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作為工業級 DRAM 模組與 NAND 快閃記憶體產品的領先製造商之一，威剛科技（ADATA）於今日宣布了新一代 112 層堆疊式 BiCS5 3D NAND SSD 產品線。除了更高的容量和性能的重大飛躍，該系列產品還致力於為 5G、物聯網、人工智慧、網絡通訊、伺服器、以及其它類型的應用場景提供支持。 （來自：ADATA 官網 | PDF） GSA 報導稱，截止 2021 年 5 月，已有 70 個市場區域的 169...

在存儲市場，採用長江存儲生產的NAND顆粒的產品早已為數不少。今天，長江存儲正式推出了自有的SSD品牌致鈦，這意味著對於消費者而言，長江存儲將從幕後走向台前。 官方解釋稱，致是格物「致」知，是精誠所「致」，更是寧靜「致」遠。鈦，指的是Titanium，原子序數22，這是一種稀有金屬，重量輕，強度高，寓意是定義快閃記憶體科技新「鈦」度。 在今年早些時候，長江存儲宣布他們128層堆疊的3D快閃記憶體研發成功，有X2-6070這款擁有目前業界已知最大單位面積存儲密度、最高I/O傳輸速度以及最高單顆NAND存儲晶片容量的3D QLC，以及128層堆疊的3D TLC X2-9060。 在2018年的快閃記憶體峰會上長江存儲正式推出了Xtacking架構3D快閃記憶體，當時還是32層堆疊的，去年則對外公布他們已經可以量產64層堆疊的快閃記憶體，而現在已經進步到了業界最先進的128層堆疊，僅僅用了三年的時間。 在長江存儲128層堆疊產品中，Xtacking架構已經全面升級至2.0，進一步釋放3D快閃記憶體的潛能，X2-6070是128層堆疊的1.33Tb 3D QLC，而X2-9060則是是128層堆疊的512Gb 3D TLC，都是基於電荷俘獲型（Charge-Trap）存儲技術，它們均可在1.2V Vccq電壓下實現1.6Gbps的數據傳輸速率。 ...

長江存儲在4月13日宣布他們128層堆疊的3D快閃記憶體研發成功，有X2-6070這款擁有目前業界已知最大單位面積存儲密度、最高I/O傳輸速度以及最高單顆NAND存儲晶片容量的3D QLC，以及128層堆疊的3D TLC X2-9060，新的產品採用Xtacking 2.0架構，進一步釋放3D快閃記憶體的潛能，X2-6070是128層堆疊的1.33Tb 3D QLC，而X2-9060則是是128層堆疊的512Gb 3D TLC，都是基於電荷俘獲型（Charge-Trap）存儲技術，它們均可在1.2V Vccq電壓下實現1.6Gbps的數據傳輸速率，是當前業界最高。 而現在江波龍表示，長江存儲的128層3D NAND 512Gb將用於旗下雷克沙的nCARD產品上，通過高堆疊16 die工藝，明年上半年可實現1TB容量的量產，具備了存儲終端介質的優勢條件，加速手機存儲卡TB時代的到來，而未來在尺寸、讀寫速度、安全性等更多拓展上，將會帶來更多可能。 nCARD是雷克沙在今年3月2日發布的全新形態存儲卡，與MicroSD存儲卡相比，完全相同的尺寸下體積減小45%，可與NANO SIM卡共享卡槽，目前，該產品已通過性能、品質測試，並已做好量產准備。 雷克沙nCARD的讀取速度高達90MB/s，寫入速度高達70MB/s，高IOPS響應讓手機運行更順暢，釋放設備全速性能，並提供64GB/128GB/256GB多種存儲容量，匹配不同的市場需求。 ...

