Tag: 快閃記憶體

正舉行的2022快閃記憶體峰會（FMS）上，長江存儲正式發布了基於晶棧（Xtacking）3.0技術的第四代TLC三維快閃記憶體X3-9070。 長江存儲介紹，相比上一代產品，X3-9070可實現2400MT/的I/O傳輸速率，符合ONFI5.0規范，實現了50%的性能提升。 同時，X3-9070也是長江存儲歷史上密度最高的是快閃記憶體顆粒，能夠在更小的單晶片中實現1Tb容量（128GB）。 最後X3-9070採用創新6-plane設計，相比傳統4-plane，性能提升50%以上，同時功耗降低25%，能效比顯著提升，可降低用戶的總擁有成本。 外界認為，X3-9070晶片應該已經出樣，還需一段時間投入量產。 那麼它的堆疊層數是多少呢？ 多方報導披露，長江存儲這次的第四代3D TLC突破了200+層數，達到232層。我們知道，堆疊層數已經成為存儲大廠比拼技術實力的核心指標，就在上月底，美光剛剛宣布全球首款232層3D快閃記憶體量產。 雖然在堆疊層數上長江存儲已經比肩一線巨頭，可我們也需要正視差距，以美光為例，其單晶片容量能做到2Tb（256GB），且製程工藝更先進還已經量產。SK海力士在本次峰會上，也拿出了堆疊度更高的238層“4D TLC”快閃記憶體。 來源：快科技

繼日前傳出的消息之後，據路透社當地時間8月1日報導稱，四位知情人士透露，美國正考慮限制向中國存儲晶片製造商出口美國的晶片製造設備。 至於限制的對象，其中就包括長江存儲（YMTC），美國希望藉此來限制中國的半導體產業發展，並保護美國的相關企業。 報導引用不願透露姓名消息人士的說法指出，如果美國政府確定採取該項計劃，還可能損害韓國存儲大廠三星電子和SK 海力士兩家公司的利益。 因為三星在中國擁有兩家大型的NAND Flash工廠，而SK 海力士之前也完成收購英特爾旗下在中國的NAND Flash製造業務。 因此，一旦美國的限制計劃獲得批准，則限制范圍將擴大到包括禁止將美國晶片製造設備運往在中國境內的NAND Flash工廠。 報導指出，出口管制相關專家表示，該項計劃將是美國首次通過出口管制來針對中國生產沒有專門軍事用途的存儲晶片。 另外，因為當前美國的存儲芯的企業僅剩下西部數據與美光科技(Micron) 兩家公司，雖然這兩家存儲晶片廠商合計約占全球NAND Flash市場的份額超過25%，但是西部數據在美國本土沒有NAND Flash產能，美光在美國本土也只有部分產能，所以限制計劃也代表了更廣泛的美國國家安全意義。 另外兩名消息人士則表示，根據正在研擬的計劃，美國將禁止向中國出口用於製造128 層堆疊以上NAND Flash快閃記憶體晶片設備，而目前生產該類晶片設備的美國大廠，就包括應用材料( Applied Materials)和泛林集團(LAM Research) 等廠商。 對此，消息來源指出，目前針對相關計劃正在討論階段，還沒有任何的法案起草程序。 美國商務部也不願評論相關新聞消息，僅指出美國政府的重點是削弱中國製造先進半導體的能力，以應對美國的重大國家安全風險。 至於，泛林集團、SK 海力士和美光也拒絕就美國政策發表評論。三星、應用材料、長存、以及西部數據則還沒有對相關消息做出回應。 報導強調，成立於2016 年的長存是NAND Flash快閃記憶體製造領域的後起之秀。資料也顯示，長存早已成功量產128層NAND Flash，並正在積極的研發232層NAND Flash，有傳聞稱最快可能今年年底量產。 美國政府在2021年6月的一份報告中所指出，包括美光和西部數據正面臨長存產品的低價競爭壓力，代表著長存的擴張和低價產品對美光和西部數據構成直接威脅。報告強調長存描述為中國NAND Flash快閃記憶體晶片製造龍頭，而且獲得了約240 億美元的政府補貼。 另外，美國商務部還指出，長存當前已經在接受美國商務部調查，原因是懷疑該公司向中國為出售記憶體產品是否違反了美國出口管制規定。 根據市場咨詢與調查機構Yole Intelligence 的資料顯示，長存約占全球NAND...

提到Intel，大家第一個想到的就是他們的x86處理器，這也是他們的主頁，不過最近幾年來Intel也嘗試了多元化的發展，開辟了不少新業務，只不過這些業務並沒有成長起來，近年來已經有6個非主流業務被出售。 這6個領域分別是RealSense體感、NAND快閃記憶體、4G/5G基帶、運動和可穿戴，還有就是在這次Q2財報會上被確認的無人機及Optane傲騰業務。 這些被出售的業務中，有些規模很小，比如無人機、RealSense體感、運動與穿戴等，不過NAND快閃記憶體+傲騰快閃記憶體加起來是百億美元的業務，規模很大，只不過競爭激烈，或者成本太高導致虧損，Intel就賣掉或者放棄了。 4G/5G基帶晶片業務雖然規模也不大，但是地位很重要，可惜的是Intel的移動晶片業務也沒搞起來，最終將基帶業務出售給了蘋果公司。 目前Intel的核心業務主要是PC處理器、數據中心/AI處理器、AXG圖形加速卡/遊戲卡、Mobileye自動駕駛晶片、網絡及邊緣計劃NEX等，還有IFS代工業務，Q2季度中分別貢獻了77億、46億、1.86億、4.6億、23億及1.22億美元的營收，PC+數據中心處理器占到了80%以上。 來源：快科技

2021年全球首發176層堆棧的3D快閃記憶體之後，美光今天有全球首發了232層堆棧的TLC快閃記憶體，這是全然首個超過200層的快閃記憶體，也是業界密度最高的，接口速度提升到2.4GB/，寫入速度提升100%。 美光技術和產品執行副總裁 Scott DeBoer表示232層快閃記憶體是存儲晶片創新的分水嶺，首次證明了3D快閃記憶體有擴展到200層以上的能力。 指標方面，美光表示其232層TLC快閃記憶體引入了業內最快的IO速度，可達2.4GB/，比上代的176層快閃記憶體高出50%，同時寫入帶寬提升100%，讀取帶寬提升75%。 美光的232層快閃記憶體還是全球首個六平面TLC快閃記憶體，在TLC快閃記憶體中平面最多，而且每個平面都可以獨立讀取，高IO速度、低延遲及六平面結構相結合使得232層快閃記憶體可以提供一流的數據傳輸能力。 此外，美光的232層快閃記憶體還是首款支持NV-LPDDR4，後者是一種低壓接口，相比之前的IO接口，每比特的能效提升30%以上。 其他方面，美光的232層TLC快閃記憶體還是有史以來密度最高的，達到了14.6Gb/mm2，比當前的TLC快閃記憶體高出35-100%，而且232層快閃記憶體使用了11.5x13.5mm封裝，尺寸比前代產品小了28%，是市面上最小面積的高密度快閃記憶體，可以減少對電路板空間的占用。 目前美光的232層快閃記憶體已經在新加披工廠量產，最初會由美光旗下的英睿達品牌推出消費級SSD，後續再公告其他產品。 來源：快科技

