入第三季後隨著後續的訂單陸續交貨，某些廠商庫存已經超過了12周的水平，在這麼高的庫存壓力下第四季度再加購是不太可能的。 而且隨著歐美的解封，PC出貨量會逐漸走低，特別是Chromebook最為明顯，在第二季度達到高峰後需求已經開始逐月下降了。盡管第四季度是銷售旺季，而且商用市場也有換機的需求，但筆記本需求會降低不少，整體記憶體需求量會降低。 所以記憶體第四季度價格會轉向下跌，Consumer DRAM DDR4的價格也會一同走低。顯存方面，由於NVIDIA現在出貨已經全部轉向限制哈希率的LHR系列，導致虛擬幣礦工的需求暴跌，這也必然降低對顯存的需求，合約價也會有所降低。伺服器記憶體由於受惠Intel新推出的Ice Lake平台，第四季度價格可能會持平，移動記憶體價格也會大致持平。 ...

在2020虛擬快閃記憶體峰會期間，NEO半導體執行長兼創始人Andy Hsu展示了一種新穎的NAND技術。這是被稱為X-NAND的快閃記憶體技術，其特點是將SLC的速度與QLC的高密度與低價結合在一起。據Blocks And Files報導，NEO半導體已獲得了X-NAND技術的專利。這家位於聖何塞的公司成立於2012年，目前擁有20多項與記憶體相關的專利，而且還在不斷研發中。 自NAND快閃記憶體誕生以來，一直沒有停下發展的腳步，基本上都是追求更高的存儲密度。從最初的SLC一直發展到現在的QLC，存儲密度有了大幅度提升，但隨著單元中位數增加，讀寫速度相對更低了，而且耐用性也變差了。 X-NAND技術旨在擁有單級單元（SLC）NAND快閃記憶體的速度，同時提供四級單元（QLC）NAND快閃記憶體的容量，並盡可能以最小的尺寸實現這一目標。據稱，X-NAND的隨機讀寫與寫入比QLC快閃記憶體快三倍，連續讀取快27倍，連續寫入快14倍。此外晶片的尺寸更小，Die Size只有同樣16 planes的NAND快閃記憶體的37%，還可以根據實際需要縮減晶片的尺寸，功耗也更低。 X-NAND技術可以與現有的任何NAND快閃記憶體配合使用，不需要進行結構更改，沒有額外的製造成本，從而提高了靈活性並簡化了轉換速度。未來NEO半導體很可能會將X-NAND技術授權給NAND快閃記憶體晶片的製造商，包括Kioxia（鎧俠）、美光、三星和SK海力士等。 ...

雖然在消費級市場里，使用DDR5記憶體的平台還沒有到來，但各大廠商已經在摩拳擦掌了。根據各個記憶體廠商的數據，DDR5記憶體的傳輸速率從6400 MT/s一直到12600 MT/s，相比DDR4記憶體高了許多。那些極端的傳輸速率，很大程度上是通過DDR5記憶體的板載電源管理IC（PMIC）和電壓調節模塊（VRM）實現的。 在過去許多年，記憶體基本不需要專門的散熱模塊，過去除了一些高頻的DDR3和DDR4記憶體以外，用戶還可以找到沒有「馬甲」的JEDEC標準頻率記憶體。到了DDR5記憶體時代，記憶體的散熱會變得復雜，或許簡單的散熱片也不那麼容易滿足散熱需求了。 近日，美商海盜船（Corsair）的DIY市場營銷總監George Makris在官方油管帳戶上就表示，由於電壓調節模塊從主板轉移到了記憶體PCB上，DDR5記憶體會比DDR4記憶體更熱。美商海盜船記憶體產品經理Matt Woithe也重申了這點，並表示准備使用美商海盜船獨家的雙路徑熱交換（DHX）來解決DDR5記憶體模組的發熱問題。 在過去每一代DDR記憶體上，電壓都在降低。DDR5記憶體的電壓已低至1.1V，電壓調節模塊的作用巨大。另一方面，一些高端高頻的DDR5記憶體，會通過增加電壓的方式提高頻率，比如威剛就表示速率為12600 MT/s的DDR5記憶體的電壓為1.6V，這會大大增加記憶體的發熱量。與此同時，DDR5記憶體還具備ECC校驗功能，極大地提高了穩定性，不過美商海盜船沒有確認這項功能是否會增加發熱量。 預計美商海盜船會在今年年末發布首批DDR5記憶體，以迎接英特爾Alder Lake平台。 ...