西部數據和愷俠（原東芝存儲）在1月30日宣布他們的第五代3D堆疊NAND快閃記憶體BiCS 5，將會用於TLC和QLC的生產，堆疊層數是112層，當我看到這層數時就覺得事情好像有點不對了，去年不是說BiCS 5有128層的嗎？ 其實在去年的ISSCC會議上東芝和西數就公布過他們的128層堆疊BiCS 5快閃記憶體的部分資料了，就存儲密度而言東芝和西數的128層堆疊512Gb 128層3D TLC確實很高，不過更高端是他們的1.33Tb的96層堆疊3D QLC，不過現在公布出來的BiCS 5數據和當時的相比有所縮水，現在愷俠方面則是稱BiCS 5存儲單元陣列的密度相對於上一代技術有20％的提升，而當時宣布的是128層堆疊3D TLC和96層的3D TLC比起來存儲密度提升了29.8%。 性能方面其實也有縮水的，去年公布時128層的快閃記憶體會採用單die採用4 Planes設計，而與2 Planes設計相比寫入速度從66MB/s提升到132MB/s，而96層的2 Planes寫入速度只有57MB/s，可見寫入速度是番了一倍多的，而現在發布的BiCS 5隻說在I/O性能上會比BiCS4高出50％。 當然我不是說現在的BiCS 5不好，因為它和BiCS 4相比在堆疊層數、性能、存儲密度上都有明顯提升，只不過沒有當初預想值那麼好而已，可能128層的在生產上遇到了問題，所以折中拿了現在的112層的出來，他們應該權衡過認為先量產還等更好的產品出來這個問題，說真的與其死等好的產品與工藝成熟，還不如先拿這種比較折中的方案出來搶市場實際些。 ...

美光去年開始就擴建他們在新加坡的Fab 10工廠，擴展旨在進行新的3D NAND工藝節點轉換，並且保持和現在一樣的晶圓產量，上周他們舉辦了Fab 10 Expansion的開幕儀式，新建的無塵工作時能夠生產更多堆疊層數，存儲密度更大的快閃記憶體。 美光Fab 10 Expansion是由原來的Fab 10N和Fab 10X所組成的，根據官方的數據，廠房占地面積165000平方米，不過美光並們沒有透露無塵廠房面積，以及有沒有擴建別的東西。現在新廠房正在進行設備安裝，預計今年內心的廠房就可以生產96層堆疊的3D NAND，他們只要求產能與現在一樣，符合市場對快閃記憶體的需求就可以了，並不會增加產能。 隨著3D NAND堆疊層數的增加，每個晶圓必須在化學氣相沉積機器中花費更多的時間，這意味著蝕刻它們需要更多的時間，這意味著如果想新工藝的快閃記憶體維持和現有一樣的產量就必須在無塵廠房中配備更多多的CVD和蝕刻機，所以美光需要擴建廠房來維持快閃記憶體產量，當然了快閃記憶體晶圓的產量雖然沒變，但是生產出來的快閃記憶體容量就要大得多了。 除了擴建新的廠房外，美光還擴大了他們在新加坡的研發業務，他們的NAND Center of Excellence將進行技術開發與產品工程，希望以此提高Fab 10的產量和生產效率。 ...

全球第二大NAND快閃記憶體供應商東芝宣布旗下3D NAND快閃記憶體工廠遭遇停電事故，三星、美光、東芝等公司也在決定將NAND產能削減至少5%以緩解市面上相關產品供過於求的局面，因此應該會有許多人開始擔心快閃記憶體產品價格將會上漲。不過根據集邦咨詢半導體研究中心（DRAMeXchange）的調查報告，快閃記憶體產品的價格將會在第三季度持續走低。 隨著中美相關政策的出台，全球對智慧型手機和伺服器的需求在下半年將會繼續低於預期水平，CPU產品的需求也會更加短缺，這將繼續影響筆記本電腦等產品的出貨量，進而對eMMC/UFS/SSD等產品的出貨量造成影響，雖然NAND廠商已經開始削減產能，但仍然無法扭轉供過於求的局面，因此快閃記憶體產品將會在第三季度繼續降價。 今年上半年，OEM廠商對大多數類型產品進行去化庫存，備貨需求相對較弱，因此NAND快閃記憶體產品合約均價已經連續兩個月下跌近20%，並沒有按照之前預期那樣有所反彈。 關於第三季度，集邦表示雖然國際形勢仍然緊張，但是需求狀況將會好轉，合約價降幅有可能會縮小，但是由於供應商庫存狀況仍然無法緩解，因此下個月的出貨價格仍然會下調，因此很難看到合約價反彈的局面。 對於市場當中的主流產品eMMC/UFS和SSD來說，由於智慧型手機和筆記本電腦供應商預計會在第三季度備貨能力將有所提升，再加上前兩個季度再加個方面的大幅度波動，因此合約價降幅將會保持在10%左右。 在產品製程方面，以移動設備為主的eMMC/UFS仍然將會以64/72層3D NAND為主要製程，同時92/96層3D NAND對於SSD產品更加友好，有利於降低成本。 由於時間關系，這篇市場分析並沒有考慮到東芝快閃記憶體工廠的停電事故，可以作為整體趨勢的參考。 ...

