英特爾稱Intel 14A比18A每瓦性能提升15%,邏輯密度提高20%

在上個月21日舉辦的IFS Direct Connect活動中,英特爾分享了Intel 18A工藝之後的計劃,公布了新的工藝路線圖,新增了Intel 14A製程技術和數個專業節點的演化版本。與原來不同的是,英特爾打算在Intel 14A才引入High-NA EUV光刻技術,而不是Intel 18A。

英特爾稱Intel 14A比18A每瓦性能提升15%,邏輯密度提高20%

據SeDaily報導,近日英特爾高級副總裁Anne Kelleher在SPIE 2024光學與光子學會議上透露,Intel 14A比Intel 18A工藝每瓦性能提升15%,而增強型的Intel 14A-E會在Intel 14A基礎上帶來額外5%的提升。與Intel 18A工藝相比,Intel 14A工藝的電晶體邏輯密度提高了20%。

按照英特爾的新計劃,Intel 14A工藝最快會在2026年到來,而Intel 14A-E工藝則是2027年,不過至今英特爾都沒有宣布任何基於Intel 14A和Intel 14A-E工藝的產品。雖然英特爾在晶圓代工領域視台積電(TSMC)為競爭對手,不過目前來看,其客戶端處理器越來越多的模塊交由台積電製造,可能還包括最為核心的計算模塊。

英特爾在去年6月的「代工模式投資者網絡研討會」上,介紹了內部晶圓代工業務模式的轉變,從2024年第一季度開始將設計與製造業務分離,內部設計部門與製造業務部門之間將建立起「客戶-供應商」的關系,後者將單獨運營,且財報獨立。英特爾希望在2030年之前超越三星,成為晶圓代工領域的第二大廠商。

來源:超能網