據之前報導，美光（Micron）幾個月前已推出232層TLC NAND快閃記憶體，並計劃2022年底開始正式生產。近日美光宣布開始出貨採用232層TLC NAND快閃記憶體的2550系列PCIe 4.0 NVMe固態硬碟，美光稱該系列固態硬碟具有密度與功耗優勢，相比自家上代產品，寫入帶寬提高了100%。
該系列固態硬碟支持NVMe1.4協議，擁有2230、2242、2280三種規格，每種規格都提供256GB、512GB及1TB三種容量。其中256G容量規格硬碟的最大順序讀取速度為4500MB/s，最大順序寫入速度為2000MB/s，最大隨機讀取380K IOPS，最大隨機寫入為400K IOPS，TBW為150TB；512G容量規格硬碟的最大順序讀取速度為5000MB/s，最大順序寫入速度為4000MB/s，最大隨機讀取500K IOPS，最大隨機寫入為600K IOPS，TBW為300TB；1T容量規格硬碟的最大順序讀取速度為5000MB/s，最大順序寫入速度為4000MB/s，最大隨機讀取550K IOPS，最大隨機寫入為600K IOPS，TBW為600TB。
美光通過優化進入與退出節能狀態的過程，為控制晶片採用更先進的製程工藝，採用HMB（Host Memory Buffer）技術清除DRAM等手段進一步降低固態硬碟功耗，可使筆記本擁有更長的續航 。美光稱該系列固態硬碟睡眠功耗低於2.5mW，空閒功耗低於150mW，活動功耗低於5.5W。
目前已有包括長江存儲，三星，SK海力士在內的多家廠商推出層數高於200的NAND快閃記憶體，估計很快會更多相應產品與消費者見面。
來源：超能網
