美光宣布，推出業界首款帶寬超過1.2TB/s、引腳速度超過9.2GB/s、8層垂直堆疊的24GB容量HBM3 Gen2，相比目前出貨的HBM3解決方案提高了50%。
美光表示，HBM3 Gen2產品的每瓦性能是前幾代產品的2.5倍，為人工智慧（AI）數據中心的性能、容量和功率效率等關鍵指標創造了新的記錄，可以減少GPT-4等大型語言模型的訓練時間，並提供了卓越的總擁有成本（TCO）。美光HBM3 Gen2解決方案的基礎是其1β（1-beta）工藝，在行業標准封裝尺寸內將24GB DRAM晶片組成了8層垂直堆疊的立方體。
此外，美光還在准備12層垂直堆疊的單品36GB DRAM晶片，與現有的競爭解決方案相比，在給定的堆棧高度下，美光提供的容量增加了50%。美光在技術方面的進步，讓能效提升成為可能，矽通孔（TSV）技術增加了一倍，金屬密度增加了五倍，從而降低了熱阻抗，以及節能的數據路徑設計，因此能效得以提高。
根據美光公布的最新技術路線圖，2026年的「HBMNext」將進一步提高容量，可達到36GB至64GB，帶寬也會提升至超過1.5TB/s至2+TB/s。此外，美光明年也會帶來GDDR7，容量為16Gb至24Gb，每個數據I/O接口的速率為32Gbps，與三星近期推出的首款GDDR7基本一致。
來源：超能網