威剛科技攜手旗下專業電競品牌XPG，在8月6日上午11點舉辦全球在線新品發布會，其主題為「Xtreme Innovation」，以展現創立二十年來持續追求創新，不斷以科技帶給人們更便利更具智慧生活的初衷，展示了固態硬碟、新一代DDR5記憶體模塊和記憶卡等產品。 威剛將推出的DDR5記憶體模塊，效能最高可達8400 MT/s，容量也將提升至64GB，電壓僅為1.1V，以適應多任務處理，在文檔和程序間切換更順暢。據了解，威剛未來還會提供效能高達12600 MT/s的DDR5記憶體模塊。為了更好地滿足用戶在社交媒體、視頻流和5G網絡時代的需要，威剛准備了一系列新產品，其中包括了LEGEND PCIe Gen4 SSD系列，能夠實現7400 MB/s的極快讀取速度，非常適合視頻編輯和3D渲染。 隨著越來越多的用戶有便攜存儲的需求，威剛將推出USB4接口的外置SSD，這款名為SE920的產品讀寫速度最高達4000 MB/s，是目前業界傳輸效能最快的外置存儲裝置。威剛同時還展示了Premier Extreme SDXC SD7.0 Express記憶卡，可透過SD 7.0讀卡插槽進行高速傳輸和後端的影像編輯處理，甚至可以當成可攜式微型固態硬碟，其讀取和寫入速度分別高達800 MB/s和700 MB/s，由於向後兼容UHS-I，以進一步簡化使用。 威剛還推出了一系列遊戲產品，包括XPG XENIA 14和XENIA 15，均搭載英特爾第11代酷睿系列處理器，並提供了Thunderbolt 4接口。前者有著15毫米的輕薄鎂合金機身，重量僅為970克，可提供長達10小時的電池續航時間。後者同樣採用鎂合金機身，重量不到2kg，可選擇英偉達GeForce RTX 3060/RTX 3070顯卡。 此外，威剛還提供了XPG PRECOG...

微星宣布旗下SSD系列產品線更新，推出新款旗艦產品：黑競（SPATIUM）M480 PCIe 4.0 NVMe M.2 HS。微星旨在拓展高性能存儲產品領域，進一步完善產品線配置，建立更好的生態系統。微星表示，黑競 M480 HS的強悍性能，可以為內容創作者和遊戲玩家帶來更高水平的存儲性能，滿足其高負載的工作需求。 黑競 M480 HS採用了高品質和高密度的3D快閃記憶體顆粒，配備了DRAM緩存和SLC緩存技術，支持最新的PCIe Gen4和NVMe 1.4標準，其2TB型號可提供最大7000 MB/s順序讀取速度，以及6800 MB/s順序讀取寫入速度。為了滿足高性能帶來的散熱問題，微星為這款旗艦SSD產品配備了金屬散熱片來輔助散熱，高負載運行的時候，可有效降低溫度達20攝氏度，讓SSD持續有高性能表現。 黑競 M480 HS支持廣泛的數據校檢功能，包括LPDC ECC和E2E技術，具有很好的耐久性和使用壽命。微星為黑競 M480 HS提供了500GB、1TB和2TB三種存儲容量，並有5年報修和最高1400TBW（2TB型號）的高額定TBW。 除了黑競 M480 HS以外，微星還推出了M470和M370，均為M.2 2280規格。與M480定位高端不同，M470定位於主流消費級市場，支持PCIe Gen4標準，最高可達到5000 MB/s的順序讀取速度和4400...

