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作為全球最大的NAND快閃記憶體供應商，三星對其V-NAND技術的開發制定了宏偉的計劃。去年三星曾表示，2024年初將開始生產第9代V-NAND技術的產品，繼續沿用雙堆棧架構，擁有業界最高的層數。 據相關媒體報導，三星計劃下個月發布第9代V-NAND技術，層數將達到290層，高於之前所傳的280層，以替代2022年發布的236層第8代V-NAND技術。目前存儲行業似乎已進入「層層堆疊」的激烈競爭當中，而三星看起來領先於SK海力士和鎧俠等競爭對手。此外，三星還公布了第10代V-NAND技術上，層數將達到430層，計劃會在明年到來，或許會引入三堆棧架構。 傳聞首款採用第9代V-NAND技術的是1Tb（128GB）QLC 3D NAND快閃記憶體晶片，存儲密度達到了28.5Gb mm2，將高於目前業界最高的長江存儲產品，後者的存儲密度為20.62Gb mm2。同時I/O速率達到了3.2 Gbps，相比第8代V-NAND技術的2.4 Gbps也要快得多。如果條件允許，三星可能會提供容量為16TB的M.2 SSD，或者是單面8TB的產品。 除了提高存儲密度外，新款3D NAND快閃記憶體晶片的性能也將得到提升，其中包括了最大化3D NAND快閃記憶體輸入/輸出（I/O）速度的新結構。預計三星將帶來990 Pro系列的繼任者，採用PCIe 5.0接口的新一代旗艦SSD。 2022年三星在「Samsung Tech Day 2022」上提出了長期願景：到2030年會將層數提高至1000層。不過有著相同目標的NAND快閃記憶體製造商不止三星一家，此前有報導稱，鎧俠首席技術官Hidefumi Miyajima在近期的一次會議上表示，計劃到2031年開始批量生產超過1000層的3DNAND快閃記憶體晶片。 ...

ISSCC 2024（IEEE 國際固態電路會議）將於2月18日至22日在美國舊金山舉行，此前大會已確認，三星將介紹其最新的GDDR7內存技術，速率達到了37Gb/s，為16Gb模塊。 據TomsHardware報導，三星正在准備發布第9代V-NAND技術的產品，為1Tb（128GB）QLC 3DNAND快閃記憶體晶片，達到了280層，相比第8代V-NAND技術的236層有了進一步的提高。其存儲密度達到了28.5Gb mm2，將高於目前業界最高的長江存儲產品，後者的存儲密度為20.62Gb mm2。同時I/O速率達到了3.2 Gbps，相比第8代V-NAND技術的2.4 Gbps也要快得多。 作為全球最大的NAND快閃記憶體供應商，三星對其V-NAND技術的開發制定了宏偉的計劃。去年三星曾表示，2024年初將開始生產第9代V-NAND技術的產品，繼續沿用雙堆棧架構，擁有業界最高的層數。不過當時三星稱層數將超過300層，比現在的280層還要更高一些。如果條件允許，三星可能會提供容量為16TB的M.2 SSD，或者是單面8TB的產品。 據了解，三星在ISSCC 2024上將展示這款280層QLC 3D NAND快閃記憶體。此外，三星還打算展示新一代DDR5晶片，頻率達到了8000 MHz，為32Gbit模塊，採用了三星第五代10nm級工藝技術製造。 ...

作為全球最大的NAND快閃記憶體供應商，三星對其V-NAND技術的開發制定了宏偉的計劃。近日，三星分享了最新的V-NAND技術開發情況，重申了明年初將開始生產第9代V-NAND技術的產品，將超過300層，繼續沿用雙堆棧架構，擁有業界最高的層數。 所謂雙堆棧架構，即在300mm晶圓上先生產一個3D NAND快閃記憶體堆棧，然後在原有基礎上再構建另一個堆棧，三星在2020年首次引入該技術。超過300層的第9代V-NAND技術將提高300mm晶圓生產的存儲密度，使得製造商能夠生產更低成本的固態硬碟，或者讓相同存儲密度及性能的固態硬碟變得更便宜。此前SK海力士展示了全球首款321層NAND快閃記憶體，成為了業界首家開發300層以上NAND快閃記憶體的公司，不知道三星可以做到多少層。 除了提高存儲密度外，新款3D NAND快閃記憶體晶片的性能也將得到提升。三星表示，正在致力於開發下一代創造價值的新技術，其中包括了最大化3D NAND快閃記憶體輸入/輸出（I/O）速度的新結構。預計三星將帶來990 Pro系列的繼任者，採用PCIe 5.0接口的新一代旗艦SSD。 據了解，三星為了保證產量，可能會在第10代V-NAND技術上引入三堆棧架構，層數將達到430層。這意味著會增加原材料的使用量，並增加每個3D NAND晶圓的成本。去年三星在「Samsung Tech Day 2022」上提出的長期願景是，到2030年會將層數提高至1000層。 ...

