三星前不久宣布7nm LPP EUV工藝已經獲得了Synopsys的認證，今年下半年就要量產，這將是全球首個EUV工藝，要比台積電、Globalfoundries等公司激進得多，他們要到明年的第二代7nm工藝才會考慮使用EUV工藝。除了處理器晶片，三星在DRAM記憶體晶片上也准備使用EUV工藝，預計2020年在1Ynm工藝上正式使用，而美光公司前不久才表示暫時不需要EUV工藝。
DRAM晶片的劃代工藝跟處理器不同，目前記憶體主流的還是20nm、18nm工藝，其中18nm就屬於1X nm節點（16-19nm之間），後面的1Y nm則是14-16nm之間，1Z大概是12到14nm。再之後，美光提出的是1α及1β工藝，具體對應xx nm不明，但是美光之前表態EUV工藝不是DRAM晶片必需的，直到1α及1β工藝上都也不會用到它。
ASML提到的EUV光刻工藝路線圖
但是美光不用不代表其他廠商不用，三星不僅在處理器晶片上押注EUV工藝，在DRAM晶片上也即將切入EUG工藝。韓國媒體報導稱，三星准備在下一代記憶體工藝上使用EUV光刻，預計2020年的1Ynm DRAM晶片上就改用EUV光刻取代現有的DUV光刻工藝。
使用EUV光刻工藝可以製造更精細的電晶體，減少對多重曝光方案的使用，降低成本，不過EUV工藝目前的問題在於ASML的EUV光刻機還不能達到大規模量產的水平。
根據ASML最新報告，Q1季度該公司共有20台EUV光刻機訂單，其中台積電8台，三星6台，英特爾3台，Globalfoundries公司1台，中國中芯國際也有一台訂單，不過交付日期還沒定。
來源：超能網
