傳三星HBM3E晶片存在運行過熱問題,導致無法通過英偉達的驗證

美光、SK海力士和三星先後在去年7月底、8月中旬、以及10月初向英偉達提供了8層垂直堆疊的HBM3E(24GB)樣品。其中美光和SK海力士的HBM3E在今年初已通過英偉達的驗證,並獲得了訂單。不過三星HBM3E尚未通過英偉達的測試,仍需要進一步驗證,傳聞主要卡在台積電(TSMC)的審批環節。

傳三星HBM3E晶片存在運行過熱問題,導致無法通過英偉達的驗證

據相關媒體報導,三星的HBM3E晶片在英偉達的驗證測試過程中似乎遇到一些重大問題,其中晶片運行過熱就是一個大問題。據了解,三星從去年開始,就先後提供了HBM3和HBM3E給英偉達進行驗證,但是一直沒有通過,這意味著這些問題已經存在至少六個月的時間。

有業內人士透露,三星提供的8層堆疊和12層堆疊的HBM3E晶片都有問題,因此英偉達暫時只可能在SK海力士或者美光處下單。其中SK海力士早在2022年6月左右就開始向英偉達提供HBM3,用於H100,然後從2024年3月起又開始供應HBM3E。

暫時還不清楚三星的HBM3和HBM3E晶片到底是生產問題,還是與封裝相關的問題,或者是其他問題。與SK海力士和美光相比,三星開發的時間更短一些,顯得有些匆忙。此前有消息稱,三星的HBM3E產品在製造工藝上有些許差異,而台積電基於的是SK海力士的檢測標准,因此受到的影響。

對此三星官方表示,這些屬於根據客戶需求定製產品的問題,並否定了過熱的說法,稱測試正在按計劃進行。

來源:超能網