近日，存儲器製造商三星和SK海力士已經獲得美國無限期豁免，不需要特別的許可批准，即可為其在華工廠安裝帶有美國技術的製造設備。目前三星在西安擁有NAND快閃記憶體工廠，另外在蘇州還有封裝設施。 據Business Korea報導，三星已經決定對西安工廠進行升級，並開始大規模擴張，首先將過渡到200層的NAND工藝。為了應對過渡計劃，目前三星已采購了一批新的設備，預計今年年底就能交付。同時三星計劃明年陸續引進新的生產設備，為生產採用第8代V-NAND技術的236層快閃記憶體產品做好准備。 三星決定升級西安工廠主要有兩個原因。第一是NAND快閃記憶體市場沒有出現復蘇跡象，即便今年4月開始採取減產措施也沒有明顯改變，為了保持其在該領域的領導地位，選擇升級工藝可以確保產品的競爭力和價格，畢竟比起第6代V-NAND技術，第8代新技術的晶圓投入減少了30%左右，更能平衡市場供需。三星西安工廠作為採用第6代V-NAND技術的128層快閃記憶體產品的主要生產基地，開工率自然也大幅度下降。 美國的無限期豁免是另外一個原因，促使三星盡快升級生產設備。三星在西安的NAND快閃記憶體工廠是其唯一的海外存儲半導體生產基地，第一工廠投資了108.7億美元，於2014年5月開始投產，並在2017年開始建造第二工廠，先後投資了150億美元，於2022年3月全面投產。這是全球產能最高的NAND快閃記憶體工廠，占三星NAND快閃記憶體總產量的40%以上，占全球NAND快閃記憶體總產量的10%以上。 ...

三星去年末開始批量生產採用第8代V-NAND技術的產品，為1Tb（128GB）TLC 3D NAND快閃記憶體晶片，達到了236層，相比於2020年首次引入雙堆棧架構的第7代V-NAND技術的176層有了大幅度的提高。據DigiTimes報導，三星准備明年開始生產第9代V-NAND技術的產品，將超過300層，繼續沿用雙堆棧架構。 所謂雙堆棧架構，即在300mm晶圓上先生產一個3D NAND快閃記憶體堆棧，然後在原有基礎上再構建另一個堆棧。超過300層的第9代V-NAND技術將提高300mm晶圓生產的存儲密度，使得製造商能夠生產更低成本的固態硬碟，或者讓相同存儲密度及性能的固態硬碟變得更便宜。 此前競爭對手SK海力士在美國聖克拉拉舉行的2023快閃記憶體峰會（Flash Memory Summit 2023）上，首次展示了全球首款321層NAND快閃記憶體，成為了業界首家開發300層以上NAND快閃記憶體的公司。SK海力士透露，打算2025年上半年開始生產這款NAND快閃記憶體，採用的是三層堆疊方法。該工藝涉及創建三組不同的3D NAND層，將增加操作步驟和原材料的使用，但其目的是最大限度地提高產量，相比之下更容易生產3D NAND堆棧。 據了解，三星為了保證產量，可能會在第10代V-NAND技術上引入三堆棧架構，層數將達到430層。這意味著會增加原材料的使用量，並增加每個3D NAND晶圓的成本。去年三星在「Samsung Tech Day 2022」上提出的長期願景是，到2030年會將層數提高至1000層。 ...

三星宣布，已開始批量生產採用第8代V-NAND技術的產品，為1Tb（128GB）TLC 3D NAND快閃記憶體晶片，達到了236層，相比第7代V-NAND技術的176層有了大幅度的提高。三星稱，新的快閃記憶體晶片提供了迄今為止業界內最高的位密度，可在下一代企業伺服器系統中實現更大的存儲空間。 第8代V-NAND快閃記憶體基於最新NAND快閃記憶體標準的Toggle DDR 5.0接口，I/O速率達到了2.4 Gbps，比上一代產品提高了1.2倍，這使得新款快閃記憶體晶片能夠滿足PCIe 4.0及下一代PCIe 5.0產品的性能要求。三星表示，第8代V-NAND快閃記憶體有望成為存儲配置的基石，不但有助於擴展下一代企業伺服器的存儲容量，而且還能擴展到對可靠性要求較高的汽車市場。 今年5月份，美光宣布推出232層的3D TLCNAND快閃記憶體，並准備在2022年末開始生產，計劃用在包括固態硬碟在內的各種產品上。該款晶片採用了CuA架構，使用了NAND的字符串堆疊技術，初始容量同為1Tb。到了8月份，SK海力士宣布成功研發全球首款業界最高層數的238層NAND快閃記憶體，同時已向合作夥伴發送512Gb TLC 4D NAND快閃記憶體的樣品，並計劃在2023年上半年正式投入量產。 目前NAND快閃記憶體市場里，三星的市場份額是最高的，到達了35%。隨著採用第8代V-NAND技術的產品引入，三星在層數上已追上SK海力士和美光，以確保市場上的競爭優勢。 ...

