在3nm節點，三星為了跟台積電競爭，激進地選擇了下一代的GAA電晶體技術，台積電方面更穩妥一些，第一代3nm工藝依然在使用FinFET工藝，好處是今年下半年就可以量產。
在今天的財報會上，台積電也解釋了他們的3nm工藝的進展，強調3nm工藝發展順利，正按照計劃在下半年量產。
台積電強調，3nm繼續使用FinFET電晶體是綜合考慮在，能提供給客戶最成熟的技術、最好的效能及最佳的成本。
據台積電官方資料顯示，台積電的3nm相比上一代的5nm工藝，在邏輯密度上提升了1.7倍，性能提升了11%，同等性能下功耗可降低25-30%。
此外，台積電也透漏了增強版的3nm工藝N3E，稱它會在3nm工藝量產一年後量產，也就是在2023年推出，會帶來更強的性能。
不過台積電對N3E的技術細節還是保密，沒有透漏是否會升級電晶體架構。
來源：快科技
