MRAM磁阻式隨機存儲晶片作為下一代存儲晶片，近幾年也是備受關注。從今年年初開始已經有如英特爾、三星等廠商宣布將量產MRAM存儲晶片。現在又有一家叫做Everspin的公司宣布旗下的MRAM存儲晶片進入試生產階段。
圖片來自BusinessWire
Everspin宣布已完成1Gb的STT-MRAM（自旋扭矩傳遞磁阻隨機存儲器）的研發工作，將進入試生產階段，採用28nm工藝製造。在去年Everspin就已經批量生產了256Mb的STT-MRAM存儲晶片，讓企業基礎設施及數據中心增強其可靠性及性能。此次試生產的1Gb容量產品大幅提升了這類產品的容量的同時，也提供了更有效的I/O流管理、提高了其延遲確定性並允許存儲OEM提供商為他們的產品顯著提升服務質量。而採用1Gb容量的STT-MRAM存儲設備作為存儲和結構加速器、計算存儲及其他應用的持久數據緩沖器，也可以實現類似的優勢。
此次Everspin推出的1Gb STT-MRAM存儲器使用了8bit及16bit的DDR4接口，兼容JEDEC標準的BGA封裝方式，更增強了其適用性。
Everspin公司可能並不為讀者所了解，這家公司在2008年從飛思卡爾半導體剝離，專注於研發MRAM磁阻隨機存儲器，其研發人員此前一直都在研發MRAM。
本次Everspin將STT-MRAM的容量提升至1Gb是這類產品的一個里程碑，但這個容量依舊不是很大，即使MRAM具有非易失性存儲器的持久性，而且其隨機性能很強，但是作為SSD等產品容量依舊不夠，所以嵌入式設備更適合搭載MRAM存儲晶片。隨著今年開始越來越多的公司開始批量生產MRAM存儲晶片，未來我們會更快見到MRAM產品的推出。
來源：超能網