長江存儲近日宣布了他們的128層堆疊3D快閃記憶體研發成功，並且准備在年底投產，但三星近日在股東大會上宣布他們已經在開發第七代V-NAND快閃記憶體，堆疊層數多達160層。 圖片來源：三星官網 根據etnews的報導，三星已經在第七代V-NAND快閃記憶體的開發中取得了重大進展，並且已經加快了開發進程，三星此前一直在用單堆棧技術來生產3D快閃記憶體，而第七代V-NAND將會改用雙堆棧技術，以便製作更高層數的3D快閃記憶體，其實東芝與西數的BiCS 5快閃記憶體就是使用兩層56層的堆棧合在一起組成一個112層堆棧的晶片的。 目前快閃記憶體增加容量的方式已經不像CPU和GPU那樣依靠更精細的工藝來增大電晶體密度了，而是通過3D堆疊工藝來增加堆棧層數，堆棧數越多存儲密度就越大，進入到2020年，各個快閃記憶體廠家都准備推100層以上的3D快閃記憶體，三星現在的第六代V-NAND就是100+層，具體堆疊層數沒明說，東芝、西數的BiCS 5是112層的，而SK海力士最新的是128層，Intel和美光最新的也是128層，不過Intel已經在准備144層的3D快閃記憶體。 當然了不能光看層數來看3D快閃記憶體的存儲密度，因為快閃記憶體內部除了存儲層之外還有邏輯層，當中的占比廠家們肯定不會說。 ...

今天上午，三星官方宣布他們已經開始生產整合了公司最新第六代256Gb 3bit NAND顆粒的250GB SATA SSD。不過用上最新顆粒的SSD目前只向OEM渠道出貨，消費級市場還要過一段時間才能用上。 圖片來自於三星官方 「通過將尖端的3D存儲技術應用於量產，從而能夠及時地推出顯著提高速度和能效的存儲產品系列」，三星電子解決方案產品與開發執行副總裁Kye Hyun Kyung表示，「隨著下一代V-NAND產品有著更快開發周期，我們計劃快速擴展我們的高速大容量512Gb V-NAND解決方案的市場」。 三星官方的堆疊式V-NAND開始量產的時間表 時間表證明，三星從第五代推進到第六代所花費的時間比第四代升級到第五代減少了四個月的時間，他們確實在快速推進高堆疊層數的V-NAND生產。三星表示第六代100+層的V-NAND的寫入速度在450微秒，讀取速度為45微妙，性能比上代提升了10%，功耗節約15%，整體產量會上升20%。繼今天宣布的新款250GB SSD之後，今年下半年三星還計劃提供基於512Gb大小的3-bit V-NAND SSD和eUFS快閃記憶體。 不過消費級市場上，目前用上第五代也就是96層堆疊TLC的三星產品只有970 EVO Plus可以買到，它也是之前的消費級TLC性能領先者。三星自家的產品一直堅持使用自家的主控和顆粒，除了價格稍貴，在產品性能和品質上面一直都屬於行業領先者的地位，而且目前市面上能買的到的少數零售版MLC產品，三星970 Pro就是其中的一員，至少他們沒有放棄繼續向消費級市場出貨MLC產品。 前不久東芝剛宣布向消費級市場推出使用96層TLC顆粒的RD500 & RC500這兩款產品，96層顆粒也慢慢地將會在消費級市場上成為主流，不過隨著QLC的成熟，可能以後TLC也會像當年SLC、MLC顆粒經歷的那樣，慢慢地被取代吧。要等100+層數的TLC進入消費級市場，可能還要等很久。 ...

