SK海力士今天宣布，他們已經成功開發出HBM3 DRAM記憶體，是全球首家開發出新一代HBM記憶體的公司，這是HBM系列記憶體的第四代產品（HBM2E也算一代），新的HBM3不僅提供了更高的帶寬，還堆疊了更多層數的DRAM來增加容量。
SK海力士去年7月份才開始量產HBM2E記憶體，而現在就推出了HBM3，研發進度還是相當快的，這可進一步鞏固他們在市場上的領導地位。SK海力士的HBM3可提供兩種容量，一個是12層矽通孔技術垂直堆疊的24GB，另一個則是8層堆疊的16GB，前者的晶片高度其實也不過30微米。
性能方面，SK海力士的HBM3可提供819GB/s的帶寬，比上一代HBM2E的帶寬則是460GB/s，帶寬提高了78%，像NVIDIA的A100計算卡目前用了6顆HBM2E做顯存，可提供2TB/s的帶寬，換成HBM3後帶寬最高能提到4.9TB/s，顯存容量最高也能到144GB。
與HBM2E相比HBM3記憶體還內置了片上糾錯技術，顯著提高了產品的可靠性，預計HBM3將會主要被用在高性能數據中心以及機械學習平台上，以提高人工智慧水平和超級計算機的性能，可用於氣候變化分析和藥物開發。
來源：超能網