你手頭還有eMMC快閃記憶體產品嗎？ 雖然在UFS面前相形見絀，不過在西部數據副總裁Eric Spanneut看來，eMMC還會在市場存在很長很長時間。 Spanneut指出，eMMC快閃記憶體依然是中端移動設備、輕薄入門級計算設備的最佳選擇，包括4G手機、Chromebook、汽車中控MCU等。在物聯網和嵌入式領域，eMMC相較於UFS的功耗也更低。 嚴格來說，eMMC並非快閃記憶體類型，而是接口。不過，技術標準已經長達5年沒有更新了。對此，Spanneut稱，沒更新意味著更成熟，總有客戶需要這樣成熟穩定的產品。 另外，西數也嘗試對eMMC產品做了智能分區這樣的技術探索。 他這麼說可能也是在為西數eMMC新品iNAND EM141背書，其採用96層3D NAND以及第四代SmartSLC技術，起步容量32GB，最大256GB。 來源：快科技

對於想要購買SSD的人來說，這絕對是個不錯的消息，因為將迎來大降價。 市場分析公司TrendForce報告說，由於NAND供應過剩，消費者固態硬碟的價格在第三季度預計將下降3-8%。 雖然仍有訂單的支撐，但與去年的水平相比，固態硬碟的需求已經下降，當時在家工作是常態，更多的人在購買電腦硬體。在固態硬碟需求降溫的背後還有其他熟悉的因素：全球經濟低迷和通貨膨脹率上升正在影響人們願意花多少錢。這導致企業，尤其是中國的智慧型手機製造商減少了備貨。因此，NAND快閃記憶體市場上出現了供過於求的情況。 全球企業級固態硬碟的采購能力將按季度增長10%，部分原因是超大規模數據中心的訂單，這意味著這些固態硬碟的價格預計將保持平穩。 銷量下降和供應過剩意味著TLC和QLC NAND晶圓的價格繼續下降。它們在第二季度下降了8-13%，相信在第三季度會下降5-10%。 來源：快科技

這兩年，長江存儲無論是NAND快閃記憶體還是SSD固態盤，都呈現火力全開的姿態，從技術到產品都不斷推陳出新。 6月23日，長江存儲有發布了面向OEM市場的商用SSD PC300系列，可用於筆記本、輕薄本、二合一本、一體機、台式機、物聯網、嵌入式、伺服器等各種場景，而且同時支持3.3V、1.8V SideBand電壓，可適配更多平台。 長江存儲PC300系列採用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構的第三代3D NAND快閃記憶體晶片，容量256GB、512GB、1TB。 提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態規格，長度分別為42mm、80mm，重量分別為4g、8g，前者尤其適合對體積、尺寸要求嚴格的設備。 二者規格一致，都支持PCIe 4.0 x4、NVMe 1.4等接口協議，平均故障間隔時間200萬小時，技術方面支持TCG-Pyrite、OPAL、LDPC糾錯、全路徑數據保護等等。 性能方面，雖然沒有自帶緩存，但是支持HMB(主機記憶體緩沖)，配合SLC緩存機制，可有效保證性能，並降低成本。 具體指標上，256GB型號順序讀寫最高3.7GB/、2.0GB/，隨機讀寫最高200K IOPS、400K IOPS；512GB型號順序讀寫最高3.9GB/、2.7GB/，隨機讀寫最高320K IOPS、440K IOPS；1TB型號順序讀寫最高3.9GB/、2.8GB/，隨機讀寫最高380K IOPS、450K IOPS。 寫入壽命分別為200TBW、300TBW、600TBW，按照五年使用期限計算相當於每天0.44次、0.33次、0.33次全盤寫入。 空閒功耗僅為50mW，工作功耗低於5W，因此無需任何散熱片。 後續，快科技將為大家奉上這款SSD的評測，敬請期待。 來源：快科技

618，有沒有遇到SSD好價？ 就目前掌握的消息來看，SSD的價格恐怕沒有最低，只有更低。 DT報導稱，2021年對NAND Flash快閃記憶體晶片的峰值需求已經過去，雖然企業市場和數據中心市場保持增長，但因為消費電子產品銷量持續下滑嚴重，快閃記憶體晶片價格預計將在三季度出現兩位數跌幅。 快閃記憶體是SSD最主要的部件，也是成本主要來源，這意味著在接下來的三季度、四季度，固態硬碟還會有更多好價出現。 同時，因為液晶面板、快閃記憶體價格紛紛觸礁，電腦整機、筆記本等恐怕也會頻繁殺價，對比去年真是可謂此一時彼一時了。 來源：快科技

對於NAND快閃記憶體，大家都知道SLC、MLC往後的TLC、QLC快閃記憶體存在性能越來越低、錯誤率越來越高的問題，但是容量更大，所以快閃記憶體廠商一直在研發更多的快閃記憶體，鎧俠的研究已經到了7bit/cell級別，需要在零下200度的低溫環境下才能試驗。 對於MLC快閃記憶體，有必要先說一些基礎知識，實際上SLC之後的都應該算作MLC快閃記憶體，快閃記憶體的類型是按照cell單元存儲的電荷位數來判定的，大家所說的MLC實際上是2bit/cell快閃記憶體，TLC是3bit/cell，QLC則是4bit/cell，在下面的是PLC快閃記憶體，5bit/cell。 鎧俠等快閃記憶體巨頭的研究更深入，去年鎧俠就公布過6bit/cell快閃記憶體的研究，也就是HLC快閃記憶體，今年的IMW 2022會議上，鎧俠又公布了7bit/cell快閃記憶體的研究成果。 不過7bit/cell快閃記憶體現在還沒正式命名，倒是再下一代的8bit/cell的名字有了，叫做OLC快閃記憶體。 跟之前的6bit/cell快閃記憶體一樣，7bit/cell快閃記憶體也是在77K溫度，也就是液氮環境中做測試的，大約是零下200度，這樣做是為了降低數據讀取時的干擾。 根據鎧俠的研究，在7bit/cell快閃記憶體中，溝道材料從之前的多晶矽換成了單晶矽，電阻更低，漏電流減少了，寫入及讀取操作時的閾值電壓波動可以最小化。 要知道7bit/cell快閃記憶體意味著有128級電壓變化，因此7bit/cell快閃記憶體寫入時控制電壓的難度大幅提升，稍有波動就有可能導致更多的錯誤，這也是快閃記憶體類型越升級，性能及可靠性越差的原因。 鎧俠沒有公布7bit/cell快閃記憶體的具體性能，畢竟現在是零下200度的測試，沒有實際使用的意義，但是大家對7bit/cell快閃記憶體的性能就不要有什麼指望，QLC快閃記憶體的原始速度都跌入100MB/以內了，7bit/cell快閃記憶體還要再渣幾倍，性能就別想了。 以後7bit/cell快閃記憶體的SSD硬碟就算是問世了，估計也只會用於讀取居多的場景，不適合頻繁寫入的需求。 來源：快科技

西部數據宣布，與鎧俠聯合開發的BiCS NAND快閃記憶體將進入第六代，堆疊層數達到162層，今年即投入量產。 目前的3D NAND快閃記憶體已經紛紛堆到176層，美光日前更是宣布全球首個達到232層。 但是西數指出，自家的162層快閃記憶體單元尺寸更小，只有68平方毫米，小於競品的69.6平方毫米或69.3平方毫米，因此存儲密度更高，可以提供和競品相同的單晶片容量。 西數表示，BiCS6 162層堆疊下，一塊晶圓就可以做到100TB容量，而目前只有大約70TB。 性能方面，西數宣稱自己擁有最好的電荷捕獲(Charge Trap)型單元，性能可達60MB/，比對手快了一半。 西數還預告了下下一代BiCS+快閃記憶體，堆疊超過200層，預計可帶來60％的傳輸速度提升、15％的編程帶寬提升、55％的晶圓容量提升，然後繼續一路堆疊，2032年左右將超過500層！ 另外，西數在PPT上海列出了PLC快閃記憶體，但沒有任何細節消息。 來源：快科技

