美光去年開始就擴建他們在新加坡的Fab 10工廠，擴展旨在進行新的3D NAND工藝節點轉換，並且保持和現在一樣的晶圓產量，上周他們舉辦了Fab 10 Expansion的開幕儀式，新建的無塵工作時能夠生產更多堆疊層數，存儲密度更大的快閃記憶體。
美光Fab 10 Expansion是由原來的Fab 10N和Fab 10X所組成的，根據官方的數據，廠房占地面積165000平方米，不過美光並們沒有透露無塵廠房面積，以及有沒有擴建別的東西。現在新廠房正在進行設備安裝，預計今年內心的廠房就可以生產96層堆疊的3D NAND，他們只要求產能與現在一樣，符合市場對快閃記憶體的需求就可以了，並不會增加產能。
隨著3D NAND堆疊層數的增加，每個晶圓必須在化學氣相沉積機器中花費更多的時間，這意味著蝕刻它們需要更多的時間，這意味著如果想新工藝的快閃記憶體維持和現有一樣的產量就必須在無塵廠房中配備更多多的CVD和蝕刻機，所以美光需要擴建廠房來維持快閃記憶體產量，當然了快閃記憶體晶圓的產量雖然沒變，但是生產出來的快閃記憶體容量就要大得多了。
除了擴建新的廠房外，美光還擴大了他們在新加坡的研發業務，他們的NAND Center of Excellence將進行技術開發與產品工程，希望以此提高Fab 10的產量和生產效率。
來源：超能網
