作為全球最大的NAND快閃記憶體供應商，三星對其V-NAND技術的開發制定了宏偉的計劃。去年三星曾表示，2024年初將開始生產第9代V-NAND技術的產品，繼續沿用雙堆棧架構，擁有業界最高的層數。
據相關媒體報導，三星計劃下個月發布第9代V-NAND技術，層數將達到290層，高於之前所傳的280層，以替代2022年發布的236層第8代V-NAND技術。目前存儲行業似乎已進入「層層堆疊」的激烈競爭當中，而三星看起來領先於SK海力士和鎧俠等競爭對手。此外，三星還公布了第10代V-NAND技術上，層數將達到430層，計劃會在明年到來，或許會引入三堆棧架構。
傳聞首款採用第9代V-NAND技術的是1Tb（128GB）QLC 3D NAND快閃記憶體晶片，存儲密度達到了28.5Gb mm2，將高於目前業界最高的長江存儲產品，後者的存儲密度為20.62Gb mm2。同時I/O速率達到了3.2 Gbps，相比第8代V-NAND技術的2.4 Gbps也要快得多。如果條件允許，三星可能會提供容量為16TB的M.2 SSD，或者是單面8TB的產品。
除了提高存儲密度外，新款3D NAND快閃記憶體晶片的性能也將得到提升，其中包括了最大化3D NAND快閃記憶體輸入/輸出（I/O）速度的新結構。預計三星將帶來990 Pro系列的繼任者，採用PCIe 5.0接口的新一代旗艦SSD。
2022年三星在「Samsung Tech Day 2022」上提出了長期願景：到2030年會將層數提高至1000層。不過有著相同目標的NAND快閃記憶體製造商不止三星一家，此前有報導稱，鎧俠首席技術官Hidefumi Miyajima在近期的一次會議上表示，計劃到2031年開始批量生產超過1000層的3DNAND快閃記憶體晶片。
來源：超能網