近日，美光公司發布了業界首個具有232層的3D NAND快閃記憶體，並宣布該技術將會投入包括SSD在內的多種產品。 據悉，這種232層的3D NAND快閃記憶體採用3D TLC架構，原始容量為1Tb（128GB）；晶片基於美光的CuA架構，並使用NAND的字符串堆疊技術。 CuA架構的設計，配合232層的高堆疊，有效減少了1Tb 3D TLC NAND快閃記憶體的晶片尺寸，有望降低產品的生產成本，提升競爭力。 美光目前並未宣布232層3D TLC NAND IC的I/O速度或平面數量，但從透露的信息來看，新的記憶體應該會提供更高的性能，這對採用PCIe 5.0接口的下一代SSD來說，無疑是一個好消息。 在具體的產品層面上，美光的技術和產品執行副總裁Scott DeBoer稱，公司目前已經與第三方NAND控制器開發者達成合作，從而實現對新型記憶體的支持。 此外，美光表示，預計將在2022年底開始生產232層3D TLC NAND快閃記憶體，按此計劃，採用這種新技術的SSD應該會在明年與用戶見面。 來源：快科技

由於SSD硬碟容量不斷增大，NAND快閃記憶體也從之前的SLC、MLC逐漸轉向TLC、QLC，特別是QLC近年來是低端SSD繞不過去的選擇，它為人詬病的一個地方就是性能太慢，現在西數及鎧俠也新一代BiCS6快閃記憶體上優化了QLC性能，提升了5倍。 QLC快閃記憶體不被大家喜歡主要是兩個原因，一個是可靠性較差，另一個就是寫入性能很弱雞，這都是QLC快閃記憶體的特性決定的，畢竟cell單元內要控制4bit數據，編程寫入的時候比其他快閃記憶體要復雜很多，所以錯誤率高，速度慢。 大家也見過QLC快閃記憶體的硬碟性能，雖然廠商給出的寫入速度超過1GB/甚至2GB/，但那都是靠著SLC緩存及全盤緩存、DRAM緩存之類的技術提升的，QLC原始寫入速度非常低，緩存外性能比HDD硬碟都要差，超過100MB/的幾乎沒有。 西數及鎧俠目前的主力快閃記憶體BiCS5這一代中沒有QLC快閃記憶體類型，下一代的BiCS6快閃記憶體中會重新推出QLC快閃記憶體，並進行了大量性能優化，不僅核心面積低於其他廠商，而且編程速度（也就是寫入速度）提升到了60MB/。 這是什麼概念？雖然看起來還不高，但是上上代的BiCS4快閃記憶體中QLC編程速度只有9.7MB/，當前QLC快閃記憶體中編程速度最快的還是Intel的144層QLC快閃記憶體，速度40MB/，其他廠商的多在30MB/以內。 簡單來說，西數、鎧俠的BiCS6快閃記憶體中QLC速度比之前提升了5倍，比友商最快的QLC也提升了50%的性能，足以大幅改善QLC快閃記憶體SSD硬碟的寫入性能，具體要等成品再來看。 來源：快科技

2022年初的時候快閃記憶體及SSD市場還是哀鴻遍野，因為價格還在下滑，沒想到2月份西數及鎧俠合資的日本工廠出現了快閃記憶體污染事故，損失慘重，當時消息稱西數就損失了6.5EB的快閃記憶體。 鎧俠、西數是全球TOP3的快閃記憶體供應商，份額僅次於三星，其快閃記憶體供應對全球智慧型手機及SSD硬碟市場影響極大，污染事故一傳出，SSD硬碟行業就躁動不安，部分廠商馬上藉此機會宣布漲價15%甚至25%。 當時西數也參與了，西數全球客戶組織執行副總裁傑里·卡格爾已經公告了此事，稱這次的材料污染事故影響了合資快閃記憶體工廠的運營，雖然不影響當前裝運的任何產品，但西數表示短期內成本顯著增加，長期影響還在評估，但他們已經決定立即提高快閃記憶體產品的價格。 如今過去三個月了，西數、鎧俠的快閃記憶體污染事件到底影響有多大？根據西數日前的財報數據，Q3財季的快閃記憶體bit出貨量雖然同比增長9%，但環比下滑了14%，主要就是快閃記憶體污染所致，損失約為2億美元。 西數表示，此前公告的快閃記憶體可用性減少7EB，仍然是准確的數字，而且該部分造成的損失大部分已經在FQ3財季中得到體現。 目前，污染事件已經在晶圓廠得到了解決。 來源：快科技

日本市場上總能見到一些讓正常人感覺匪夷所思的電子產品，這次是一次性SSD硬碟，由光碟時代大名鼎鼎的Verbatim威寶推出，號稱超耐用，質保長達10年，唯一的問題就在於只能全盤擦寫一次。 用過SSD硬碟的玩家應該知道，現在的NAND快閃記憶體是有使用壽命的，主要是寫入次數優先，以前的SLC、MLC有3000到1000萬次的寫入壽命，如今TLC快閃記憶體普遍在1000-2000次，QLC快閃記憶體很多是1000次壽命以內。 現在威寶推出的SSD硬碟型號為SWOVA128G，實際上是個移動硬碟，容量128GB，USB 3.2 Gen1接口，速度5Gbps，提供長達10年質保，但寫入壽命只有一次，也就是數據全盤寫入一次之後就不能重寫了。 沒錯，這個功能不僅不是這款SSD的缺點，還是它的賣點，因為只有一次寫入壽命，就意味著它不能再寫入或者刪除別的數據，這樣可以防止誤刪重要文件。 為了實現這個功能，這款SSD還有配套的軟體，不安裝的話就沒法寫入數據，不過讀取功能不受限制。 至於為什麼會有這樣奇葩的產品，主要還是跟日本的特殊要求有關，今年1月份該國啟動了電子記錄保留法案，與稅務相關的數據需要電子化儲存，不再支持紙質記錄，所以需要一些特殊的長壽命數據存儲設備，這個移動SSD也是為此而生的，適合行業用戶，普通人沒必要。 來源：快科技

最近，顯卡行情持續走低，不少產品迎來大幅降價，入手難度也低了不少。 對於打算DIY裝機的朋友來說，新的好消息來了。 Digitimes報導稱，DRAM記憶體和NAND快閃記憶體模組的價格在二季度會保持下滑態勢，這將促使渠道商盡快消化庫存，甚至低於進價加速變現。 除開這三大件，AMD處理器如今青黃不接，銳龍5000早就跌破發行價，5900X/5950X等更是處於史低位。Intel這邊，12代酷睿產品力不俗實際上價格也比較給力，尤其是熱銷款式。 僅從這些情況來看，最近幾個月似乎可以說是DIYer難得的裝機春天期。 最後提醒下，裝機建議以預算為基並結合實際需求出發，如果一年到頭只是Epic/team有活動是習慣性領領遊戲，實際沒進去玩幾把甚至連遊戲壓根都沒空下載，那麼就要謹慎考慮是否值得入手一款中高端CPU/顯卡了。 來源：快科技

對於硬碟產品，相信多數人都希望容量更大、速度更快、耐用性更久。 日前，存儲公司Nimbus Data的CEO Thomas Isakovich在與媒體交流中確認，將在年內發布200TB容量的固態硬碟產品。 敢這麼宣告，Nimbus Data事實上有底氣。早在2018年，他們就推出了當時全球最大的SSD產品ExaDrive DC100，容量達到100TB，3.5寸形態，匹配SATA或者SAS接口。 按照Thomas的說法，2018年的時候，100TB產品使用了3072片256Gb快閃記憶體晶片，相當於在一塊硬碟內塞入了8張全尺寸存儲晶圓。而如今，快閃記憶體晶片的單位容量已經達到1024Gb，理論上其它條件不變，400TB也是可能的。 除了容量，官方還透露，這款200TB固盤也將比100TB版本性能更優、能效更佳。 當然，在售的100TB版本價格達到4萬美元，200TB估計8萬美元起？ 來源：快科技

