ISSCC 2024（IEEE 國際固態電路會議）將於2月18日至22日在美國舊金山舉行，此前大會已確認，三星將介紹其最新的GDDR7記憶體技術，速率達到了37Gb/s，為16Gb模塊。
據TomsHardware報導，三星正在准備發布第9代V-NAND技術的產品，為1Tb（128GB）QLC 3DNAND快閃記憶體晶片，達到了280層，相比第8代V-NAND技術的236層有了進一步的提高。其存儲密度達到了28.5Gb mm2，將高於目前業界最高的長江存儲產品，後者的存儲密度為20.62Gb mm2。同時I/O速率達到了3.2 Gbps，相比第8代V-NAND技術的2.4 Gbps也要快得多。
作為全球最大的NAND快閃記憶體供應商，三星對其V-NAND技術的開發制定了宏偉的計劃。去年三星曾表示，2024年初將開始生產第9代V-NAND技術的產品，繼續沿用雙堆棧架構，擁有業界最高的層數。不過當時三星稱層數將超過300層，比現在的280層還要更高一些。如果條件允許，三星可能會提供容量為16TB的M.2 SSD，或者是單面8TB的產品。
據了解，三星在ISSCC 2024上將展示這款280層QLC 3D NAND快閃記憶體。此外，三星還打算展示新一代DDR5晶片，頻率達到了8000 MHz，為32Gbit模塊，採用了三星第五代10nm級工藝技術製造。
來源：超能網
