近期路透社曾報導，韓國存儲晶片大廠SK海力士在江蘇無錫工廠引進EUV光刻機的計劃可能面臨擱淺，原因是美國方面反對EUV光刻機這類先進設備進入中國。
這一問題之前在SK海力士內部引起了相當程度的關注，以至於CEO李錫熙在7月訪問華盛頓期間向美國官員提出了相關關切，不過短期來看阻力顯然不小。
李錫熙在11月22日的一場活動上表示，（基於EUV的）第四代DRAM晶片從7月開始在韓國生產，要在中國工廠應用相同的技術還有很長的路要走，將在與相關方面合作的同時明智地應對此事。
此前SK海力士宣布，將在未來5年內斥資約43億美元，持續從阿斯麥采購EUV光刻機。
其在韓國本土的工廠已經引進EUV光刻技術，並於去年7月開始成功量產基於EUV的10nm第四代DRAM晶片；計劃引入無錫工廠的EUV光刻機也將用於生產10nm DRAM晶片。
據悉，SK海力士在無錫工廠所生產的DRAM記憶體晶片占其產量的約一半，占全球總產量的15%。
因此，設備升級受阻或將對市場產生重大影響，也將使SK海力士在與三星、美光的競爭中處於劣勢。
來源：快科技