索尼在PS5最近一次beta系統升級中，開放了機內那條M.2 SSD擴展槽，玩家可以自行為PS5擴充存儲空間，不過索尼宣稱需要一條持續讀寫速度達到5500MB/s的M.2 SSD，才能保證最佳的遊戲體驗，這個性能指標也只有一些高端的PCI-E 4.0 M.2 SSD才能符合，它們的大容量版本價格都能抵上，也並非大多數玩家願意花費的，那麼便宜很多的PCI-E 3.0 M.2 SSD能不能用。 媒體The Verge最新做了這個測試，他們用到一條標稱持續寫入速度在3200MB/s，讀取速在3900MB/s的主流性能水平M.2 SSD，裝進PS5後，對比與機身內置SSD，以及讀寫在5000MB/s的高速SSD，發現在多款遊戲中，它們對文件的載入速度表現都是相差無幾的，即便是在遊戲運行過程中會出現的一些輕微小暫停，這條沒達到索尼要求的M.2 SSD，也表現出與內置SSD相近的體驗。 目前很可能是因為遊戲都沒有對PS5的高速SSD作完全優化，又或者是遊戲有很多拖沓的logo標題畫面，另外也有可能是因為現在大多數遊戲都是跨平台的了，遊戲開發商們要照顧Xbox Series X，微軟這台次時代主機的內置SSD其實只有2500MB/s，所以遊戲不能完全為索尼這邊作優化。其實在很多SSD對遊戲載入速度影響的測試中，別說5000MB/s級別與3500MB/s級別SSD有差距了，在絕大多數遊戲，其實NVMe與SATA SSD的表現都是差不多的。 當然這樣的結果也意味著，玩家其實也不是說一定要給PS5配上高端的PCI-E 4.0 M.2 SSD，目前價格更宜人的大容量PCI-E 3.0 SSD也是可以考慮的，不過索尼既然要求用到更高速的SSD，應該還是有他們的原因，只是暫時沒有利用上而已，很難說後續一些他們的獨占大作，會不會就發揮出高速SSD的實力，所以這個嘛，大家自行決定了。 ...

在2020年10月份，SK海力士以90億美元的價格收購了英特爾的NAND快閃記憶體以及存儲業務，包括英特爾的固態硬碟業務、NAND配件和晶圓業務，以及在英特爾大連的NAND快閃記憶體晶片製造廠，不過英特爾將會保留傲騰業務。 據CRN報導，SK海力士接收了英特爾的這些業務後，會將其作為一家獨立公司運營，總部會設在美國，由英特爾現任NAND產品總經理Robert Crooke負責領導。這意味著在2025年3月份完成交易後，將成為SK海力士的全資子公司，保持一定的獨立性，此舉有助於英特爾的存儲業務部門在易手後保留現有美國地區的企業和政府客戶。 英特爾的3D NAND和存儲業務一直專注於伺服器和企業存儲市場，而SK海力士則幾乎面向所有存儲領域，在整合後不可避免地會失去一些客戶。將英特爾的存儲業務部門作為一個獨立實體，有助於減少雙方在存儲市場重疊造成的客戶流失，但不確定新成立的子公司是否還會繼續開發自己的3D NAND快閃記憶體。 SK海力士與英特爾這筆價值90億美元的交易里涉及的條款有點復雜，即便想進行整合也並不輕松。在獲得全球各地監管機構批准後，SK海力士將向英特爾支付70億美元，購買包括英特爾位於中國大連的工廠在內的NAND快閃記憶體業務。交易在2025年3月份完成後，SK海力士會向英特爾支付剩餘的20億美元，購買剩下的資產。在此期間，英特爾的工廠會繼續正常生產，直到合同最終完成。 ...

