說起記憶體參數，大家肯定多知道容量、頻率，甚至是電壓、顆粒來源等，但和頻率一樣決定了記憶體性能高低的時序(也常說延遲)，卻往往容易被忽視。
今天，影馳就記憶體時序做了一個簡單的科普，一起來了解下。
記憶體頻率是一個數字，而記憶體時序則是一大串數字，最常用的就有4個，表述的時候中間用破折號隔開，例如16-18-18-38。
這些數字都表示延遲，也就是記憶體的反應時間。當記憶體接收到CPU發來的指令後，通常需要幾個時鍾周期來處理它，比如訪問某一塊數據，這就對應時序參數。
當然了，這個處理時間越短，記憶體性能越好。
記憶體時序4個數字對應的參數分別為CL、tRCD、tRP、tRAS，單位都是時間周期，也就是一個沒有單位的純數字。
CL（CAS Latency）：列地址訪問的延遲時間，是時序中最重要的參數
tRCD（RAS to CAS Delay）：記憶體行地址傳輸到列地址的延遲時間
tRP（RAS Precharge Time）：記憶體行地址選通脈沖預充電時間
tRAS（RAS Active Time）：行地址激活的時間
看完感覺更懵圈了？沒關系，給你舉個例子。
我們可以把記憶體存儲數據的地方想象成下面這樣，每個方格都存儲着不同的數據。CPU需要什麼數據，就向記憶體發來相應的指令，比如想要的位置是C4。
記憶體收到CPU的指令之後，要先確定數據具體在哪一行，時序的第二個參數tRCD就代表這個時間，意思就是記憶體控制器接收到行的指令後，需要等待多長時間才能訪問這一行。
由於每一行都有多個數據，記憶體並不能哪一個才是CPU需要找的，所以tRCD只是一個估值，這也就是為什麼小幅改動這個數值，並不會顯著改變記憶體的性能。
記憶體確定了數據所在的行之後，要想找出數據，還得確定列。時序的第一個數字也就是CL（CAS），就表示記憶體確定了行數之後，還得等待多長時間，才能訪問具體的列數（時間周期）。
行列必然產生交點，也就是說確定了行數和列數之後，就能准確找到目標數據，所以CL是一個准確的值，任何改動都會影響目標數據的位置，所以它在時序當中是最關鍵的一個參數，對記憶體性能的發揮着舉足輕重的作用。
記憶體時序的第三個參數tRP，就是如果我們已經確定了一行，還要再確定另外一行所需要等待的時間（時間周期）。
第四個參數tRAS，可以簡單理解成記憶體寫入或者讀取數據的一個時間，它一般接近於前三個參數的總和。
所以，在保障穩定性的前提下，記憶體時序越低越好，而高頻率和低時序是個矛盾體，一般頻率上去了，時序就得有所犧牲，要想足夠低的時序，頻率又很難拔高。
那麼，時序對記憶體性能的影響到底有多大呢？
我們做了一個測試，保持記憶體頻率不變，可以看到，記憶體的性能隨着時序的變小而不斷變強。
另外，時序改變後，記憶體延遲的變化比記憶體讀寫速度的變化更加明顯，這也說明時序對記憶體的影響，更側重在延遲方面。
現在，你懂了嗎？
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