三星電子今日宣布（3月25日），開發了業內首款容量達到512GB的DDR5記憶體模組。
據悉，存儲顆粒採用高電介質金屬柵極（HKMG）晶體管工藝製造，進一步降低漏電。單DRAM芯片的容量是16Gb(2GB)，通過TSV穿孔實現了8層堆疊，也就是16GB，湊成512GB的話總計需要32顆。
速度方面，這款DDR5記憶體條的速度高達7200Mbps，也就是7200MHz頻率。即便如此，三星表示功耗下降了13%。
Intel副總裁Carolyn Duran確認，三星的新款DDR5記憶體和下一代至強可擴展處理器（Sapphire Rapids藍寶石激流）兼容。根據路線圖，Sapphire Rapids應該是第四代至強可擴展處理器，年底前登陸，除了DDR5，還會首發PCIe 5.0。
三星表示，旗下多款DDR5記憶體已經進入試樣階段。
對於普通消費者來說，對DDR5的支持要等到下半年的12代酷睿（Alder Lake）和AMD Zen4了。
來源：快科技
