在上個月底SK海力士宣布他們已經成功開發出HBM3 DRAM記憶體，而且他們把成品帶到了OCP峰會上展示，這HBM3的樣品被ServeTheHome拍下來了。
其實HBM3的規范是由JEDEC來負責的，而最終規范其實還沒公布，SK海力士的HBM3記憶體可提供兩種容量，一個是12層矽通孔技術垂直堆疊的24GB，另一個則是8層堆疊的16GB，展示的樣品是12層的，記憶體頻率能達到6400Mbps，而單個堆棧所提供的帶寬可達819GB/s，比上一代的HBM2E記憶體461GB/s提升了許多。
與HBM2E相比HBM3不僅提供了更高的帶寬，還堆疊了更多層數的DRAM來增加容量，HBM3記憶體還內置了片上糾錯技術，顯著提高了產品的可靠性。
HBM不太可能在短期內在消費級市場取代傳統DRAM記憶體，因為它的價格實在是太貴了，但在高性能計算領域還是有很大作為的，預計HBM3將會主要被用在高性能數據中心以及機械學習平台上，以提高人工智慧水平和超級計算機的性能，可用於氣候變化分析和藥物開發。
來源：超能網