從去年SSD價格就開始持續下跌，而到現在其價格還都在下降。此前有報導稱NAND快閃記憶體價格跌幅將收窄，到年底價格將不再繼續下降。但價格的降低也在讓NAND晶片製造商們加速部署更先進的技術。此前已經有廠商推出了採用96層3D TLC NAND快閃記憶體顆粒的SSD，而不僅如此，根據Digitimes的報導，晶片製造商銀鏡加強了各自的120/128層3D NAND快閃記憶體工藝技術的開發，並准備在2020年開始技術轉型。 一些主要的NAND快閃記憶體晶片製造商已經針對2020上半年量產提供了128層3D NAND新品樣品。根據Techpowerup報導，東芝、西數已經有計劃推出128層3D TLC工藝的NAND晶片。而廠商加強120/128層NAND快閃記憶體的研發及加速量產的原因還是來因為NAND快閃記憶體價格的持續下跌及供求關系不確定導致其因成本原因加速技術升級。提升其成本結構。 根據此前的報導，包括三星、美光、等一線NAND晶片大廠在營收方面都大幅下降，這也嚴重削弱了NAND晶片製造商的盈利能力。一些廠商在此前通過削減產量及投資等方法來穩定NAND快閃記憶體價格，但這種努力幾乎沒有奏效，因為64層的3D NAND工藝已經是一項成熟的技術，而64層3D NAND晶片處於供過於求狀態。而同時Digitimes在報導中也說到晶片製造商的90/96層3D NAND工藝技術的收益率仍然不穩定。 圖片來自TrendForce 不過在此前TrendForce的報導中，主流NAND晶片供應商都將在2020年推出128層的3D NAND晶片，同時在報導中稱長江存儲也將會跳過72/96層3D NAND，直接生產128層快閃記憶體，所以即使到2020年整個NAND晶片市場都可能存在很多變數。 ...

在全球四大NAND閃存陣營中，西數是跟東芝合資研發、生產存儲芯片的，美光則是跟英特爾合資成立了Intel-Micron Flash Technologies公司（IMFT）公司，聯合研發NAND閃存及革命性的3D XPoint存儲芯片。雙方合作十多年之後已經漸行漸遠，去年宣佈合並和手，合資公司IMFT將被美光收購。今天美光公司宣佈正式行權收購IMFT公司，英特爾公司將獲得15億美元的分手費，不過英特爾也在建立自己的NAND閃存及3D XPoint生產能力。 英特爾和美光的合作開發NAND歷史非常悠久，早在2005年，兩家聯合成立一家Intel-Micron Flash Technologies公司（IMFT），專門就是製造NAND閃存。直到2015年搞了個大新聞，研發出全新的的3D XPoint技術閃存，當初宣傳的可是閃存速度及耐用性是目前NAND閃存的1000倍，容量密度則是NAND閃存的10倍。 目前雙方的3D XPoint閃存主要是在美國猶他州的工廠生產，雙方將繼續通力合作完成第二代3D XPoint技術開發，最終將會在2019年上半年完成並開始推出市場。但之後兩家就會分道揚鑣，各自開發基於3D XPoint技術的第三代產品。 雙方分手之後要各自組建獨立的研發團隊，英特爾去年9月份宣佈在美國新墨西哥州奧蘭珠市的工廠新增100多個崗位，主要就是3D XPoint閃存技術研發的。在此之前，英特爾已經在中國大連投資55億美元建設了3D NAND閃存生產廠，去年9月份也正式開始量產。 對於NAND閃存及3D XPoing生產，雙方此前就已經談妥，在英特爾自己的3D XPoint工廠建成之前，IMFT公司還會繼續給英特爾供應存儲芯片，所以分手之後雙方各自的存儲業務都不會受到影響。 美光公司今天宣佈行權收購IMFT公司，美光將支付給英特爾公司15億美元的現金，同時承擔IMFT公司大約10億美元的債務，而交易完成時間要看英特爾的選擇，在未來6個月到12個月內完成。 來源：超能網

