在FMS國際快閃記憶體會議上，長江存儲公開了新型3D NAND快閃記憶體結構Xtacking，該技術將為3D NAND快閃記憶體帶來將近DDR4記憶體水平的I/O接口速度，同時具有業界領先的存儲密度。
Xtacking可在一片晶圓上獨立加工負責數據I/O及記憶單元操作的外圍電路，而存儲單元則在另一片晶圓上被獨立加工，也就是說長江存儲打算在用不同的工藝在兩塊晶圓上生產NAND的陣列電路與NAND的邏輯電路，這樣的加工方式有利於選擇合適的先進邏輯工藝，以讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。當兩片晶圓各自完工後，創新的Xtacking技術只需一個處理步驟就可通過數百萬根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互聯通道)將二者鍵合接通電路，而且只增加了有限的成本。
在傳統3D NAND中，外圍電路會占據晶片面積的20~30%，這樣降低了晶片的存儲密度，堆疊層數的增加。到128層或者更高時，外圍電路可能會占到晶片整體面積的50%以上，長江存儲的Xtacking技術將外圍電路和存儲單元安置在不同的晶圓不同的層上，從而實現比傳統3D NAND更高的存儲密度。
此外Xtacking技術可以充分利用存儲單元和外圍電路的獨立加工優勢，實現了並行的、模塊化的產品設計及製造，產品開發時間可縮短三個月，生產周期可縮短20%，從而大幅縮短3D NAND產品的上市時間。此外，這種模塊化的方式也為引入NAND外圍電路的創新功能以實現NAND快閃記憶體的定製化提供了可能。
長江存儲CEO楊士寧博士表示Xtacking技術有望把快閃記憶體的I/O速度到3.0Gbps，與DDR4的I/O速度相當，而目前世界上最快的3D NAND I/O速度也不過1.4Gbps，實際上大多數都只能達到1Gbps甚至更低，Xtacking技術對NAND行業來說是顛覆性的。
長江存儲已經把Xtacking技術應用到第二代3D NAND產品的開發上，預計2019年可以進入量產階段。
來源：超能網
