快科技1月12日消息，隨著人工智慧的發展，市場對記憶體的要求更高，三星正在向市場推出基於特定應用要求的存儲組合產品。
據悉，三星最近正在研發新型存儲器LLW DRAM，將高帶寬、低延遲、低功耗的特性結合在一起。三星將新的記憶體技術定位在需要運行大型語言模型（LLM）的設備上，未來也可能出現在各種客戶端工作負載中。
LLW DRAM作為一種低功耗記憶體，擁有寬I/O、低延遲、每個模塊/堆棧提供了128GB/的帶寬，與一個128位DDR5-8000記憶體子系統的帶寬相同。
同時，LLW DRAM還有另一個重要特性，就是1.2pJ/bit的超低功耗，不過三星沒有告知該功耗下的具體數據傳輸速率。
據了解，LLW DRAM在設計上可能會借鑒GDDR6W，並採用扇出晶圓級封裝（FOWLP）技術將多個DRAM集成到一個封裝中。
目前三星已公布技術的預期性能細節，根據過往經驗，LLW DRAM很可能到了開發階段的尾聲。
來源：快科技