2020年SK海力士宣布斥資90億美元收購了Intel的快閃記憶體業務，去年底該交易正式完成第一階段收購，成立了Solidigm公司，後者現在推出了新一代企業級SSD產品P5530，這是收購之後雙方合作的第一款PCIe 4.0硬碟，使用了兩家的技術。 P5530硬碟使用了SK海力士的128層4D NAND快閃記憶體，主控及固件則是Solidigm公司自研的，支持PCIe 4.0，容量1TB起步，還有2TB及4TB容量可選，雙方針對數據中心的使用場景進行了性能優化等。 自Solidigm成立以來，兩家公司展開了包括產品共同開發在內的全面合作，在擬定未來事業戰略的同時強化囊括兩家公司的共同價值觀。SK海力士期待通過與Solidigm的合作，將其NAND快閃記憶體事業的競爭力提高至與DRAM事業同等的水平。 據悉，Solidigm的總部將設在加利福尼亞州聖何塞，負責此次收購的英特爾SSD業務的產品開發 、製造和銷售，SK海力士社長兼co-CEO李錫熙將兼任該公司的Executive Chairman，領導第一階段交割結束後的整合過程。 來源：快科技

2月份西數、東芝位於日本的快閃記憶體工廠遭遇污染事故，僅西數這邊就損失了至少6.5EB的晶片，當時業界預期這個意外事故會導致快閃記憶體市場供需轉變，由原來的跌價變成漲價，部分廠商當時就急不可耐地宣布快閃記憶體及SSD漲價。 然而折騰了沒幾天，這些廠商期待的漲價並沒有形成大規模效應，現在可能事與願違，因為大環境變了，由於居家工作需求減緩，通脹壓力影響消費者信心，PC廠商過去半個月來紛紛下調了2022年的出貨目標。 PC需求下滑也直接影響了存儲晶片，包括記憶體及快閃記憶體，2月份的意外原本預期能帶動快閃記憶體價格大漲，不過分析師們已經下調了這個預期，摩根史坦利證券半導體產業分析師詹家鴻預計快閃記憶體價格反彈可能只有5%，低於之前5-10%的預期。 記憶體方面，PC需求下滑，網絡通信及監控等市場表現尚可，電視及機頂盒需求疲弱，導致記憶體價格Q2季度甚至要下調5%。 來源：快科技

存儲晶片漲價潮大有愈演愈烈的態勢。 綜合各方消息來看，多項存儲晶片都已經/即將漲價，包括DRAM及非易失性存儲晶片NAND快閃記憶體、EEPROM。 NAND快閃記憶體方面，漲價潮源頭在於西部數據與鎧俠合資廠污染事件。 美光、西部數據兩家存儲龍頭已雙雙宣布，全線漲價；群聯也表示將跟進漲價。值得注意的是，美光並未受污染事件波及，但公司卻是目前已知價格漲幅最高的廠商。業界人士認為，由於合約價是每月商議，美光本次漲價幾乎是實時生效，預計本月初就將全面反映。 本輪漲價潮中，NAND快閃記憶體各型號均已提價。其中，64Gb 8Gx8 MLC快閃記憶體合約漲幅最大，且價格已創下三年來新高。 還有業內人士對集微網表示，短期來看，新一輪漲價潮才剛剛開始，持續時間至少三個月。 EEPROM方面，A股廠商也在近日證實了漲價消息。 本周聚辰股份、普冉股份雙雙公布調研紀要，拜訪機構均超過百家，且調研日期均為業績快報公布後的次交易日。 其中，聚辰股份去年扣非淨利潤同比增長超40%，增長主因之一為「適當調整產品價格體系」；普冉股份已從今年1月起，調漲攝像頭模組系列EEPROM產品價格，同時對EEPROM價格保持謹慎偏樂觀的態度。 DRAM價格也在「蠢蠢欲動」。 據集邦科技及模組廠報價顯示，2月利基型DRAM合約價環比上漲2%-5％，其中，關鍵的x16規格4Gb DDR3顆粒、x16規模2Gb DDR3顆粒合約價均創下近5個月來新高。台灣工商時報指出，由於供給吃緊，利基型DRAM合約價漲勢有望延續到下半年。 值得注意的是，今早半導體板塊震盪走強，其中兆易創新、北京君正等多隻存儲晶片個股盤中漲幅超過5%。 車規級應用成共同拓展方向 隨著價格一同攀升的，還有汽車智能化、電動化帶來的存儲需求。 A股汽車存儲龍頭北京君正預計去年實現歸母淨利潤8.08-9.84億元，同比增長1004%-1245%；Q4單季度實現歸母淨利潤1.7-3.5億元，環比增長-38.4%-24.6%，同比增長240.3%-587.5%。業績增長的一大驅動力便是汽車終端需求拉動存儲晶片放量，汽車電子領域收入持續增長。 另外，多家企業已展開相應布局。 東芯股份日前接受機構調研時透露，在車規級產品方面，公司在NAND、NOR、LPDDR產品上均有布局。車規的驗證過程比較長，從產品端已經開始做嘗試。另外，公司也在推進與車規平台企業及車規電子集成商合作，建立了定期工作機制。目前車規類產品順利推進。目前已可為客戶提供車規NAND和NOR樣品。 聚辰股份部分A1級的汽車級EEPROM產品已於去年Q4末通過AEC-Q100可靠性標準認證。 普冉股份去年年底以來，多個「容量符合車載標準的EEPROM產品」已開始向知名客戶送樣。 來源：快科技

在當前的SSD硬碟中，TLC、QLC快閃記憶體的占比越來越多，QLC在一些低端型號中尤其受歡迎，然而大家對它的性能及可靠性一直不放心，現在Intel的660p QLC硬碟的原始性能被公開，緩存外只有60MB/，也就是U盤的水平。 Intel的SSD業務去年底已經被SK海力士公司收購完了，新設立的美國子公司將運營此次收購的英特爾SSD業務。該新公司的名稱定為「Solidigm」。 Solidigm公司高管日前接受了日本PCWatch網站的采訪，透露了接手Intel SSD之後的一些動向，這些暫且不提，他們確認Intel之前已有的SSD產品會繼續開售，並承擔質保。 更重要的是，采訪中他們透露了Intel的QLC快閃記憶體的硬碟的性能，大家知道Intel之前推出過660p、665p、670p等幾款QLC硬碟，前者是64層堆棧的3D QLC快閃記憶體，665p是96層3D QLC，670p則是144層3D QLC快閃記憶體。 以660p為例，紙面上的性能還是很強的，512GB的連續讀寫分別1500MB/和1000MB/、隨機速寫是90K和220K IOPS。1TB/2TB的連續讀寫均提升到1800MB/，隨機讀寫最高220K IOPS。 然而這些性能是基於SLC緩存模式下的，660p的512GB版有60GB靜態緩存，70GB動態緩存，但是用完緩存之後，原始的QLC寫入性能就很難看了，其中660p最低只有60MB/。 60MB/是什麼水平？這性能連HDD機械硬碟都打不過，現在隨便找個U盤的性能都不止於此了。 好消息是，隨著QLC快閃記憶體的不斷升級，原始性能也在改進，到了670p上，512GB的原始速度也有115MB/，1TB的可達220MB./，2TB版可達400MB/，性能已經很好看了。 來源：快科技