美光正式發布了Crucial P5 Plus M.2 NVMe SSD，和此前報導的一樣，這款新產品升級了PCI-E 4.0的支持，並且使用了美光最新的176層堆疊3D TLC，這可能是零售市場能買到的堆疊層數最多的3D NAND，與上代產品相比，Crucial P5 Plus擁有更高的速度，更低的功耗以及更密集的存儲密度。 Crucial P5 Plus的連續讀取速度達到了6600MB/s，連續寫入速度5000MB/s，去年的P5相比連續讀取速度提高了94%，寫入提高了67%，隨機讀取速度提升了67%，隨機寫入速度提升了40%，性能提升幅度還是相當不錯的，不過與那些動則達到7000MB/s的競爭對手相比，速度還是低了些。 Crucial P5 Plus有500GB、1TB、2TB三種容量，三個容量的連續讀取速度都是一樣的，但500GB的連續寫入速度只有3600MB/s，這款產品使用的是美光自家的主控，緩存晶片也是美光自己的，美光也是少數幾家能完全採用自家方案的SSD廠家。 售價方面，Crucial P5 Plus 500GB官網的標價是107.99美元，1TB是179.99美元，2TB是367.99美元，P5 Plus寫入耐久度和P5是一樣的，500GB是300 TBW，1TB是600 TBW，2TB是1200 TBW，在同類產品中算少的了，質保期依然是5年。 ...

根據TrendForce集邦咨詢的最新調查，由於新冠肺炎疫情的持續，「宅家經濟」仍然強勁，所以遊戲機等遊戲產品的銷售和相關零部件的需求都保持在一個不錯的水平。然而，在過去的兩個月里，加密貨幣的價值急劇下降，導致圖形DRAM市場因此在21年第三季度進入熊市。 雖然現貨市場上的圖形DRAM價格可能會出現最嚴重的波動，但由於DRAM供應商仍然將伺服器DRAM的生產置於其他產品類別之上，而且絕大多數圖形DRAM的供應仍然被主要采購商壟斷，因此預計3Q21的圖形DRAM合同價格將按季度增長10-15%。 應該指出的是，鑒於圖形DRAM市場的高度波動性，與其他主流DRAM產品相比，圖形DRAM價格逆轉或經歷更劇烈的波動是比較正常的。因此，如果加密貨幣市場繼續看跌，那麼圖形DRAM的價格不太可能在4Q21出現進一步上漲。相反，TrendForce預計4Q21的價格將與第三季度基本持平。 最近對圖形DRAM產品現貨交易的觀察表明，這個市場的變化與以太坊（ETH）的價值變化密切相關，因為顯卡是處理這種加密貨幣的挖礦算法的關鍵工具。由於ETH價格在兩個月內下跌了50%以上。相應地，加密貨幣礦工和投資者對ETH的興趣也大大降低。加密貨幣礦工的需求暴跌也意味著大量的顯卡被推向了二手市場。TrendForce的調查顯示，在過去一個月或更長時間里，顯卡的現貨價格下降了約20-60%。跌幅的差異取決於品牌和技術的生成。此外，顯卡現貨價格的全面下跌，也嚴重製約了顯卡DRAM的現貨需求。 根據TrendForce的了解，盡管GDDR6晶片的現貨價格仍然高於合約價格，但兩者的差距正在迅速縮小。這又會對未來GDDR6晶片的總體價格趨勢產生不利影響。用於前幾代顯卡的GDDR5晶片的交易則更加低迷。現在的現貨價格實際上比GDDR5晶片的合同價格低20%左右。這里的差異表明，老式顯卡過剩，嵌入其中的GDDR5晶片不再有高需求。 整體而言，圖形DRAM現貨市場是一個反應極快的市場，其價格已經開始反映出終端產品領域的需求減弱，尤其是用於加密貨幣挖礦的顯卡。隨著二手顯卡供應的增加，一些顯卡製造商可能因此啟動促銷降價以促進銷售。此外，現貨市場的買家也可能開始預期更低的價格，這種預期可能會導致他們的顯卡需求大規模下降，或者導致這些買家對圖形DRAM採取投機態度。因此，TrendForce認為，GDDR6晶片的現貨價格和合同價格之間的差距將在3Q21開始縮小。 ...

