今年的智慧型手機除了會升級處理器之外，存儲晶片也會升級到最新標準，移動記憶體LPDDR5標準才被JEDEC組織正式公布，快閃記憶體也會從UFS 2.0/2.1提升到UFS 3.0，讀寫速度堪比SSD硬碟（隨機還不行）。西數公司日前宣布推出新一代iNAND嵌入式快閃記憶體EU511，支持UFS 3.0，最大容量512GB，使用了96層堆棧3D NAND快閃記憶體，讀取速度可達750MB/s，是前代的兩倍，如此高速的性能將為未來的5G設備提供更好的體驗。
西數去年底就宣布量產96層堆棧的3D NAND快閃記憶體了，這次推出的iNAND EU511嵌入式快閃記憶體也是96層堆棧的，雖然西數官方沒有公布具體類型，但不太可能是QLC快閃記憶體，應該還是3D TLC，因為今年1月底東芝也發布了UFS 3.0快閃記憶體，就是96層堆棧3D TLC快閃記憶體，兩家公司推新一代產品的步驟是差不多的。
西數的EU511快閃記憶體支持UFS 3.0 Gear 4/2 Lane規范，而UFS 3.0單通道雙向11.6Gpps，因此雙通道雙向帶寬的理論最高值就是23.2Gbps，大約是2.9GB/s。
容量方面，iNAND EU511快閃記憶體最低64GB，最高512GB，而且憑借西數的SmartSLC Generation 6技術使得讀取速度達到了750MB/s，官方表示連續讀取性能是前代的兩倍。
這樣的性能也讓新一代UFS 3.0快閃記憶體為即將到來的5G時代做好准備，西部數據公司Devices事業部高級總監Oded Sagee表示：「智慧型手機正在日益成為萬物互聯的中心。高速5G網絡旨在實現比之前快100倍的數據傳輸速度，並在更多的設備上部署人工智慧(AI)。人工智慧（AI）由集成式神經處理單元(NPU)所驅動，允許我們訪問大數據和快速數據，這將改變我們使用智慧型手機的方式。面對實時邊緣計算的高需求，嚴格的數據捕獲標準和訪問模式將成為5G設備必須滿足的基本條件。有了UFS 3.0嵌入式快閃記憶體檔，西部數據可以讓用戶按需、無縫、即時地體驗5G應用的新威力。」
西數iNAND EU511快閃記憶體目前已經開始給OEM客戶出樣。
來源：超能網