據日經新聞報導，位於日本的鎧俠、西數合資的快閃記憶體工廠已經在周三恢復運營，此前該工廠因為材料污染事件而停止生產。 今年1月份下旬，這家快閃記憶體工廠因為材料污染而暫停了3D快閃記憶體生產，鎧俠為此調查了污染原因並制定解決方案。 這座快閃記憶體工廠是鎧俠及西數聯合投資運營的，盡管在暫停期間還可以利用庫存繼續出貨，但產能減少顯然會影響未來的出貨量。 對於事故損失，現在鎧俠還沒有公布具體結果，西數之前的說法是至少影響6.5EB快閃記憶體，也就是65億GB。 在工廠停產的一個多月中，市場上快閃記憶體現貨價格已經開始上漲，多家SSD廠商也預計最快4月份就會缺貨，導致SSD漲價。 存儲行業的公司宇瞻表示，受污染的主要在蝕刻材料上，導致整批晶片報廢，從生產流程與瑕疵問題來看，受影響的NAND 晶片產出超出原先預期的6.5EB，4月開始基本上就沒有東西能產出、或僅少量產出。 來源：快科技

在過去一年多的晶片產能危機中，存儲晶片算是一個例外，2021年不論記憶體還是快閃記憶體價格整體都在跌，本來預期今年上半年還要繼續跌，但是西數、鎧俠的快閃記憶體工廠污染事故要改變快閃記憶體走勢了，要買SSD硬碟的玩家要注意了。 2月初，西數及鎧俠其位於日本四日市的工廠和北上工廠的合資工廠遭到了材料污染停產，只不過官方一直沒有給出細節，此前傳聞的6.5EB快閃記憶體損失也只是西數預估的數量，但是這件事已經在改變市場趨勢。 從快閃記憶體市場CFM網站的價格走勢來看，512Gb TLC快閃記憶體在污染事故發生之後價格已經開始上漲，之前報價一直維持在4.1美元，這兩天已經漲到了4.4美元了，其他128Gb、256Gb TLC快閃記憶體的報價也在上漲。 快閃記憶體價格上漲，對PC玩家來說直接影響就是SSD硬碟價格要漲，聯想筆記本的產品總監@林林-一枝小白兔也在微博提示了一點，有需要SSD的大家可以先提前屯點了。 在西數、鎧俠快閃記憶體工廠污染事故爆發之後，業界傳出的聲音很多也很亂，之前西數、美光等廠商甚至喊出價格上漲10%到25%的消息，還有SSD廠商跟進喊漲價。 目前最核心的問題是兩家公司的工廠損失到底有多大，但是西數及鎧俠還沒有明確的消息公布，導致市場消息魚龍混雜。 看了下目前熱門的SSD硬碟的價格及歷史價格，總體來說當前還沒有大漲價，只是有了漲價的趨勢，但這並不意味著一切安好，因為決定市場價格的還是快閃記憶體合約價，Q1季度的價格早就在去年底談好了，所以現在的SSD價格沒有大幅上漲的跡象。 4月份是個關鍵，屆時廠商的快閃記憶體庫存消耗差不多了，再加上這次污染事故影響，快閃記憶體價格漲多少才會有比較明確的消息，至少多家SSD廠商已經喊出價格要漲的口號了。 來源：快科技

隨著數據存儲需求的不斷增加，大容量硬碟也很受歡迎，特別是企業級及NAS市場，現在西數的20TB紅盤Pro開始上市了，自帶64GB快閃記憶體，相當於多了個SSD硬碟，售價高達831歐元，約合5879元人民幣。 這塊硬碟雖然自帶NAND快閃記憶體，但並不是之前的混合硬碟，而是西數去年推出的OptiNAND技術，集成了UFS規格的iNAND快閃記憶體，但不是用來緩存，而是用於存儲元數據，減少鄰軌干擾的刷新時間，一方面可以提高碟片存儲密度，一方面也提升了性能。 除此之外，20TB的紅盤Pro規格跟其他HDD就差不多了，7200RPM轉速，512MB緩存，SATA接口，使用的也是CMR而非大家擔心的SMR，畢竟是用於高端NAS應用的。 與希捷的20TB硬碟不同的是，得益於OptiNAND技術，20TB紅盤Pro只用了9碟封裝，單碟容量2.2TB，比希捷的10碟2TB封裝減少了一定的復雜性。 最後是售價，西數20TB紅盤Pro的官方建議價是830.99歐元，約合5879元，將近6000元的價格著實不便宜，這還是不含稅的情況下，而且要比18TB容量的貴出30%，容量提升不過11%而已。 顯然，西數20TB紅盤Pro的64GB快閃記憶體會增加不少成本。 來源：快科技

昨天鎧俠推出新一代UFS快閃記憶體，業界首發支持MIPI M-PHY v5.0，性能提升多達90%。 鎧俠表示，美國子公司宣布出樣業界首批符合MIPI M-PHY v5.0的UFS快閃記憶體樣品，採用了公司的BiCS Flash 3D快閃記憶體技術，提供128GB、256GB及512GB三種容量。 新一代UFS快閃記憶體提供了高速的讀寫性能，主要針對各種移動設備，包括智慧型手機。 鎧俠的新品支持了MIPI M-PHY v5.0，在HS-GEAR5模式下，理論接口速度高達每通道23.2Gbps，x2通道下則是46.4Gpbs。 與上一代設備相比，256GB設備的順序讀取和寫入性能分別提高了大約90%和70%。此外，與上一代設備相比，256GB設備的隨機讀寫性能分別提高了大約35%和60%。 鎧俠之前沒有透露這款產品的具體性能，不過從對比產品的速度來推算，這個新一代UFS快閃記憶體的讀取速度達到了4.4GB/，速度比桌面版的PCIe 3.0硬碟還要高，甚至達到了部分PCIe 4.0硬碟的水平。 對此，有人猜測鎧俠的這個新快閃記憶體實際上是新一代的UFS 4.0標準，然而鎧俠公司回復媒體時否認了這一消息，表示不是UFS 4.0。 來源：快科技

前不久西數、鎧俠位於日本的快閃記憶體工廠遭遇材料污染事故，導致大量快閃記憶體報廢，之前的預估是6.5EB容量的快閃記憶體受影響，不過現在來看損失遠超於此，快閃記憶體晶片最快4月份就要缺貨了。 西數及鎧俠其位於日本四日市的工廠和北上工廠的合資工廠遭到了材料污染停產，只不過官方一直沒有給出細節，此前傳聞的6.5EB快閃記憶體損失也只是西數預估的數量。 現在存儲行業的公司宇瞻表示，受污染的主要在蝕刻材料上，導致整批晶片報廢，從生產流程與瑕疵問題來看，受影響的NAND 晶片產出超出原先預期的6.5EB，4月開始基本上就沒有東西能產出、或僅少量產出。 由於西數及鎧俠分別是全球第四、第二大NAND供應商，這次的污染事故給業界帶來的影響相當大，3月份快閃記憶體價格就會上揚，隨著Q3季度旺季的來臨，Q2季度價格也會上漲，導致上半年快閃記憶體面臨缺貨。 在事故發生之後，西數、美光等廠商已經開始漲價，包括合約及現貨價，漲幅傳聞超過25%。 來源：快科技

前幾天西數、鎧俠位於日本的快閃記憶體工廠遭遇材料污染，導致大量快閃記憶體晶片受影響，這件事將改變近期的快閃記憶體市場趨勢，西數已經確認此事會導致他們的成本顯著增加，宣布快閃記憶體立即漲價。 西數全球客戶組織執行副總裁傑里·卡格爾已經公告了此事，稱這次的材料污染事故影響了合資快閃記憶體工廠的運營，雖然不影響當前裝運的任何產品，但西數表示短期內成本顯著增加，長期影響還在評估，但他們已經決定立即提高快閃記憶體產品的價格。 西數沒有公布快閃記憶體漲價幅度，但是隨著西數打響了快閃記憶體漲價的第一槍，後續預計鎧俠也會跟進，進而導致SSD廠商跟進漲價，一系列連鎖反應少不了。 西數也沒有給出明確的損失，之前的說法是損失6.5EB快閃記憶體，但這肯定不是所有的損失，有分析稱算上鎧俠的那部分快閃記憶體損失，影響的快閃記憶體晶片總量大概是16EB，相當於全球一季市場消費量的約10%，這對全球快閃記憶體供應勢必會有很大影響。 來源：快科技

