近日台積電（TSMC）舉辦了2024年北美技術論壇，揭示了其最新的製程技術、先進封裝技術、以及三維立體電路（3D IC）技術，以驅動下一代人工智慧（AI）的創新。其中台積電首次公布了A16製程工藝，將結合納米片電晶體和背面供電解決方案，以提升邏輯密度和能效，預計2026年量產。
據相關媒體報導，台積電向參與會議的人士透露，A16製程工藝不需要下一代High-NA EUV光刻系統參與。這意味著台積電已經找到了在現有EUV光刻系統重經濟高效地使用雙重曝光等方法，將臨界尺寸提高到13nm以上。不過台積電並沒有停止探索在未來製程工藝中使用High-NA EUV光刻技術的步伐，緊隨A16之後的A14製程工藝就會引入新的光刻技術。
台積電在此前的報告中表示，目前開發中的A14製程工藝旨在進一步改善頻率、功率、密度和成本的表現，項目進展良好。台積電將繼續探索High-NA EUV光刻技術的使用，對薄膜掩膜板等進行研究，以支持前沿技術並擴展摩爾定律。
使用High-NA EUV光刻系統將大大增加晶圓廠的成本，根據配置的不同，設備的價格約在3.85億美元起步。晶片製造商更傾向於重復利用現有的工具，所以台積電也盡可能地避免使用High-NA EUV光刻系統，除非原有的EUV光刻系統無法繼續改進生產能力。與此同時，台積電也在相關光刻材料上下功夫，以提高光刻工藝和良品率。
台積電這次公布A16製程工藝多少有點讓人感到意外，隨著人工智慧行業加速發展、需求攀升，台積電似乎加快了製程技術的開發。
來源：超能網