PlayStation 4是索尼在2013年2月20日推出的一台遊戲主機，搭載了AMD的定製APU，在之後的一段時間內，都是許多主機玩家首選的遊戲平台。即便PlayStation 5推出後，由於新一代主機的供貨短缺、價格偏高和遊戲陣容欠缺等原因，PlayStation 4仍具有相當魅力，甚至也出現了缺貨。 在向次世代遊戲主機的過渡時期，PlayStation 4還有不少新遊戲可以玩。不過對於廣大擁有PlayStation 4的遊戲玩家來說，現在比較頭疼的問題之一，就是其內置的硬碟容量偏小，不同型號標配容量在500GB至1TB之間，而且還是機械硬碟。時至今日遊戲容量越來越大，許多玩家的PlayStation 4內置硬碟已經不夠裝了，而且速度也顯得較慢。 目前想提高PlayStation 4容量有兩種方式。一種是早期普遍會見到的，許多玩家通過拆卸PlayStation 4，直接更換里面的機械硬碟。不過對於部分動手能力欠佳的玩家來說，會覺得稍顯麻煩。另外一種是索尼推出4.5系統版本後，PlayStation 4實現了對外置移動硬碟存儲的支持，這為玩家提供了新選擇，是更直接和方便的方式。近日，小編也嘗試了一下為自己的PlayStation 4添加外置移動硬碟，選擇了一塊長江存儲致鈦木星10 1TB移動硬碟，以擴充存儲空間。 在PlayStation 4加入外置移動硬碟前，首先要注意幾點： 1、PlayStation 4的系統版本需要4.5或以上，這對於眾多玩家來說基本不是問題，除非好幾年沒更新過系統版本。2、外置的移動硬碟的容量在250GB到8TB之間，而且確保是USB 3.0埠的設備和線材。3、外置移動硬碟的文件系統不能使用exFat格式，必須要NTFS格式。 在現階段要拓展存儲空間，1TB的容量必不可少，要不是外置移動硬碟裝不了多少遊戲就會滿了。致鈦木星10 1TB移動硬碟不但在容量上滿足了拓展的需求，而且是一款固態硬碟，相比傳統機械硬碟，固態硬碟讀寫速度有著絕對的優勢，不但充分利用了USB 3.0埠的帶寬，而且相比原來PlayStation 4里內置的機械硬碟速度有了很大的提升。 圖：致鈦木星10移動固態硬碟 圖：普通機械硬碟 在移動硬碟接到PlayStation 4之前，先在電腦上選擇NTFS格式進行格式化，清空硬碟。然後把移動硬碟插入PlayStation 4的USB埠，務必記得使用符合USB 3.0速率的線材。目前市面上線材比較混亂，不少線材在傳輸上仍然是USB 2.0標準，特別是很多所謂的快充線，即便是USB Type-C型埠也不滿足要求。如果玩家使用的設備或線材不符合要求，PlayStation 4可以檢測出來，而且畫面上會有提示原因，告知玩家需要更換。 進入PlayStation...

JEDEC固態存儲協會在2019年初正式發布了JESD209-5標準Low Power Double Data Rate 5即LPDDR5的標準，速率為6400MT/s，相比第一版LPDDR4的3200MT/s速率，直接翻了一倍，即便與LPDDR4X的4266MT/s速率相比也快了50%，這將明顯提升包括智慧型手機、平板電腦和超輕薄型電腦等應用場景的記憶體效率。 LPDDR5為了提升性能重新設計了架構，轉向16Banks可編程和多時鍾架構，並引入了Data-Copy和Write-X兩個新的指令，另外考慮到汽車與相關市場的需求，LPDDR5還引入了鏈路ECC糾錯功能。LPDDR5的電壓和LPDDR4X一樣是1.1V，信號電壓250mV，不過閒置狀態下電流將降低40%，可大幅降低功耗。 今天JEDEC固態存儲協會正式公布了JESD209-5B標準即LPDDR5X的標準，由JEDEC的JC-42.6低功耗存儲器小組委員會開發，這是對LPDDR5的可選擴展，專注於提高性能、功耗和靈活性，旨在提高包括5G通信性能、汽車高解析度增強現實/虛擬現實和使用AI的邊緣計算等應用場景的記憶體性能。 此最新版的主要更新包括了：1、速率提高到了8533MT/s。2、通過TX/RX均衡改善信號完整性。3、通過新的自適應刷新管理提高可靠性。4、LPDDR5X作為可選擴展，旨在提供更高的帶寬和簡化的架構。 美光、三星和Synopsys都參與了LPDDR5X的標準制定工作，各方都希望新標準可以為下一代智慧型手機、筆記本電腦和其他移動計算設備鋪平道路，打開5G和AI應用的大門，為遊戲、攝影和流媒體等記憶體密集型應用提供更好的用戶體驗。 ...