隨著64層堆棧3D NAND快閃記憶體的大規模量產，全球6大NAND快閃記憶體廠商今年都開始轉向96層堆棧的新一代3D NAND，幾家廠商的技術方案也不太一樣，SK Hynix給他們的新快閃記憶體起了個4D NAND快閃記憶體的名字，在今年的FMS國際快閃記憶體會議上正式宣告了業界首個基於CTF技術的4D NAND快閃記憶體，日前他們又宣布4D NAND快閃記憶體正式量產，目前主要是TLC類型，96層堆棧，512Gb核心容量，使用該技術可以減少30%的核心面積，讀取、寫入速度分別提升30%、25%。 根據SK Hynix之前公布的信息，所謂的4D NAND快閃記憶體其實也是3D NAND，它是把NAND快閃記憶體Cell單元的PUC（Peri Under Cell）電路從之前的位置挪到了底部，所以叫了4D NAND快閃記憶體，本質上其實還是3D NAND，4D NAND快閃記憶體有很強的商業營銷味道。 SK Hynix的4D NAND快閃記憶體首先會量產TLC類型的，核心容量分別是512Gbt、1Tb，都是96層堆棧，IO接口速度1.2Gbps，不過兩者的BGA封裝面積是不一樣的，1Tb版顯然更大一些。 至於QLC類型的，這個未來會是SK Hynix量產的重點，核心容量1Tb，但量產時間會在明年下半年，還需要一些時間。 韓聯社報導稱，SK Hynix公司4日宣布正式宣布96層堆棧的4D NAND快閃記憶體，TLC類型，核心容量512Gb，與現有的72層堆棧3D NAND快閃記憶體相比，4D NAND快閃記憶體的核心面積減少了30%，單片晶圓的生產輸出增加了50%，而且性能也更強——讀取速度提升30%，寫入速度提升25%。 根據官方所說，4D NAND快閃記憶體今年內會量產，而主要生產基地就是剛剛落成的M15工廠，總投資高達15萬億韓元，約合135億美元。 ...

在FMS國際快閃記憶體會議上，長江存儲公開了新型3D NAND快閃記憶體結構Xtacking，該技術將為3D NAND快閃記憶體帶來將近DDR4記憶體水平的I/O接口速度，同時具有業界領先的存儲密度。 Xtacking可在一片晶圓上獨立加工負責數據I/O及記憶單元操作的外圍電路，而存儲單元則在另一片晶圓上被獨立加工，也就是說長江存儲打算在用不同的工藝在兩塊晶圓上生產NAND的陣列電路與NAND的邏輯電路，這樣的加工方式有利於選擇合適的先進邏輯工藝，以讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。當兩片晶圓各自完工後，創新的Xtacking技術只需一個處理步驟就可通過數百萬根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互聯通道)將二者鍵合接通電路，而且只增加了有限的成本。 在傳統3D NAND中，外圍電路會占據晶片面積的20~30%，這樣降低了晶片的存儲密度，堆疊層數的增加。到128層或者更高時，外圍電路可能會占到晶片整體面積的50%以上，長江存儲的Xtacking技術將外圍電路和存儲單元安置在不同的晶圓不同的層上，從而實現比傳統3D NAND更高的存儲密度。 此外Xtacking技術可以充分利用存儲單元和外圍電路的獨立加工優勢，實現了並行的、模塊化的產品設計及製造，產品開發時間可縮短三個月，生產周期可縮短20%，從而大幅縮短3D NAND產品的上市時間。此外，這種模塊化的方式也為引入NAND外圍電路的創新功能以實現NAND快閃記憶體的定製化提供了可能。 長江存儲CEO楊士寧博士表示Xtacking技術有望把快閃記憶體的I/O速度到3.0Gbps，與DDR4的I/O速度相當，而目前世界上最快的3D NAND I/O速度也不過1.4Gbps，實際上大多數都只能達到1Gbps甚至更低，Xtacking技術對NAND行業來說是顛覆性的。 長江存儲已經把Xtacking技術應用到第二代3D NAND產品的開發上，預計2019年可以進入量產階段。 ...