在本周三，西數和鎧俠宣布多達6.5EB的快閃記憶體晶片被污染。 根西數和鎧俠的報告，這兩家工廠可能會造成多達16EB的快閃記憶體被浪費，影響到本季度快閃記憶體市場10%的份額。 不光近期准備發布新品的蘋果公司收到了影響，原本晶片就很緊缺，加上現在又出現快閃記憶體污染的問題，對於那些依賴西部數據和鎧俠快閃記憶體的廠商來說，更是巨大的打擊，就包括了微軟、索尼、Google等知名廠商。 加上相關事件引發市場恐慌，已有消息稱群聯第一時間調漲模組報價15%，其它廠商則暫停報價。 然而在這方面，也並不全是壞消息，競爭對手三星、海力士和美光這幾個巨頭，會從此類事件受益。其中SK海力士和美光的股價，在盤後交易中應聲上漲了約2%。 來源：快科技

全球快閃記憶體晶片今年上半年原本預期依然是熊市，價格還要往下跌，但是鎧俠、西數日本工廠的污染事件有可能成為黑天鵝，改變快閃記憶體及SSD市場趨勢，前幾天還說不受影響的廠商群聯據悉已經開始漲價15%。 據台灣媒體報導，鎧俠、西數兩家的快閃記憶體產能占全球NAND晶片市占總和高達32%以上，直逼龍頭三星，相關事件引發市場恐慌，已有消息稱群聯第一時間調漲模組報價15%，其他廠商則暫停報價。 對於漲價傳聞，群聯沒有回應，強調該公司與鎧俠已簽署長期供貨合約，也與其他主要的NAND供應商原廠均分別簽屬長期供貨合約，因此供貨無慮，對群聯料源取得無影響。 此前消息稱，西數給出的快閃記憶體損失是6.5EB，但這肯定不是所有的損失，有分析稱算上鎧俠的那部分快閃記憶體損失，影響的快閃記憶體晶片總量大概是16EB，相當於全球一季市場消費量的約10%，NAND快閃記憶體價格將勢必上漲，進一步為近期供應短缺引發的零件價格上漲趨勢添加柴火。 來源：快科技

雖然自家的工廠遭遇了材料污染事件，導致6.5EB的快閃記憶體晶片受影響，不過鎧俠依然慶祝了一件大事——NAND快閃記憶體問世35周年，1987年東芝工程師Fujio Masuoka開發了這種存儲晶片。 日本東芝公司是快閃記憶體的發明者，但是因為經營不善，東芝在2017年將存儲晶片業務大部分股權賣掉了，2019又要求他們改名為現在的鎧俠，所以鎧俠在血統上也是NAND快閃記憶體的發明人。 經過30多年的發展，如今的NAND快閃記憶體跟當初的快閃記憶體已經今非昔比，鎧俠對比了90年代與當前快閃記憶體的情況，提升主要體現在成本價格和容量上。 90年代的快閃記憶體核心容量只有4Mb，這是什麼概念？只有一首MP3音樂的1/16或者照片的1/8，如今鎧俠最新的快閃記憶體核心容量是1.33Tb，能把容納20000首音樂或者39000張照片，提升3萬多倍。 與此同時，價格也大幅下降，之前4Mb核心的快閃記憶體價格換算下來每GB要1萬美元，如今是每GB只要0.2美元，這又是5萬倍的差距。 另一方面，快閃記憶體的應用領域也涉及到當前各種電子產品上了，除了手機、電腦、相機之外，還有VR、機器人、雲計算、安防等等。 來源：快科技

日前鎧俠及西數位於日本的NAND快閃記憶體工廠爆發污染事故，導致6.5EB容量的快閃記憶體晶片受到影響，這一黑天鵝事件給全球快閃記憶體行業帶來了不確定性，原本價格還在下滑，但是最新預測稱Q2季度快閃記憶體價格將會轉向上漲5-10%。 來自集邦科技的分析認為，原本NAND快閃記憶體全年都有微幅的供過於求壓力，今年上半年價格都有下滑壓力，但是現在的情況變了，1月份三星位於西安的工廠受到疫情影響，2月份這又曝出鎧俠、西數快閃記憶體晶片受污染的事故。 集邦科技認為在當前的情況下，Q1季度快閃記憶體晶片價格跌幅會收窄到5-10%，而Q2季度價格則會反轉，變成漲價5-10%，比預期更早開始止跌反彈。 至於為何出現這麼大的影響，主要是西數、鎧俠的快閃記憶體影響太大了，二者合計占了全球32%的快閃記憶體產能，這次被污染的快閃記憶體預計有6.5EB，約占工廠Q1季度產能的13%，全球產能的3%，而且這還是初步的，後續損失應該會擴大，所以對供應量影響是非常大的。 此外，每次出現這種重大意外事故，渠道及廠商也會聞風而動，現貨價格很快就會上揚，這也是傳統了，預計未來幾天就能看到快閃記憶體及SSD硬碟市場上的波動。 來源：快科技

在3D快閃記憶體方面，三星之前一直是領先的，不過美光去年率先量產了176層堆棧的快閃記憶體，要想追趕回來，三星最快今年底能量產224層堆棧的快閃記憶體，性能還會提升30%。 三星的3D快閃記憶體V-NAND目前發展到了第七代，最高176層，原本計劃在去年底量產，但因為NAND快閃記憶體價格下滑等因素，三星選擇推遲量產，今年Q1季度才會正式量產，導致技術上稍微落後於美光等公司。 不過三星在下一代快閃記憶體上有望追回來，最快今年底明年初推出第八代V-NAND快閃記憶體，堆棧層數首次超過200層，之前傳聞是228層，現在的說法是224層，相當於在128層基礎上再堆棧96層。 消息稱，三星的224層快閃記憶體性能也很不錯，數據速度提升了30%，同時生產效率也提高了30%。 此外，三星的224層快閃記憶體技術難度也很高，之前三星是唯一一家使用單堆棧技術實現128層快閃記憶體的公司，這次的224層則使用了雙堆棧技術，技術挑戰十分嚴峻。 來源：快科技

1月17日，紫光集團重整計劃正式獲得法院裁定批准，戰略投資者將注入600億元資金，全部用於向債權人清償。 很快，大規模的調整就開始了。 據媒體報導，在新進投資者的推動下，紫光集團將放棄在成都、重慶兩地建設大型存儲工廠的計劃，同時前日本爾必達社長、紫光集團高級副總裁兼日本分公司CEO坂本幸雄(Yukio Sakamoto)已經離職。 據悉，紫光集團原本希望在阪本幸雄的帶領下，擴大自己的DRAM記憶體業務，藉助其豐富的經驗、深入的人脈，在日本打造100人左右的團隊，並在重慶建廠生產DRAM記憶體晶片。 但是，日本團隊的人員招募不如預期，紫光集團本身也陷入財務危機，再加上緊張的國際局勢，紫光想獲得DRAM技術、生產設備也是困難重重。 事實上，坂本幸雄去年下半年就已經離職。 至於成都，紫光集團最初計劃在此投資240億美元，建設3D NAND快閃記憶體工廠，復制長江存儲的成功經驗。 早在2020年底，就有說法稱，紫光集團位於重慶、成都的工廠建設計劃嚴重滯後，可能在紫光債務違約後撤銷，如今終於徹底泡湯了。 來源：快科技

