ISSCC 2024（IEEE 國際固態電路會議）將於2月18日至22日在美國舊金山舉行，不少廠商會選擇在這次大會上展示最新的半導體製造技術。其中三星將介紹其最新的GDDR7記憶體技術，速率達到了37Gb/s，為16Gb模塊。
早在去年7月，三星就宣布已完成了業界首款GDDR7晶片的開發工作，每個數據I/O接口的速率達到了32Gbps，並承諾GDDR7在能效方面相比GDDR6會有20%的提升。首款16Gb GDDR7晶片在位寬為384位的情況下，提供了高達1.536 TB/s的帶寬，遠遠超過了目前GeForce RTX 4090的1.008 TB/s。
與現有GDDR6使用的NRZ/PAM2或GDDT6X的PAM4信號編碼機制不同，GDDR7採用的是PAM3信號編碼機制。NRZ/PAM2每周期提供1位的數據傳輸，PAM4每周期提供2位的數據傳輸，而PAM3每兩個周期的數據傳輸為3位。由於GDDR7使用的PAM3信號編碼機制更加復雜，控制器需要更強大的功能，消耗不一定比GDDR6少。
為此三星引入了具有高導熱性的環氧模塑化合物（EMC），讓GDDR7封裝的熱阻降低了70%，以確保有源組件不會過熱，在高速運轉時仍有穩定表現。三星在去年末表示，在過去的一年里不斷改善GDDR7的動態功耗，且通過額外的時鍾控制，已經將待機功耗降低至GDDR6的一半水平。
來源：超能網
