美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術，達到了創紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之後，自己獨立研發的第二代3D NAND閃存。
美光、Intel合作時，走的是浮動柵極閃存單元架構，獨立後轉向電荷捕獲(charge-trap)閃存單元架構，第一代為128層堆疊，但更多的是過渡性質，用來發現、解決新架構設計的各種問題。
正因如此，美光全新176層堆疊閃存所取代的，其實是96層堆疊。
據了解，美光176層閃存其實是基於兩個88層疊加而成，第一批為TLC顆粒，單個Die的容量為512Gb(64GB)，當然後期很可能會加入QLC。
得益於新的閃存架構和堆疊技術，美光將176層的厚度壓縮在了45微米，基本和早期的64層浮動柵極3D NAND差不多。
這樣，即使在一顆芯片內封裝16個Die，做到1TB的單顆容量，厚度也不會超過1.5毫米，可以輕松放入智能手機、存儲卡。
傳輸速率提高至1600MT/，而此前96/128層的都是1200MT/，讀寫延遲相比96層改進35％，相比128層改進25％，混合負載性能相比96層改進15％。
美光表示，176層閃存已經量產出貨，並用於一些Crucial英睿達品牌的消費級SSD，明年還會發布更多新產品，但沒有確認具體產品型號。
來源：快科技