目前市面上的SSD大多使用TLC或者QLC 3D NAND快閃記憶體，Kioxia（鎧俠）早在2019年就開始討論PLC 3D NAND快閃記憶體，應該是快閃記憶體製造廠商里的第一家。鎧俠已不滿足於五級單元的PLC 3D NAND快閃記憶體，今年展示了六級單元的HLC 3D NAND快閃記憶體，並且展望未來八級單元的OLC 3D NAND快閃記憶體。 據PC Watch報導，在2021年4月份舉辦的第5屆IEEE電子器件技術與製造會議（EDTM 2021）上，鎧俠展示了HLC 3D NAND快閃記憶體的實驗結果。為了證明HLC 3D NAND快閃記憶體的可能性，鎧俠的研究人員將現有的3D NAND快閃記憶體晶片浸入液氮，以消除重寫周期造成的單元損耗，改善集成電路的物理特性和發生的過程。鎧俠成功地在一個單元內寫入和讀取6位數據，並保持了100分鍾，而且還能夠實現1000次擦寫循環（P/E），當然這與低溫有關。在正常情況下，HLC 3D NAND快閃記憶體大約是100次擦寫循環（P/E）。 目前PLC 3D NAND快閃記憶體還沒有商業化，鎧俠的合作夥伴西部數據認為，PLC 3D NAND快閃記憶體只會在2025年後對某些SSD有意義，原因是PLC...

SK海力士宣布計劃在未來幾個月內開始批量生產DDR5記憶體，預計這些記憶體將會與英特爾今年即將推出的Alder Lake平台一起投放市場。SK海力士早在2019年就展示了第一批DDR5芯粒和工程樣品，但即將量產的記憶體與原來的工程樣品有所區別。 此前SK海力士還向其合作夥伴提供了相關的DDR5芯粒和工程樣品，與即將推出的處理器進行驗證。今年下半年量產之後，在消費市場上將滿足英特爾Alder Lake平台的需求，到了明年上半年，還會為伺服器市場的Sapphire Rapids處理器服務。SK海力士在聲明中透露： 「今年下半年開始供應通過EUV（極紫外）設備量產的1a nm級工藝技術的DRAM，以及DDR5 DRAM的量產。」 在這個月初，SK海力士宣布會在本月開始量產基於1a nm級工藝技術的8Gigabit（Gb）LPDDR4移動端DRAM產品，這屬於第四代10nm製程技術，是專為移動終端開發的低功耗DRAM規格。新產品的速率將穩定在4266 Mbps，是標準LPDDR4移動端DRAM規范中最快的傳輸速率。與上一代的1z nm級工藝技術相比，在使用相同尺寸晶圓的情況下，生產的DRAM產品數量增加了25%，功耗將降低20%。 明年初開始，SK海力士會將1a nm級工藝技術應用於旗下的DDR5產品，代替第一代DDR5產品。除了啟動DDR5的批量生產外，SK海力士還將擴大128層NAND快閃記憶體在移動端和企業級產品的使用，並會在今年晚些時候量產176層NAND快閃記憶體。 ...