最近一段時間來美光、英特爾、東芝、西數先後宣布了QLC快閃記憶體出樣以及96層堆棧3D快閃記憶體上市的消息，作為全球第一大NAND供應商的三星在這方面倒是很低調，但是三星的行動一點也不慢，前幾天宣布量產第五代V-NAND快閃記憶體，今年將推出32TB容量的TLC快閃記憶體硬碟，1Tb核心容量的QLC快閃記憶體硬碟今年內也會問世。 三星公司日前在日本東京舉行了「三星SSD論壇2018東京」會議，宣布了該公司在NAND快閃記憶體及SSD上的一些進展，日本PCWatch網站做了詳盡報導，這里我們節選了部分內容報導，主要涉及超大容量32TB硬碟及QLC快閃記憶體的。 首先是三星在NAND快閃記憶體上的一些優勢，2002年首發了1Gb核心的NAND快閃記憶體，2013年首發了128Gb核心的NAND快閃記憶體，現在這是首發了1Tb核心容量的V-NAND快閃記憶體。目前三星的主力是64層堆棧的第四代V-NAND快閃記憶體，前不久三星宣布量產第五代V-NAND快閃記憶體，堆棧層數提升到了90層以上（很多報導中說是96層，不過三星官方說法是90層以上）。 三星將基於最新的3D快閃記憶體推出32TB容量的硬碟，不過這個硬碟看起來像是M.2規格，實際上兩者不太一樣，M.2是22mm寬，80-110mm長，三星用的是NGSFF（NF1）規格，長110mm，寬30.5mm，也就是說比M.2硬碟更寬一些，好處是可以並排放下兩組NAND快閃記憶體，有助於提高SSD容量，32TB硬碟就是這麼來的。 不過它使用的是SAS界面，主打企業級市場，除了容量增大之外，第四代V-NAND快閃記憶體的隨機性能也是前代的2.5倍之多。 三星這個32TB容量的SSD硬碟使用的還是TLC快閃記憶體，三星在QLC快閃記憶體方面也沒有放鬆，已經有1Tb核心容量的QLC快閃記憶體，三星也有32核心堆棧的QLC硬碟了，預計2018年上市。 三星的QLC硬碟是用於企業級市場，目的是取代現在的10K、15K轉HDD硬碟，與他們相比，QLC快閃記憶體硬碟的TCO總成本下降了66%。 除了數據中心、伺服器等市場，三星還會推出客戶端級QLC硬碟，也就是消費級市場也會有QLC快閃記憶體硬碟，三星PPT中提到的是SATA接口，與TLC快閃記憶體的硬碟相比，QLC硬碟一樣可以實現540、520MB/s的讀取、寫入速度，性能上沒差距。 現在除了SK Hynix沒有具體公布他們的96層堆棧快閃記憶體及QLC快閃記憶體進度之外，其他三大陣營的NAND供應商都公布了QLC硬碟的進度了，數據中心市場是QLC硬碟的重點，但目標不是取代TLC硬碟而是取代HDD硬碟，主要是那些關鍵任務所用的10K、15K高性能HDD硬碟。 至於消費級市場，QLC硬碟預計在下半年問世，雖然理論上1Tb核心的QLC快閃記憶體可以輕松做到5TB甚至10TB以上的容量，不過真正上市的話首發容量不會這麼大，畢竟還是要考慮到消費者的承受力，但是照這個趨勢下去，明年有可能普及256-512GB的SSD硬碟了。 ...

2018年各大NAND廠商都已經大規模量產了64層堆棧的3D NAND快閃記憶體，以TLC快閃記憶體為主，下一代快閃記憶體的堆棧層數要繼續提升50%達到96層級別。三星今天宣布量產第五代V-NAND快閃記憶體，業界首發Toggle DDR 4.0接口，速率達到了1.4Gbps，堆棧層數超過90層。此外，三星還准備推出1Tb核心容量以及QLC結構的V-NAND快閃記憶體。 三星的V-NAND是3D NAND快閃記憶體中的一種，目前主力生產的是第四代V-NAND，堆棧層數64層，現在量產的是第五代V-NAND快閃記憶體，核心容量256Gb並不算高，但是各項指標很強大，它首發支持Toggle DDR 4.0接口，傳輸速度達到了1.4Gbps，相比64層堆棧的V-NAND快閃記憶體提升了40%。 第五代V-NAND快閃記憶體的性能、功耗也進一步優化，工作電壓從1.8V降至1.2V，同時寫入速度也是目前最快的，只有500us，比上一代快閃記憶體提升了30%，讀取信號的響應時間也縮短到了50us。 三星的第五代V-NAND快閃記憶體內部堆棧了超過90層CTF Cell單元，是目前堆棧層數最高的，這些存儲單元通過微通道孔洞連接，每個孔洞只有幾百納米寬，總計包含超過850億個CTF單元，每個單元可以存儲三位數據（這是TLC快閃記憶體）。 此外，第五代V-NAND快閃記憶體在製造工藝上也做了優化，製造生產效率提升了30%，先進的工藝使得每個快閃記憶體單元的高度降低了20%，減少了單位之間的竄擾，提高了數據處理的效率。 除了第五代V-NAND快閃記憶體之外，三星還在擴展V-NAND快閃記憶體，准備推出核心容量高達1Tb的NAND快閃記憶體及QLC類型的快閃記憶體，繼續推動下一代快閃記憶體發展。 三星目前正在加大第五代V-NAND快閃記憶體的量產，以便滿足高密度存儲領域——超算、企業伺服器及移動市場的需求。 ...