如今智慧型手機的快閃記憶體容量起步128GB了，大容量的超過512GB甚至1TB，傳聞iPhone 14系列還會上2TB，但代價就是廠商不可避免使用QLC快閃記憶體，鎧俠今天就宣布推出512GB的UFS 3.1快閃記憶體，QLC規格的。 這並不是首款QLC規格UFS快閃記憶體，不過512GB容量倒是目前最大的，鎧俠這款UFS 3.1快閃記憶體使用的是該公司密度最高的1Tbit QLC快閃記憶體，BiCS技術，單顆Die容量就是128GB了，512GB容量只需要4顆Die即可，可以減少空間占用。 鎧俠並沒有透露這款UFS 3.1 QLC快閃記憶體的具體規格，讀寫速度、隨機性能、可靠性等指標未知，只明確了是針對高解析度圖像、5G、4K+視頻等應用而生的。 鎧俠表示UFS 3.1 QLC快閃記憶體已經出樣給OEM客戶，但是他們沒有公布客戶姓名，估計下半年的智慧型手機，包括iPhone及安卓手機都有可能用上QLC快閃記憶體了。 來源：快科技

近段時間以來，致態TiPro7000的問世，再次引發了全行業關注，作為一家2016年堪堪成立，不到6年，卻實現了從SATA到PCIe3.0，再到如今消費級固態硬碟巔峰PCIe4.0 SSD，全領域的產品布局，長江存儲·致態背後的Xtacking?為何如此神奇？Xtacking技術究竟又有多少魔力？ 根據官方解釋，Xtacking?是長江存儲核心專利和技術品牌，代表著長江存儲在3D NAND存儲技術領域的創新進取和卓越貢獻，同時它也是長江存儲面向企業客戶、消費者推廣3D NAND產品的關鍵所在，也是體現長江存儲原創設計的代表品牌。 致態TiPro7000（1TB） 這個解釋實質上有兩重意思，一方面著重強調了Xtacking是一項核心的快閃記憶體製造技術，是長江存儲近年來發展壯大的關鍵專利，另一方面則是揭示了Xtacking已然成為長江存儲重要的品牌資產和代名詞，有著非同凡響的象徵意義。 今天，我們拋開品牌意義不聊，重點聊聊Xtacking?作為快閃記憶體製造技術，是如何推動致態TiPro7000的性能炸裂。 01 主流NAND快閃記憶體製造邏輯 在理解Xtacking?技術之前，我們需要先聊聊全球其他快閃記憶體廠是如何製造快閃記憶體的。 圖源於網際網路 我們都知道現階段全球NAND快閃記憶體玩家，主要有三星、鎧俠/西數、Intel/Micron以及SK海力士等幾家，其中鎧俠和西數，intel和Micron，基於資本和市場共享機制，在這里可視為一家。 通過上圖全球主流NAND快閃記憶體橫截面可以看到，製造技術上，三星和鎧俠/西數大體上保持一致，都是常規的並列式架構，這樣的好處在於加工難度較低，但對於晶圓蝕刻設備與技術要求太高，尤其是三星採用的一次性加工、記憶體孔（Memory Hole）的HARC蝕刻技術，更是對於設備和操作經驗要求極高； 鎧俠/西數採用的則是相對輕松的兩個48層堆疊而成，在技術難度上更具操作性，但也存在著記憶體孔的貼合匹配等問題。 Intel/Micron以及SK海力士，則採用了另一條製造路徑，即CUA，CMOS under Array，顧名思義就是將能夠控制數據讀取、寫入的CMOS線路放置在Array以下的一種加工方式，這樣的架構同樣存在製造工藝難度較高，優勢則在於能夠擴大單個晶片的存儲密度。 Xtacking架構下的長存顆粒 至於YMTC即長江存儲則是採用了Xtacking架構，該架構原理是將CMOS線路用一種不同於存儲單元（Memory Cell）的晶圓製造而成，分別通過Bonding工藝進行貼合，更加樸素的解釋便是等同於，在指甲蓋大小的面積上通過數十億根金屬通道，將CMOS和Array進行連接，合二為一。 02 Xtacking的先進性 看到這里，大家應該能夠腦補Xtacking?架構和傳統上下並列，CUA等快閃記憶體結構的不同之處，那麼耦合而成的Xtacking又有哪些特點呢？ 從理論設計和實際經驗來看，主要有更快的傳輸速度、更高的存儲密度以及更靈活的開發周期。 Xtacking架構生產工藝 先說速度，Xtacking的製造原理是在兩片獨立的晶圓上，分別加工外圍電路和存儲單元，這樣的話，可以在邏輯工藝上有著更多的自主選擇性，從而讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能，這也是致態TiPro7000能夠取得超過7400MB/的核心要義，從快閃記憶體製造的源頭上，進行了性能優化，更多更高的I/O接口通道，為後續主控的性能調配奠定基礎。 密度優化 再說密度，3D NAND顆粒最重要的發展方向便是密度的優化，在傳統3D NAND架構中，外圍電路約占晶片面積20~30%， Xtacking?技術創新的將外圍電路置於存儲單元之上，從而實現比傳統3D NAND更高的存儲密度，晶片面積可減少約25%，同等面積基礎上，Xtacking?架構能夠提供更多的存儲單元。 Xtacking工藝獨立加工 最後再來看靈活的生產周期，實際上NAND顆粒的良品率和出貨量，是目前市場競爭的重要一環，良品率方面，隨著Xtacking 2.0技術的誕生，長江存儲快閃記憶體顆粒的良品率已然實現大幅度躍升，能夠滿足現階段長江存儲客戶的良品需求； 而出貨量上，基於Xtacking工藝存儲單元和外圍電路的能夠獨立加工的特性，長江存儲可以實現並行、模組化的靈活生產製造，根據推算Xtacking?工藝相較於傳統結構，產品開發周期可縮短三個月，生產周期可縮短20%。 03 不止於Xtacking? 致態TiPro7000強悍性能的秘密 更快更高更靈活的Xtacking?架構，為致態TiPro7000奠定了旗艦級性能的基礎，可我們都知道一款旗艦級固態硬碟，除開快閃記憶體顆粒，在主控的選配和硬體優化方面同樣關鍵。 致態TiPro7000 SSD 致態TiPro7000內置了英韌科技IG5236主控，這是一款採用12nm FinFET CMOS製造工藝的PCIe4.0主控晶片，長江存儲在該主控基礎上，進行了固件的優化升級，歷經長久的端到端的產品匹配，在充分挖掘該主控在GEN4協議上的潛能，並和Xtacking?2.0架構的長江存儲高品質3D TLC顆粒進行校正和適配後，最終實現了性能的全部挖掘。 CrystalDiskMark測試 經過筆者實測，致態TiPro7000在最大順序性能方面達到了GEN4行業的巔峰水準，最大連續讀取7400MB/，而最大連續寫入也達到了5400MB/，這一性能無論是對於遊戲發燒友，還是存儲負載較重的專業內容創作者，都能完全滿足他們在硬碟帶寬方面的性能需求。 04 綜述 從Xtacking?技術的原理，我們可以發現，唯有打破常規，持續創新，才是推動產品革新，攀上巔峰的唯一要義。 作為一家年輕的存儲公司，長江存儲·致態是幸福，也是幸運的，不斷疊代的Xtacking?技術，層出不窮的諸如致態TiPro7000優秀產品，都一一昭示著它們正在一條正確的道路上，前行著。 雖然正確的道路，往往是曲折的，泥濘的，甚至是充滿危機的，但方向對了，其他不都是浮雲了嗎？ 來源：快科技

