西數明年底量產BiCS6快閃記憶體：162層堆棧、接口速度翻倍

2021年快閃記憶體逐漸從96層過渡到了128層為主，再往下就是170層到200層的了，每家快閃記憶體廠商的方案都有所不同，西數將在明年底量產BiCS6代3D快閃記憶體，堆棧層數提升到162，而且接口速度翻倍。

在快閃記憶體市場上，西數跟東芝是合作研發、生產的，BiCS技術其實主要是來自東芝，目前量產的主力是BiCS5，2019年2月份發布，堆棧層數112層，核心容量512Gbit，接口速度1.066Gbps。

BiCS6快閃記憶體是下一代產品，堆棧層數最終確定為162層，而非之前所說的170+層，核心容量也提升到了1Tbit，另外就是接口速度也將達到2.0Gbps，相比上代翻倍，不過距離三星最新的8代V-NAND快閃記憶體的2.4Gbps還有點距離。