今天英特爾被曝正在開發QLC快閃記憶體的SSD硬碟，自從美光/英特爾首發QLC快閃記憶體之後，這兩家推QLC硬碟已經不是新聞了，不過他們的QLC快閃記憶體首發於企業級市場，消費級市場還要等等。西數公司今天發表公告稱該公司的第二代QLC快閃記憶體已經出樣，今年內出貨，使用的是96層堆棧的BiCS 4技術，核心容量1.33Tb，比美光/英特爾的QLC快閃記憶體容量還要高33%，預計首發於閃迪的消費級SSD硬碟中。 今年5月底西數公司就已經宣布出貨96層堆棧的BiCS 4快閃記憶體，當時主要是3D TLC快閃記憶體，但是QLC快閃記憶體才是新一代快閃記憶體的重點，不到兩個月西數的96層堆棧QLC快閃記憶體也開始出樣了，預計今年內正式量產出貨。 西數的BiCS 4快閃記憶體是跟東芝一起研發的，生產工廠位於日本四日市，如今西數的96層QLC快閃記憶體已經出樣，那麼東芝的96層QLC快閃記憶體也快了，預計最近也會宣布出樣、出貨了。 很多玩家都在擔心QLC快閃記憶體的可靠性，一如多年前擔心TLC快閃記憶體不耐操一樣，不過站在廠商的角度來看他們是沒可能放棄QLC快閃記憶體的，因為容量密度的誘惑太大了——西數這次出樣的QLC快閃記憶體核心容量1.33Tb，要比之前美光/英特爾發布的QLC快閃記憶體的1Tb密度還要高33%，號稱是業界最高容量。 1.33Tb的核心容量是什麼概念？目前3D MLC快閃記憶體的主流核心容量還是256Gb，3D TLC也是256Gb核心為主，部分是512Gb，美光/英特爾可以做到768Gb，他們的QLC快閃記憶體可以做到1Tb，但是西數的是1.33Tb，換算一下就是166GB，這還是一顆核心的，一片快閃記憶體中通常是4-8顆核心，而2.5寸SSD硬碟的PCB中至少可以放4片快閃記憶體，這意味著2.5寸SSD硬碟隨便玩玩就能實現3-5TB的容量，如果多堆點核心，10TB的SSD也是小菜一碟。 美光發布的QLC硬碟是7.6TB的，此前英特爾就被曝准備推20TB容量的SSD硬碟，不過厚度就要高一點，達到了15mm。 當然，上來就搞這麼大容量也不現實，倒不是技術做不到，而是要考慮消費者承受的成本，無論如何未來普通人要想用上TB級的低價SSD硬碟，只能等QLC快閃記憶體硬碟了。 與美光/英特爾不同，西數的QLC快閃記憶體硬碟將首發於閃迪旗下的消費級硬碟中，現在就看到時候的價格了。 ...

NAND快閃記憶體經過去年的暴漲之後，今年年初就開始平穩的下降，現在SSD的價格比去年已經低了很多了，不過今年市場需求疲軟，再加上目前廠商向3D NAND產能轉移基本都結束，64/72層3D NAND的產能趨向穩定，今年下半年NAND快閃記憶體的價格將會繼續下降。 DRAMeXchange表示其實每年的頭兩個季度對電子消費品來說是傳統的淡季，而且廠家的64/72層3D NAND的產能正在穩定提升，單顆快閃記憶體的存儲密度也在增大，所以每單位容量的快閃記憶體價格在下降，而且今年下半年市場對NAND快閃記憶體的需求依舊疲軟，智慧型手機、筆記本電腦和平板電腦的季度間需求會增長0~1%，0~1%和9~10%，廠家可能會進一步降低報價來促進市場需求，導致價格下跌幅度會超過預期，當然了廠家會推遲產能擴張計劃，希望這樣會延緩價格下降的幅度。 到了今年第四季度會有個不確定的因素就是新的iPhone，它的銷售情況會對NAND的價格有一定的影響，另外今年Q4快閃記憶體廠商會把產能向96層堆疊的產品轉移，這樣會進一步提升快閃記憶體的單位容量，這也有助於降低單位容量的快閃記憶體價格。 本月18日大阪發生的6.1級地震也影響到了東芝在四日市的NAND廠房，東芝在地震發生後就立即進行了檢查，次日就完成了對晶圓的檢查，其實只有數量有限的晶圓受到影響，而且在返工後就可以恢復正常，晶圓廠本身的影響也大，很快就恢復正常生產，這次地震對NAND市場的影響幾乎沒有。 ...