由於疫情防控原因，西安地區的工廠也難免受到影響，其中三星在西安投產的快閃記憶體工廠占全球產能的15%，此前有傳聞稱已經停止運營，SSD市場風波乍起，不過三星剛剛已經澄清工廠還在生產，目前是全封閉式管理。 據報導，就西安工廠生產調整一事，三星相關負責人表示，三星在西安的半導體工廠按照當地政府的防疫要求，對在崗人員和物流車輛採取了全封閉管理措施，能夠保障基本運營條件。目前三星半導體工廠處於生產運行狀態。 12月29日，三星電子向客戶發函通知，預計NAND產品製造能力可能會受到西安疫情影響，並暫時停止報價，NAND價格上漲的市場氛圍持續醞釀。 目前，三星在西安布局以NAND Flash為主，一期月產能約12萬片，二期月產能約13萬片，共占該公司NAND Flash產能42.3%，全球產能的15.3%。 來源：快科技

昨晚的發布會上，，支持PCIe Gen4，最高讀取速度7400MB/，，基本貼著Gen4X4的帶寬上限了，性能非常強大。 長江致態TiPro7000是標準的M.2 2280形態，搭載英韌科技Rainier IG5236主控制器，支持PCIe 4.0 x4、NVMe 1.4，八通道設計，12nm製造工藝，這次還調整了封裝，增大散熱面積，可有效降低高負載下的溫度。 官方還提供了可拆卸式散熱片，鋁材質，厚度5毫米，覆蓋0.5毫米導熱膠，號稱可以降溫最多30℃，並且完美兼容PS5。 TiPro7000 SSD已經上架京東預售，512GB 819元，1TB 1269元，支付定金30元可分別抵扣150元、200元， 在這次發布會上，長江存儲還透露了不少消息，其中致鈦品牌改名為致態，其研發的Xtacking架構還增加中文名字「晶棧」。 據產品管理部負責人范增緒介紹，晶這個字的上下結構類似長江存儲Xtacking上下晶圓堆疊結構，另外晶棧諧音精湛，意味著長江存儲致力於為消費者帶來精湛的產品。 長江存儲的Xtacking晶棧架構快閃記憶體有一個重要工藝步驟就是晶圓鍵合，據范增緒所說，這一工藝的良率已經達到了99.999%，可以說成功率非常高了。 來源：快科技

去年SK海力士宣布斥資90億美元（當時約合600億人民幣）收購Intel快閃記憶體業務，一年來已經得到了美國、歐盟、韓國等地區的批准，現在國家市場監管總局反壟斷局也做出決定，在雙方做出6大承諾之後批准了這起收購案，至此全球主要NAND快閃記憶體原廠減少為5家。 根據官方的通報，市場監管總局收到SK海力士株式會社（以下簡稱SK海力士）收購英特爾公司部分業務（以下簡稱目標業務）案（以下簡稱本案）的經營者集中反壟斷申報。經審查，市場監管總局決定附加限制性條件批准此項經營者集中。 在審查過程中，交易方做出了6大承諾，包括產品價格、供應限制及不得達成限制競爭等，時限為5年，限制性條件自生效日起5年後，集中後實體可以向市場監管總局提出解除條件的申請。 此前報導，2020年10月份，SK海力士宣布斥資90億美元收購Intel的NAND快閃記憶體業務。 根據收購方案，一旦許可通過，交割將分為兩階段，SK海力士第一期支付70億美元從英特爾收購NAND SSD業務（包括NAND SSD相關智慧財產權和員工）以及大連工廠。 第二階段預計在2025年3月份進行，SK海力士將支付20億美元餘款從英特爾收購其餘相關資產，包括NAND快閃記憶體晶圓的生產及設計相關的智慧財產權、研發人員以及大連工廠的員工。 不過Intel雖然退出了NAND快閃記憶體市場，但並不會完全放棄存儲晶片業務，他們的傲騰業務還會繼續發展，雖然也跟美光分道揚鑣，但Intel計劃自建傲騰晶片工廠，有望獲得更多的產能以降低成本，推動傲騰份額增長。 來源：快科技

SLC、MLC、TLC、QLC、PLC……NAND快閃記憶體的發展大家應該都比較熟悉了，它們代表了每個單元能夠存儲的比特數據，密度越來越高，容量越來越大，當然可靠性、壽命越來越低。 SLC每單元1個比特(1bpc)，需要2檔電平；MLC每單元2個比特，需要4檔電平，容量增加100％；TLC每單元3個比特，需要8檔電平，容量增加33％…… 以此類推，尚未商用的PLC每單元5個比特，需要32檔電平，而容量只有SLC的5倍。 現在，日本創業公司Floadia(富提亞科技)居然宣稱他們已經開發出了全新的每單元7個比特(7bpc)的快閃記憶體，按照規律需要多達128檔電平，容量則相當於SLC的10倍。 Floadia當然沒有延續NAND快閃記憶體的老路，而是開發了全新的非易失性SONOS單元，在矽-氧化物-氮化物-氧化物-矽(SONOS)布局的基礎上，使用分布式電荷捕獲型結構，中間設置了一層氮化矽薄膜，可以牢牢捕獲電荷，從而長久維持數據穩定性，並且電壓編程擦寫循環非常簡單。 其中，氧化物-氮化物-氧化物(ONO)層使用了二氧化矽(SiO2)、氮化矽(Si3N4)材料，後者製造難度非常低。 官方號稱，在極低的電壓偏移下，這種快閃記憶體可以維持超過10萬次編程擦寫循環，即便是在150℃高溫下，也能持續保存數據長達10年之久，而現在主流快閃記憶體能堅持100秒就不錯了。 當然，也先別太激動，Floadia這種新快閃記憶體的目標市場(至少目前)主要是嵌入式市場，比如正在和東芝合作，利用40nm工藝進行製造，面向各種微控制器。 Floadia成立於2011年4月，創始人是來自日本瑞薩電子的7位工程師，都有近20年的從業經驗，公司已經經歷了三輪融資，其中C輪獲得12億日元(6700萬元人民幣)。 來源：快科技

2021年快閃記憶體逐漸從96層過渡到了128層為主，再往下就是170層到200層的了，每家快閃記憶體廠商的方案都有所不同，西數將在明年底量產BiCS6代3D快閃記憶體，堆棧層數提升到162，而且接口速度翻倍。 在快閃記憶體市場上，西數跟東芝是合作研發、生產的，BiCS技術其實主要是來自東芝，目前量產的主力是BiCS5，2019年2月份發布，堆棧層數112層，核心容量512Gbit，接口速度1.066Gbps。 BiCS6快閃記憶體是下一代產品，堆棧層數最終確定為162層，而非之前所說的170+層，核心容量也提升到了1Tbit，另外就是接口速度也將達到2.0Gbps，相比上代翻倍，不過距離三星最新的8代V-NAND快閃記憶體的2.4Gbps還有點距離。 根據西數的計劃，BiCS6快閃記憶體將從明年初開始生產，但真正大規模量產要到2022年底了，現在的BiCS5快閃記憶體還要過渡至少一年。 來源：快科技

對於想要抄底買記憶體的大家來說，可以適當的考慮了，因為現貨價格下跌速度已經放緩了。 據《電子時報》報導，11月主流 8Gb和16Gb DDR4晶片現貨價格下跌0.7-1.5%，而10月的平均跌幅為7%，11月3D TLC NAND快閃記憶體晶片現貨價格跌幅同樣較上月趨緩，SLC和MLC NAND晶片價格已停止下跌。 消息人士指出，為保持價格穩定，上游晶片供應商對明年的產能擴張保持謹慎，使得現貨市場的供應商能夠協商出更好的價格。據消息人士稱，2022年DRAM整體位供應量預計將增加約5%。 同時，出於盈利考慮，晶片供應商正尋求將更多用於低密度商品DRAM記憶體的可用產能轉移至CMOS圖像傳感器的製造，同時啟動DDR6記憶體研發。 該消息人士稱，盡管渠道零售商和分銷商對2022年第一季度的需求前景仍然悲觀，但在2月中旬之後，需求的可見度有可能變得更加清晰。 來源：快科技