11月27日消息，近日有著“浸潤式光刻之父”之稱的林本堅（Burn Lin）在接受采訪時表示，依靠DUV光刻機繼續將製程工藝從7nm推向5nm是可能，但是需要付出高昂的代價。
報導稱，由於美日荷對華半導體設備的限制，使得中國不僅難以獲得可以製造先進位程的半導體設備，同時更為先進的EUV光刻機也無法獲得。這也使得中國繼續將制裁工藝推進到5nm將會面臨困境。
不過，林本堅表示，依託現有的DUV光刻機（浸沒式）製造出5nm晶片依然是可行的，但是至少需要進行四重曝光。不幸的是，這種工藝的缺點是不僅耗時，而且價格昂貴，還會影響整體良率。
特別是在使用 DUV 機器時，在多次曝光期間需要精確對准，這可能需要時間，並且有可能發生未對準的情況，從而導致產量降低和製造這些晶圓的時間大幅增加。
林本堅表示，浸沒式DUV光刻技術最高可以實現六重光刻模式，可以實現更先進的工藝，但問題同樣來自上述相關缺點。
來源：快科技
